公开(公告)号：CN104916642A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410444337.1

申请日：2014-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  內原士 ,  仲敏行 ,  小野祐

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/0733 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种提高静电破坏耐受量的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置包含第一半导体层及形成在所述第一半导体层上的第二半导体层。进而，所述装置包含隔着第一绝缘膜而形成在所述第一半导体层上的第一控制电极。进而，所述装置包含第二控制电极，所述第二控制电极隔着第二绝缘膜而形成在所述第一半导体层上，且所述第二绝缘膜侧的一端与所述第一半导体层的距离大于所述第一控制电极的所述第一绝缘膜侧的一端与所述第一半导体层的距离。进而，所述装置包含将所述第一控制电极与所述第二控制电极电连接的配线。

公开(公告)号：CN104465741A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410061074.6

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/41775

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与第一电极分离地设置于上述表面，具有与第一端部对置的第二端部，连接第一端部的任意点和第二端部的任意点的线段的方向与GaN系半导体层的c轴方向不同。

公开(公告)号：CN104064562A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310322235.8

申请日：2013-07-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  梁濑直子 ,  仲敏行 ,  大野哲也 ,  小野祐

IPC: H01L25/18 ,  H01L29/78 ,  H03K17/567

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/095 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具备了稳定的整流特性的实施方式的半导体装置具备导电性基板；肖特基势垒二极管，具有阳极电极、阴极电极，安装为所述导电性基板和所述阳极电极电连接，所述导电性基板和所述阳极电极相对；场效应晶体管，在表面具有源极电极、漏极电极、以及栅极电极，安装为所述场效应晶体管背面与所述导电性基板相对。而且，源极电极与阴极电极电连接，栅极电极与阳极电极电连接。

公开(公告)号：CN103681884A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310070533.2

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  仲敏行

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 提供半导体器件及其制造方法。半导体器件具备含有III族元素的第1氮化物半导体层、第2氮化物半导体层、第3氮化物半导体层、绝缘膜、欧姆电极和肖特基电极。第2氮化物半导体层设在第1氮化物半导体层上，带隙大于第1氮化物半导体层。第3氮化物半导体层设在第2氮化物半导体层上。绝缘膜与第3氮化物半导体层相接地设在第3氮化物半导体层上。欧姆电极与第2氮化物半导体层欧姆接触。肖特基电极与第2氮化物半导体层肖特基接触。欧姆电极和肖特基电极之间的第3氮化物半导体层的表面区域，含有与第3氮化物半导体层的构成元素为异种的元素，该元素的浓度高于第3氮化物半导体层的比表面区域还靠第2氮化物半导体层侧的区域。

公开(公告)号：CN103516235A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310071378.6

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西胁达也 ,  吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  新井雅俊

IPC: H02M7/12

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 一种不使用碳化硅等高价半导体材料也能实现反向恢复时间短、高耐压且高可靠性的整流电路。整流电路具备在第1端子及第2端子间串联连接的整流元件及单极场效应晶体管。整流元件具有第1电极及第2电极。在进行直流动作时，当反向偏置时流过整流元件的第1漏电流大于当在场效应晶体管的栅电极及源电极间施加了阈值以下的电压时流过源电极及漏电极的第2漏电流，并且第2漏电流与漏电极及源电极间的电压之间的关系处在场效应晶体管的安全工作区内，在进行交流动作时，当整流元件切换为反向偏置时，在反向偏置的期间内向整流元件的结电容的充电完成，并且充电过程中从整流元件流过场效应晶体管的电流处在场效应晶体管的安全工作区内。

公开(公告)号：CN102694019A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201110255497.8

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  斋藤涉 ,  杉山亨

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上，在第2电极之间夹着第1电极地设置，与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间，与第3电极分离设置。第2绝缘膜是含有氮的膜。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。

公开(公告)号：CN106206707B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201510296856.2

申请日：2015-06-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 洪洪 ,  矶部康裕 ,  大麻浩平 ,  吉冈启

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置包括：第1半导体层，设置在基板上；第2半导体层，设置在第1半导体层上，包含n型杂质；第3半导体层，设置在第2半导体层上，电阻比第2半导体层大；第4半导体层，设置在第3半导体层上，包含氮化物半导体；以及第5半导体层，设置在第4半导体层上，包含带隙比第4半导体层大的氮化物半导体。

公开(公告)号：CN106531790A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610064455.9

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  洪洪 ,  矶部康裕

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/778 ,  H01L29/205

Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第一氮化物半导体层与第二氮化物半导体层交替积层而成的第一积层型氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、漏极电极、源极电极、及栅极电极。第一氮化物半导体层包含含有碳的氮化镓。第二氮化物半导体层包含氮化铝铟。第三氮化物半导体层设置在第一积层型氮化物半导体层之上，且包含氮化镓。第四氮化物半导体层设置在第三氮化物半导体层之上，且包含氮化铝镓。漏极电极与源极电极设置在第四氮化物半导体层之上。栅极电极隔在漏极电极与源极电极之间。

公开(公告)号：CN106206708A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510297232.2

申请日：2015-06-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 洪洪 ,  矶部康裕 ,  大麻浩平 ,  吉冈启

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置(1)包括：第1半导体层(11)，设置在基板上；第2半导体层p型杂质的氮化物半导体；第3半导体层(13)，设置在第2半导体层(12)上，包含非掺杂的氮化物半导体；第4半导体层(15)，设置在第3半导体层(13)上，包含氮化物半导体；以及第5半导体层(16)，设置在第4半导体层(15)上，包含带隙比第4半导体层(15)大的氮化物半导体。(12)，设置在第1半导体层(11)上，包含掺杂有

公开(公告)号：CN103516235B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310071378.6

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西胁达也 ,  吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  新井雅俊

IPC: H02M7/12

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 一种不使用碳化硅等高价半导体材料也能实现反向恢复时间短、高耐压且高可靠性的整流电路。整流电路具备在第1端子及第2端子间串联连接的整流元件及单极场效应晶体管。整流元件具有第1电极及第2电极。在进行直流动作时，当反向偏置时流过整流元件的第1漏电流大于当在场效应晶体管的栅电极及源电极间施加了阈值以下的电压时流过源电极及漏电极的第2漏电流，并且第2漏电流与漏电极及源电极间的电压之间的关系处在场效应晶体管的安全工作区内，在进行交流动作时，当整流元件切换为反向偏置时，在反向偏置的期间内向整流元件的结电容的充电完成，并且充电过程中从整流元件流过场效应晶体管的电流处在场效应晶体管的安全工作区内。