公开(公告)号：CN101346820A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680048843.2

申请日：2006-12-20

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  渡边一史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 为了使CMOS电路中的上升及下降工作速度相同，因其载流子迁移率不同，就需要使p型MOS晶体管和n型MOS晶体管的面积不同。因其面积的不均衡而妨碍了提高半导体器件的集成度。采取在(100)面及(110)面双方具备沟道区的三维结构来构成NMOS晶体管和PMOS晶体管，以使两晶体管的沟道区及栅绝缘膜的面积彼此相等。由此，在使栅绝缘膜等的面积彼此相等的同时，能够使栅电容也相等。并且与现有技术相比能够将基板上的集成度提高到2倍。

公开(公告)号：CN101322240A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045389.5

申请日：2006-11-30

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，为了使构成CMOS电路的p型MOS晶体管和n型MOS晶体管的动作速度实质上相同，对n型MOS晶体管采取在(100)面和(110)面双方都具有沟道区域的三维构造，对p型MOS晶体管采取仅在(110)面上具有沟道区域的平面构造。进而构成为使两个晶体管的沟道区域和栅极绝缘膜面积相等。由此，可以使栅极绝缘膜等的面积相等，并且，也可以使栅极容量相等。

公开(公告)号：CN110352474B

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN201780086342.1

申请日：2017-02-14

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 西村真一 ,  渡边谦资 ,  山田义人 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  志波良信

IPC: H01L21/318

Abstract: 本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且，本发明的氮化膜成膜方法包括：介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a)；从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(25)将氮自由基气体(7)供给至处理室(10)内的步骤(b)；和在不使处理室(10)内产生等离子体现象的情况下，使上述步骤(a)中供给的硅烷系气体与上述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应，在晶片(1)上形成氮化膜的步骤(c)。

公开(公告)号：CN103456836A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310351564.5

申请日：2009-02-10

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 若山惠英 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02167 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，准备具有导电性表面的基材；对该导电性表面实施物理清洗，接着依次实施与超声波清洗合并进行的碱清洗、与超声波清洗合并进行的纯净水清洗以及与超声波清洗合并进行的臭氧水清洗，由此清洗该导电性表面；随后在该清洗过的导电性表面上直接设置n型、i型、p型结构的半导体薄膜；接着，在p型结构的半导体薄膜的外表面设置透明电极之后，利用氮化物系的水分扩散防止膜覆盖所述半导体薄膜的光入射侧和侧面。

公开(公告)号：CN102124550B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200980130051.3

申请日：2009-07-08

Applicant: 株式会社新川 ,  国立大学法人东北大学 ,  株式会社爱发科

Inventor： 前田徹 ,  谷川徹郎 ,  寺本章伸 ,  小田正明

IPC: H01L21/60 ,  B22F1/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: B22F1/0062 ,  B22F2999/00 ,  H01L21/4867 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/13399 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  B22F1/0018 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在将由分散剂(102)涂布表面的金属纳米粒子(101)混合到有机溶剂(105)中前或混合后，将氧作为氧纳米气泡(125)或氧气泡(121)注入有机溶剂(105)中，通过加压烧结制造用于接合半导体芯片的电极和线路板的电极以及/或半导体芯片的电极和另一半导体芯片的电极的金属纳米油墨(100)。将该金属纳米油墨(100)的微液滴射出到电极上，在半导体芯片的的电极和线路板的电极上形成凸块，使得半导体芯片反转，对位叠合在线路板上后，对各电极间的凸块加压并加热，加压烧结凸块的金属纳米粒子。由此，抑制加压烧结时产生空隙。

公开(公告)号：CN101218375B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200680025075.9

申请日：2006-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本陶瓷科技股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森永均 ,  岸幸男 ,  大泷浩通 ,  传井美史

IPC: C23C26/00 ,  C23C16/40 ,  B08B3/12 ,  C23C28/04 ,  C23C14/08 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12 ,  B08B2203/0288 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C16/405 ,  C23C16/545 ,  C23C26/00 ,  C23C28/04 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/252

Abstract: 现在，迅速且经济性地提供大型的陶瓷构件处于困难的状况。通过在比较容易制作的材料上形成的基材上形成陶瓷膜，构成多层构造体。陶瓷膜可以通过等离子体熔射、CVD、PVD或者溶胶-凝胶法等方法制成，另外也可以通过与熔射膜组合的方法进行成膜。

公开(公告)号：CN101147264B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200580049186.9

申请日：2005-07-04

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L29/78 ,  G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: G01R31/275 ,  G01R31/2884

Abstract: 一种测试电路，包括：多个被测量晶体管，电性地并联设置；选择部，依次选择各个被测量晶体管；以及输出部，依次输出选择部所依次选择的被测量晶体管的源极电压。

公开(公告)号：CN101258453B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200580051556.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 爱德万测试株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 冈安俊幸 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: G05B19/418

CPC classification number: G05B19/41875 ,  G05B2219/32221 ,  G05B2219/45031 ,  H01L22/20 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P90/22 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种通过多个生产工序生产电子器件的生产系统，具有：生产线，其配备有对相对多个生产工序进行处理的生产装置，生产晶片，电子器件；生产控制部，其通过生产线制造包括含多个被测定晶体管的测试电路的晶片；测定部，其测定测试电路中含有的多个被测定晶体管各自的电特性；确定部，其根据电特性不满足预定基准的被测定晶体管在前述晶片上的分布，确定多个生产工序中产生不良的生产工序；设定变更部，其变更生产装置的处理条件，该生产装置实施与产生前述不良的生产工序对应的处理。

公开(公告)号：CN102027582A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980116946.1

申请日：2009-04-17

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  田中宏明 ,  矶贝达典

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575

Abstract: 包括：向应为半导体装置的p型或n型接触区域的Si层部分离子注入p型或n型的杂质的工序；和离子注入工序后，不进行使注入的离子活性化的热处理，在所述接触区域表面形成接触用的金属膜的工序；和通过加热使所述金属膜的金属与所述Si层部分反应，形成所述金属的硅化物的工序。另外，最好同时进行形成所述硅化物的工序和通过所述金属膜形成后的热处理使所述注入的离子活性化的工序。

公开(公告)号：CN102007578A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113209.6

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  斯特拉化工公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  长谷部类 ,  宫下雅之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/0206 ,  Y10S438/906

Abstract: 在半导体基板等的清洗中，需要进行至少由5个工序构成的清洗。本发明提供一种清洗方法，其包括：利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、利用含有表面活性剂的超纯水进行清洗的第二工序、以及利用含有超纯水和2-丙醇的清洗液除去来源于表面活性剂的有机物的第三工序。第三工序后，照射氪气等稀有气体的等离子体，将来源于表面活性剂的有机物进一步除去。