公开(公告)号：CN110473928A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910685026.7

申请日：2019-07-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  冯波 ,  陆冰睿 ,  朱静远 ,  刘飞飞 ,  周磊

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体一种多通道全硅基红外光热电探测器及其制作方法。探测器结构包括：一顶层为n型掺杂的SOI衬底；一平行分布的硅纳米线阵列制备于SOI衬底的氧化硅层之上、顶层硅之中；一个二维超表面构筑并集成在硅纳米线阵列之中，该超表面由纳米尺度的金属天线组成；一对覆盖在硅纳米线列阵两端顶部对延伸电极。该探测器的探测波段不受传统探测器的半导体材料带间直接或间接跃迁的限制，能够覆盖整个1-3μm波段。本发明解决了全硅材料不能工作在波长大于1.1μm红外波段的难题，实现与硅基CCD器件或CMOS读出电路完全兼容和集成，可以发展成多通道、高分辨、大面积焦平面像素列阵的红外光电芯片，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN105047548B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201510322328.X

申请日：2015-06-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  邵金海 ,  陆冰睿

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子元器件技术领域，具体为一种电子束曝光制备10 纳米T型栅的方法。本发明采用电子束套刻曝光和反应离子刻蚀相结合的工艺，其步骤包括在器件衬底外延层表面旋涂电子束光刻胶，用电子束曝光设计版图，蒸发金属剥离后反应离子刻蚀形成台面，在刻蚀好台面的样品上再次旋涂电子束光刻胶，利用电子束精密套刻技术形成T型形貌，再蒸发金属后剥离形成T型金属电极，从而利用电子束套刻在器件源漏之间制备10纳米T型栅。本发明方法不仅能够显著降低T型栅的脚部尺寸，还能制备头部很宽的T型栅，降低器件的栅电阻和提高器件的截止频率，在制作镓氮基和铟磷基高电子迁移率晶体管的工艺中具有重要意义。

公开(公告)号：CN106876421A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710033236.9

申请日：2017-01-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  邵金海 ,  邓嘉男 ,  陆冰睿 ,  陈宜方

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于动态耦合效应的半导体光电传感器及其制备方法。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏区域为金属‑半导体的肖特基接触，无须任何掺杂；沟道为不掺杂或者低掺杂；正栅极覆盖沟道的部分区域且一般在沟道中间，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理基于绝缘层上硅的动态耦合效应，背栅施加电压后会在沟道的背面形成导电的高载流子层；此时，正栅极在瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应产生深度耗尽，夹断背部的导电层；而光产生的载流子在正栅极下的沟道处聚集，从而隔绝正栅极对于背部导电沟道的耗尽，使得器件能被光触发而导通。相较于普通的光电反偏二极管，此器件具有工作电流高和易于组成传感阵列等优点。

公开(公告)号：CN105789044A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610163339.2

申请日：2016-03-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  徐晨 ,  陆冰睿

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3247

Abstract: 本发明属于微电子器件表面处理技术领域，具体为一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法。本发明利用高功率热源迅速提升样品表面温度，样品另一侧用恒温平台控制在室温；由于样品衬底位导热率极其高的硅片，温度梯度主要集中在几百纳米到几微米的光刻胶内，从而形成一个很大的温度梯度，使只有样品表面很薄的一层超过玻璃化温度，这一部分发生融化、回流现象，减小了粗糙度，而样品整体形貌则并没有发生改变。该方法简便、有效、兼容性好、适用度广，对于在某一特定温度能够熔融的几乎所有材料都有很好的效果。

公开(公告)号：CN105047548A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510322328.X

申请日：2015-06-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  邵金海 ,  陆冰睿

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28079

Abstract: 本发明属于微电子元器件技术领域，具体为一种电子束曝光制备10纳米T型栅的方法。本发明采用电子束套刻曝光和反应离子刻蚀相结合的工艺，其步骤包括在器件衬底外延层表面旋涂电子束光刻胶，用电子束曝光设计版图，蒸发金属剥离后反应离子刻蚀形成台面，在刻蚀好台面的样品上再次旋涂电子束光刻胶，利用电子束精密套刻技术形成T型形貌，再蒸发金属后剥离形成T型金属电极，从而利用电子束套刻在器件源漏之间制备10纳米T型栅。本发明方法不仅能够显著降低T型栅的脚部尺寸，还能制备头部很宽的T型栅，降低器件的栅电阻和提高器件的截止频率，在制作镓氮基和铟磷基高电子迁移率晶体管的工艺中具有重要意义。

