抗单粒子反转的差分10管存储单元

    公开(公告)号:CN104409093A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410742432.X

    申请日:2014-12-09

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域,具体为一种抗单粒子反转的差分10管存储单元。其单元结构包括两对交叉耦合的PMOS对、两对交叉耦合的NMOS对及一对NMOS传输管,并且含有4个互锁的存储结点。其中,第一和第二个存储结点通过第一对交叉耦合的PMOS对互锁;第一和第三个存储结点通过第一对交叉耦合的NMOS对互锁;第二和第四个存储结点通过第二对交叉耦合的NMOS对互锁;第三和第四个存储结点通过第二对交叉耦合的PMOS对互锁;当存储单元受到单粒子事件干扰时,互锁的存储结点能够有效的抗击单粒子干扰,保护存储的数据不被反转。本发明和6管存储单元一样,有着同样的差分读、写操作方式,却消除了6管存储单元常发生的读破坏和半选择破坏。

    一种应用于两步式积分型模数转换器的斜坡转换电路

    公开(公告)号:CN103746694A

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201410014952.9

    申请日:2014-01-14

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于半导体和集成电路技术领域,具体为一种应用于两步式积分型模数转换器的斜坡转换电路。本发明的斜坡转换电路包括一个运算放大器、一对的采样电容、一对寄生平衡电容和六个开关。在第一步高位模数转换时,输入斜坡信号直接输出,同时被运算放大器和第一个采样电容采样和保持;在第二步低位模数转换时,输入斜坡信号输入到运算放大器正输入端,运算放大器将其正输入端的电压变化以增益为一的方式传递到第二个采样电容的浮空极板,并在此与第一步的保持电压进行叠加,作为斜坡转换电路的输出。本发明可以有效消除该类型模数转换器电压变化的传递过程中由寄生电容引起的增益误差,提高精度和速度。

    一种多端口寄存器堆存储单元及其布局布线方法

    公开(公告)号:CN102385908A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN201110261855.6

    申请日:2011-09-06

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于集成电路存储单元设计技术领域,具体为一种多端口寄存器堆存储单元及其布局布线方法。耦合的反相器采用六管结构,读位线和耦合的反相器之间采用NMOS管隔离,以防止读破坏。内部连线和VSS全部采用金属层1(M1),有效的减小了布线层数。通过写字线使用金属层2(M2),读字线使用金属层4(M4)布线,可以有效减少字线之间的耦合电容,并且减弱了由于字线数目增多造成的单元面积增大。VDD采用M2进行水平方向布线,位线使用金属层3(M3)进行垂直方向布线。

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