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公开(公告)号：CN114459670B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210380028.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计,其包括：壳体，所述壳体具有一容置腔；弹性膜片，所述弹性膜片将所述容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，所述连接口与所述测量室连通；固定基板，所述固定基板设在所述参考腔中，所述固定基板与所述弹性膜片平行，且在靠近所述弹性膜片一侧设有固定电极；感应膜片，所述感应膜片平行地设置在所述固定电极和所述弹性膜片之间，并通过支架与所述弹性膜片连接；所述支架可在所述弹性膜片变形时带动所述感应膜片靠近或远离所述固定电极移动；从而有效提高电容薄膜真空计的精确度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN114323363B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210251301.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于压力传感器技术领域，公开了一种电容式真空压力传感器，包括具有容置腔的壳体，还包括感压膜片及固定电极，感压膜片与固定电极均为圆筒形状，感压膜片设置在容置腔内，感压膜片的两端分别连接容置腔的顶部和底部，感压膜片将容置腔分为测量腔及参考腔，固定电极设置在参考腔内，固定电极与感压膜片组成可变电容器。本申请的电容式真空压力传感器将感压膜片和固定电极均设计为圆筒形状，与现有技术中同等体积的电容薄膜真空计相比，基础电容值得到增大，有效提高了电容式真空压力传感器的灵敏度和精度，降低了电容信号的处理难度。
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公开(公告)号：CN114544065A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210422504.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了电容薄膜规、压力测量方法、系统、电子设备及存储介质，应用在压力测量系统中，压力测量系统包括膜片、陶瓷基体、固定电极和多个第一测量电极，固定电极用于根据其与膜片的距离生成第一测量电容信息，第一测量电极圆周阵列在固定电极外侧，多个第一测量电极分别用于根据其与膜片的距离生成对应的第二测量电容信息，压力测量方法包括以下步骤：获取第一测量电容信息和第二测量电容信息；根据不同位置的第一测量电极生成的第二测量电容信息检测膜片形变是否均匀，并根据第一测量电容信息和若干个第二测量电容信息计算压力值；该方法能够实现自适应校正测量被测气体的压力值。
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公开(公告)号：CN114459670A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210380028.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计,其包括：壳体，所述壳体具有一容置腔；弹性膜片，所述弹性膜片将所述容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，所述连接口与所述测量室连通；固定基板，所述固定基板设在所述参考腔中，所述固定基板与所述弹性膜片平行，且在靠近所述弹性膜片一侧设有固定电极；感应膜片，所述感应膜片平行地设置在所述固定电极和所述弹性膜片之间，并通过支架与所述弹性膜片连接；所述支架可在所述弹性膜片变形时带动所述感应膜片靠近或远离所述固定电极移动；从而有效提高电容薄膜真空计的精确度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN114323363A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210251301.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于压力传感器技术领域，公开了一种电容式真空压力传感器，包括具有容置腔的壳体，还包括感压膜片及固定电极，感压膜片与固定电极均为圆筒形状，感压膜片设置在容置腔内，感压膜片的两端分别连接容置腔的顶部和底部，感压膜片将容置腔分为测量腔及参考腔，固定电极设置在参考腔内，固定电极与感压膜片组成可变电容器。本申请的电容式真空压力传感器将感压膜片和固定电极均设计为圆筒形状，与现有技术中同等体积的电容薄膜真空计相比，基础电容值得到增大，有效提高了电容式真空压力传感器的灵敏度和精度，降低了电容信号的处理难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111074342B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201911379924.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，包括步骤：A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；B.把石墨载盘升温至第一预设温度，保持外延生长室压力为第一预设压力，以氢气为载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托；C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度，该第二预设温度为600℃～800℃；D.重复预设次数的步骤B、C；E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，继续降温至室温；F.取出石墨载盘。该方法可降低涂层的制备成本并提高石墨载盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111166160A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911382858.8
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种新型加热与自降温烹饪器具，第一热电制冷电偶的热端面与内胆的底部外表面和外侧壁贴合，第二热电制冷电偶的冷端面与外胆的底部外表面贴合，在底座和外胆底部外表面之间的间隙中设置有PCB板；通过将第一热电制冷电偶的热端面与内胆的底部外表面和外侧壁贴合，第一热电制冷电偶通电后，第一热电制冷电偶的热端面即开始放热，加热内胆；通过将第二热电制冷电偶的冷端面与外胆的底部外表面贴合，第二热电制冷电偶通电后，第二热电制冷电偶的冷端即开始吸热，降低底座和外胆底部外表面之间的间隙温度，对PCB板实现降温；这样，即加快了烹饪器具的加热速度，同时又能对PCB板实现降温，避免电气元件温升超标。
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公开(公告)号：CN119255467A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411519066.1
申请日：2024-10-29
Applicant: 季华实验室
IPC: H05H1/46
Abstract: 本申请属于等离子产成设备技术领域，公开了一种远程等离子源腔体，包括环形真空腔、进气口、出气口、磁芯组件和点火线圈；所述环形真空腔包括多个依次首尾连接形成闭环流道的直线腔道，至少一个所述直线腔道上缠绕有所述磁芯组件，所述进气口和所述出气口分别连接在两个不同的所述直线腔道上；任意相邻的两个所述直线腔道的连接处均设置有调节电极对，所述调节电极对用于产生偏转电场，以驱使气流中的带电粒子转向以避免所述带电粒子与所述环形真空腔的周向侧壁接触；能够延长腔体使用寿命、提高等离子体纯度、改善等离子体均匀性和稳定性。
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公开(公告)号：CN115637490B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202211378289.1
申请日：2022-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉，其中，制作方法包括步骤：S1、准备石墨材质的芯轴组件；S2、在芯轴组件外周外延沉积生成第一热解氮化硼层；S3、在第一热解氮化硼层外周折弯缠绕加热丝，使加热丝紧贴固定在第一热解氮化硼层表面；S4、在第一热解氮化硼层外周外延沉积生成第二热解氮化硼层，第二热解氮化硼层完全覆盖加热丝；S5、氧化消除芯轴组件；该制作方法在无需增加额外工艺手段的前提下能制作出结构简单、制作成本低、制作效率高、热效率高、热场分布均匀且保温效果出众的集成式分子束外延坩埚。
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公开(公告)号：CN118565697B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411014423.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于半导体加工的技术领域，公开了一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该电容薄膜真空计传感器包括：核心陶瓷元件、密封腔体、压紧元件和顶盖组件，核心陶瓷元件包括从上到下依次叠置的下表面中部镀有上陶瓷片导电层的上陶瓷片、间隙垫圈和上表面中部镀有下陶瓷膜片导电层的下陶瓷膜片，下陶瓷膜片导电层和上陶瓷片导电层设置在间隙垫圈中间，且间隙垫圈的厚度大于下陶瓷膜片导电层和上陶瓷片导电层的厚度之和；密封腔体内壁设置有螺纹，螺纹与压紧元件对应；通过在密封腔体内部设置核心陶瓷元件和压紧元件，并在密封腔体顶部焊接顶盖组件，制作得到电容薄膜真空计传感器，提高了电容薄膜真空计传感器的使用效率。
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