公开(公告)号：CN105000531A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510322327.5

申请日：2015-06-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  徐晨

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种利用灰度曝光生成微纳尺寸微型照片的方法。本发明步骤包括：首先利用Beamer软件形成曝光文件，而后在硅片表面旋涂上一层光刻胶，利用电子束光刻，经过显影后得到微纳尺寸的微型照片。本发明利用电子束光刻曝光光刻胶，显影后不同厚度光刻胶具有不同的黑白灰度，从而生成微纳尺寸的微型照片。本发明方法对微纳图形结构的形貌可控，生成的微型照片具有纳米级别的分辨率，并可实现大面积制造。

公开(公告)号：CN104934301A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510329522.0

申请日：2015-06-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  李俊洁 ,  刘建朋 ,  陆冰睿 ,  邵金海

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种使用电子束光刻、stencil、光学光刻制作石墨烯纳米器件的方法。其步骤包括：在100-300nm氮化硅隔膜上旋涂300-600nm的PMMA作为掩膜，用电子束光刻直写出100-200nm宽，200-500nm周期的叉指电极，再用RIE刻蚀100-300nm氮化硅隔膜，得到stencil；用stencil作为掩膜板，用热蒸发把100nm金蒸发到以硅为衬底的石墨烯上；然后用光学光刻定义出pads区域，再用热蒸发蒸发金，最后用lift off。本发明所需的图形化工艺条件，需要电子束光刻机、RIE、光学光刻机、SEM、热蒸发等，利用这些工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出非损伤石墨烯纳米器件。

公开(公告)号：CN104914073A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510374985.9

申请日：2015-07-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  马亚琪 ,  陆冰睿 ,  刘建朋 ,  张思超

IPC: G01N21/552

Abstract: 本发明属于纳米加工技术领域，具体为一种亚波长金柱阵列局域表面等离子体共振气液传感器及其制备方法。本发明利用电子束光刻在电子束光刻胶上形成亚波长周期性的圆孔阵列，进而利用该结构作为支架结合微电镀的方法生长金立柱，在剥离工艺之后形成严格周期性且直径可调节的极高的亚波长金柱阵列。本发明纳米金立柱柱体顶部及侧壁表面产生的复合局域电磁场增强而对入射光的波长选择性吸收和反射形成的局域表面等离子体共振光谱中吸收峰的位移来实现快速精确的检测周围环境介质的折射率。这种传感器具有对环境折射率灵敏度高，比表面积大，高度直径可调节，且易于制备，尺寸小，可适用于气液环境检测。

公开(公告)号：CN104465337A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410729054.1

申请日：2014-12-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  邹佳霖 ,  邵金海 ,  陆冰睿

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/0337 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0334

Abstract: 本发明属于半导体纳米工艺技术领域，具体为一种使用双层胶制作金属纳米狭缝的方法。其步骤包括：在半导体衬底上旋涂上PMMA正胶光刻胶，再旋涂上NEB负胶光刻胶，接着光刻出线条，对NEB光刻胶显影成像，定义出狭缝的位置，然后进行刻蚀工艺，对PMMA光刻胶刻蚀到衬底的表面，在刻蚀掉的部份淀积金属，完成后进行最后一部剥离工艺，形成金属纳米狭缝的结构。本发明方法准确性高，可靠性高，重复性好；能达到更低的线宽，在蒸发金属和剥离工艺后，能达到10纳米的金属狭缝；使用本发明具有很高的效率和产率；在纳米光学结构制备中有着广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN104409343A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410729053.7

申请日：2014-12-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  刘建朋 ,  陆冰睿

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 本发明属于器件工艺制备技术领域，具体为一种具有光学边缘的氮化硅隔膜的制备方法。本发明步骤包括：在 晶向的硅片上淀积低应力的氮化硅薄膜，利用光刻技术制备出光刻的图形，然后利用RIE刻蚀要去掉的氮化硅薄膜，最后利用KOH和乙醇的混合液进行腐蚀，得到边缘具有光学平整度的氮化硅隔膜。本发明工艺条件稳定、可控制，制备的图形一致性好。