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公开(公告)号：CN102593064B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210061480.3
申请日：2012-03-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/8254
CPC classification number: H01L21/8258 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法。本发明采用低温工艺制备栅控二极管半导体存储器器件，工艺过程简单、制造成本低，而且所制造的栅控二极管存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点。本发明所提出的栅控二极管半导体存储器器件的制造方法特别适用于平板显示、浮栅存储器以及基于柔性衬底的存储器器件的制造中。
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公开(公告)号：CN103490009A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310449101.2
申请日：2013-09-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于氧化石墨烯的柔性阻变存储器及其制备方法。本发明包括透明的柔性衬底和衬底上的三层结构器件单元，器件单元的底层为柔性透明电极，最上层电极可以采用金属或者其他电极，中间功能层是氧化石墨烯薄膜。实验证明氧化石墨烯具有良好的阻变特性，可以在室温下进行旋涂形成阻变存储器的功能层，避免了生长其他功能层材料所需要的高温工艺，得到的柔性阻变存储器可以应用于柔性电子器件中。
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公开(公告)号：CN103361328A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210091063.3
申请日：2012-03-30
Applicant: 复旦大学
IPC: C12N9/22 , C12N15/55 , C12N15/63 , C12N5/10 , C12N1/15 , C12N1/19 , C12N1/21 , C12N15/11 , A61K38/46 , A61K48/00 , A61P31/18
Abstract: 本发明涉及介导整合的HIV-1前病毒基因敲除的锌指核酸内切酶及其制法和应用。本发明提供了一种在HIV病毒各亚型中高度保守的、可供锌指核酸内切酶特异性识别的靶序列。本发明还提供了特异性识别所述靶序列并专一性切割靶序列相应位点的一对锌指核酸内切酶。试验表明，本发明的锌指核酸酶可高效专一地清除整合于宿主基因组内的HIV-1前病毒，可用于HIV的基因治疗。
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公开(公告)号：CN103219377A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310098164.8
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种实现源漏栅非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极、漏极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后直接通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103208518A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310098165.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103137706A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310063841.2
申请日：2013-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件结构领域，具体涉及一种基于应变硅技术的深耗尽沟道晶体管及其制备方法。应变硅技术是通过利用硅和锗之间4.2%的晶格差异来发挥作用，能大幅提高空穴和电子迁移率，并增强跨导和驱动电流，可以提高整个硅基CMOS集成电路的速度和集成度，以满足高速、高性能电路的要求。深耗尽沟道能够有效减小随机杂质波动（RDF），从而能够有效降低阈值电压波动、工作电压和功耗。本发明通过引入应变硅技术和深耗尽沟道，能够有效降低阈值电压波动、工作电压和功耗并大大提高整个晶体管的速度和集成度。
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公开(公告)号：CN102185003B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110094530.3
申请日：2011-04-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , G02B6/42 , G02B6/4214 , H01L27/2454 , H01L27/304 , H01L31/02327 , H01L31/113 , H01L31/1136 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于光互连技术领域，具体涉及一种由隧穿场效应晶体管（TFET）组成的光探测器。本发明将隧穿场效应晶体管和光纤整合在一起，采用垂直沟道的隧穿场效应晶体管作为探测器来对光进行检测，所需偏压低，降低了能耗，并且提高了光探测器的输出电流和灵敏度。同时，本发明还公开了一种采用自对准工艺来制造由隧穿场效应晶体管组成的光探测器的方法，使得制程更加稳定，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN101764087B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010023060.7
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种铜与低介电常数材料集成的方法，该方法包括：采用湿法刻蚀并用光照射促进电化学刻蚀的技术将铜刻蚀，然后在铜上填充低介电常数介质，形成铜与low-k介质的互连。由于光的各向异性特性，本发明可以实现铜和其它多种金属的各向异性刻蚀，同时由于是在刻蚀铜后再进行low-k介质的填充，这也就解决了集成电路铜互连中的low-k材料的刻蚀问题和介质中的孔洞带来的问题。
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公开(公告)号：CN102881677A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210356083.9
申请日：2012-09-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于铜互连的新型合金抗铜扩散阻挡层及其制造方法。本发明使用原子层淀积工艺生长合金薄膜，所得到的合金抗铜扩散阻挡层的一致性和致密性好，可以有效阻止铜在介质中的扩散，而且合金与铜的粘附性好，不需要生长一层籽晶铜就可以直接电镀金属铜，工艺简单可行，有望在未来铜互连的抗铜扩散阻挡层的制造中得到应用。
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公开(公告)号：CN102856251A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210356515.6
申请日：2012-09-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于集成电路互连介质的处理领域，具体涉及一种低介电常数介质表面去羟基化的方法。本发明使用含有三甲基硅基基团的有机物携氢气载气对低介电常数介质表面进行处理，通过化学反应去除低介电常数介质表面的大多数极性羟基基团，并使之替代为无极性的三甲基硅基基团或者三甲基硅氧基基团，可以降低低介电常数介质的介电常数，使得整个电路的RC延迟下降。本发明所提出的低介电常数介质表面的去羟基化工艺与传统互连工艺之间具有很高的兼容性，并且可以使得互连当中的低介电常数介质不易吸水，延长芯片的使用寿命。
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