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公开(公告)号：CN110383964B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201780087923.7
申请日：2017-12-11
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 电磁波吸收体(1a)具备：作为电介质层或磁性体层的第一层(10a)、和设置于第一层(10a)的至少单侧的导电层(20a)。将电磁波吸收体(1a)在温度85℃及相对湿度85％的环境中暴露1000小时后，导电层(20a)具有100Ω/□以下的薄层电阻。电磁波吸收体(1a)具有7000MPa·mm4以下的弯曲刚度。
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公开(公告)号：CN111557129A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201880084168.1
申请日：2018-12-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 电磁波吸收体(1a)具备电阻层(10)、导电层(20)和电介质层(30)。导电层(20)具有比电阻层(10)的薄层电阻更低的薄层电阻。电介质层(30)配置于电阻层(10)与导电层(20)之间。电磁波吸收体(1a)具有第一狭缝(15)。第一狭缝(15)在电阻层(10)中从相对于电介质层(30)处于远端的第一主表面(10a)沿与第一主表面(10a)垂直的方向朝向电介质层(30)延伸，并且将电阻层(10)划分成多个第一区块(17)。第一区块(17)在第一主表面(10a)中的最小尺寸(D1)为2mm以上。
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公开(公告)号：CN110999533A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050702.7
申请日：2018-08-03
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 加热器用构件(1a)具备支撑体(10)、发热体(20)、以及至少一对供电用电极(30)。支撑体(10)为由有机高分子形成的片状。发热体(20)与支撑体(10)的一个主表面接触，由含有铟氧化物作为主成分的多晶体形成。供电用电极(30)与发热体(20)的一个主表面接触。发热体(20)具有10～150Ω/□的范围内的薄层电阻。发热体(20)的厚度超过20nm且为200nm以下。通过X射线应力测定法测定的发热体(20)的内部应力为500MPa以下。
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公开(公告)号：CN110999532A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050701.2
申请日：2018-08-03
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 加热器(1a)具备由有机高分子形成的片状的支撑体(10)、发热体(20)、以及与发热体(20)接触的一对供电用电极(30)。发热体(20)为由含有铟氧化物作为主成分的多晶体形成的透明导电膜。加热器(1a)中，发热体(20)具有1.4×10-4Ω·cm～3×10-4Ω·cm的电阻率。发热体(20)的厚度超过20nm且为100nm以下。
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公开(公告)号：CN110809914A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201880039218.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 电磁波吸收体(1a)具备第1层(10)和导电层(20)。第1层(10)为电介质层或磁性体层。导电层(20)设置在第1层的至少一侧。第1层(10)的杨氏模量与第1层(10)的厚度的乘积为0.1～1000MPa·mm。第1层(10)的相对介电常数为1～10。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110771274A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880039478.1
申请日：2018-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)和导电层(30)。电阻层(20)设置在电介质层(10)的一个主表面上。导电层(30)设置在电介质层(10)的另一个主表面上，具有比电阻层(20)的薄层电阻更低的薄层电阻。电阻层(20)是含有氧化锡或氧化钛作为主要成分的层，或者，电阻层(20)是由含有40重量％以上的氧化锡的氧化铟锡形成的层。
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公开(公告)号：CN110771273A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880039281.8
申请日：2018-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)、和导电层(30)。电阻层(20)配置于电介质层(10)的一个主面。导电层(30)配置于电介质层(10)的另一主面、具有比电阻层(20)的薄层电阻低的薄层电阻。电阻层(20)包含铟氧化物作为主成分并且具有多晶结构、具有260～500Ω/□的薄层电阻及5×10-4Ω·cm以上的电阻率。
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公开(公告)号：CN110741744A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201880039425.X
申请日：2018-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H05K9/00 , B32B15/082 , B32B15/20 , B32B9/04 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/36 , B32B7/025 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B33/00
Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)和导电层(30)。电阻层(20)设置在电介质层(10)的一个主表面上。导电层(30)设置在电介质层(10)的另一个主表面上，具有比电阻层(20)的薄层电阻更低的薄层电阻。电阻层(20)具有200～600Ω/□的薄层电阻。在对电阻层(20)进行将电阻层(20)在5重量％的NaOH水溶液中浸渍5分钟的浸渍处理的情况下，浸渍处理前的电阻层(20)的薄层电阻与浸渍处理后的电阻层(20)的薄层电阻之差的绝对值小于100Ω/□。
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公开(公告)号：CN105637111A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201580002175.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/02 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/40 , B32B27/42 , B32B2250/02 , B32B2250/03 , B32B2307/202 , B32B2307/204 , B32B2307/412 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/706 , B32B2307/732 , B32B2457/208 , C23C14/02 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/562 , C23C14/5806 , G06F3/044
Abstract: 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。
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公开(公告)号：CN105452520A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201580001267.5
申请日：2015-03-11
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , B32B7/02 , C23C14/086 , C23C14/10 , G06F3/041 , H01B3/10 , H01B3/301 , H01B3/305 , H01B3/306 , H01B3/307 , H01B3/38 , H01B3/423 , H01B3/426 , H01B3/427 , H01B3/442 , H01B3/447 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。
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