-
公开(公告)号：CN102169931A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010275583.0
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括n型和p型半导体层、势垒层以及阱层。所述n型和p型半导体层以及势垒层包含氮化物半导体。势垒层被设置在n型半导体层与p型半导体层之间。阱层被设置在势垒层之间，阱层的带隙能量小于势垒层的带隙能量，阱层包含InGaN。势垒层中的至少一个包括第一层、第二层以及第三层。第二层被设置为比第一层更靠近p型半导体层。第三层被设置为比第二层更靠近p型半导体层。第二层包含AlxGa1-xN(0＜x≤0.05)。第二层的带隙能量大于第一和第三层的带隙能量。第一和第二层的总厚度不大于第三层的厚度。
-
公开(公告)号：CN101378105B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810214664.2
申请日：2008-09-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够实现具有高发光效率的白色光源的发光装置。其具有：封装部(1)，具有搭载半导体发光元件的第1部分和其周围的第2部分；半导体发光元件(3)，被搭载在所述封装部的所述第1部分上，发出在近紫外区域具有发光峰值的光；透明树脂层(5)，覆盖所述半导体发光元件被设置在所述封装部的所述第1部分及所述第2部分上，在相对于所述第1部分和第2部分垂直的剖面上的外周为向上凸的曲线状；和层叠体，包括设置在所述透明树脂层之上具有到达所述第2部分的端面、并依次形成为向上凸的曲线状的红色荧光体层(6)、黄色荧光体层(7)、绿色荧光体层(8)和蓝色荧光体层(9)，所述黄色荧光体层，顶部的厚度比所述端面的厚度厚。
-
公开(公告)号：CN101378105A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810214664.2
申请日：2008-09-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够实现具有高发光效率的白色光源的发光装置。其具有：封装部(1)，具有搭载半导体发光元件的第1部分和其周围的第2部分；半导体发光元件(3)，被搭载在所述封装部的所述第1部分上，发出在近紫外区域具有发光峰值的光；透明树脂层(5)，覆盖所述半导体发光元件被设置在所述封装部的所述第1部分及所述第2部分上，在相对于所述第1部分和第2部分垂直的剖面上的外周为向上凸的曲线状；和层叠体，包括设置在所述透明树脂层之上具有到达所述第2部分的端面、并依次形成为向上凸的曲线状的红色荧光体层(6)、黄色荧光体层(7)、绿色荧光体层(8)和蓝色荧光体层(9)，所述黄色荧光体层，顶部的厚度比所述端面的厚度厚。
-
公开(公告)号：CN100459196C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200680000332.3
申请日：2006-02-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00 , H01S5/042 , H01L21/285 , H01L29/45
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：p型氮化物半导体层(14)；以及p侧电极(18)，包括连接到所述氮化物半导体层(14)的表面的氧化钯膜(30)。
-
公开(公告)号：CN101232068A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810008868.0
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：由III－V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于 方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于 方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III－V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III－V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III－V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III－V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III－V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III－V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1897374A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101777.2
申请日：2006-07-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3216
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系III－V族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。
-
公开(公告)号：CN108376645B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201710766821.X
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/033 , H01L21/3065
Abstract: 提供能够提高性能的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括通过使用了包含第1元素的气体的干蚀刻而去除设置在包含Alx1Ga1－x1N(0≤x1
-
公开(公告)号：CN109119471B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201810160330.5
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够降低导通电阻的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域。第1电极处于第2、第3电极之间。第1半导体区域包括Alx1Ga1－x1N。第1半导体区域的第1～第3部分区域远离第1～第3电极。第1部分区域比第2、第3部分区域厚。第2半导体区域包括Alx2Ga1－x2N(x2＜x1)。第2半导体区域的第4～第6部分区域处于第1电极与第1部分区域之间、第2电极与第2部分区域之间、第3电极与第3部分区域之间。第4部分区域比第5、第6部分区域薄。第3半导体区域包括Alx3Ga1－x3N(x2＜x3)。第3半导体区域处于第2电极与第5部分区域之间以及第3电极与第6部分区域之间。
-
公开(公告)号：CN104465935B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410602442.3
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
-
公开(公告)号：CN103311393B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210558342.6
申请日：2012-12-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/205 , B82Y20/00 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/365 , H01L29/7783 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Alx1Ga1-x1N(0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
113
records
(took 0.022 seconds)
