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公开(公告)号：CN106876368A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710064235.0
申请日：2017-02-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体场效应管技术领域，具体为一种的半导体场效应正反馈馈器件。本发明器件建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的阴极和阳极为反型重掺杂，即一方为p+型而另一方为n+型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。临近沟道的是被栅极侧墙所覆盖的低掺杂区域。与一般的场效应正反馈器件相比，如Z2‑FET，本发明提出的器件结构具有对称性，可使用完全自对准的工艺，与MOSFET的工艺完全兼容。此器件不但保留了场效应正反馈器件的低亚阈摆幅和栅控回滞输出特性，可广泛应用于开关，存储器和静电保护等，而且工艺成本更低，工艺难度更小。
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公开(公告)号：CN101618852A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910056142.9
申请日：2009-08-07
Applicant: 复旦大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于纳米压印技术的图形化生长氧化锌纳米棒阵列的方法。本发明首先利用纳米压印技术在透明衬底上制作出图形化的金属和氧化锌籽晶层构成的双层结构，然后旋涂紫外负光刻胶并利用背光刻技术做出纳米孔洞，然后运用水热法生长出受纳米孔洞限制而垂直生长的氧化锌纳米棒。与常用的利用阳极氧化铝模板和光刻方法生长图形化氧化锌纳米棒的方法相比，本发明方法制备的氧化锌纳米棒阵列具有图形可控性好，分辨率高，大面积均匀性佳等优点。
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公开(公告)号：CN101181836A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710172171.2
申请日：2007-12-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印用模板的方法。本发明采用三层结构压印板的压印方法，压印板上层为SU8胶，经过压印之后SU8可以作为刻蚀掩模对中间层进行选择性刻蚀，中间层采用的是一种对下层具有很强刻蚀选择比的物质，下层采用的是一种易于被氧气反应离子刻蚀去除的且容易进行剥离的胶如PMMA。经过刻蚀，淀积金属以及剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，去除掉残余的金属后即得到复制的模板，本发明方法速度快，成本低，图形转移质量好。
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公开(公告)号：CN114242792B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202111540190.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于体硅的柱状型半导体场效应正反馈晶体管。本发明的场效应正反馈晶体管，其阴阳极为反型重掺杂，即一方为p+型而另一方为n+型掺杂，中间是硅的沟道为本征/弱型掺杂，外面被栅氧化层和栅极一层一层包裹住构成一个环栅结构；从而得到垂直结构的沟道以及栅氧化层。与传统的场效应正反馈器件如Z2‑FET相比，本发明将平面型栅氧化层更改为垂直柱状型结构，增大栅氧化层电容，延长数据存储时间提升可靠性；与普通的体硅CMOS工艺和器件结构兼容；引入关键的垂直型栅氧化层结构，其类环栅的金属栅极可以四面八方控制中间沟道，抑制了短沟道效应，可应用于高性能动态存储器DRAM。
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公开(公告)号：CN118039724A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211426258.9
申请日：2022-11-14
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本申请实施例提供一种光电探测器、光接收模块及电子设备。涉及光电转换技术领域。用于抑制暗电流。该光电探测器包括：半导体衬底、掺杂钝化层、第一电极掺杂区和第二电极掺杂区，以及表面钝化层；其中，掺杂钝化层、第一电极掺杂区和第二电极掺杂区形成在半导体衬底的同一表面，掺杂钝化层的掺杂类型和半导体衬底的掺杂类型相同，第一电极掺杂区和第二电极掺杂区之间被掺杂钝化层隔离开，第一电极掺杂区和第二电极掺杂区中的一个为阳极掺杂区，另一个为阴极掺杂区；表面钝化层堆叠在掺杂钝化层上。这样，通过掺杂钝化层和表面钝化层的相配合，可以抑制表面漏电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117995836A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211351084.4
申请日：2022-10-31
IPC: H01L27/06 , H01L21/8234 , H04B10/69
Abstract: 本申请实施例提供一种光电探测器、光接收模块及电子设备。涉及光电转换技术领域。用于拥有较高的量子效率和灵敏度、较高的响应度，以及低功耗。该光电探测器包括体硅和绝缘层上硅的混合衬底，并将晶体管形成在绝缘层上硅衬底上，将第一光电二极管和第二光电二极管形成在体硅衬底上，以及，光电二极管的第一电极掺杂区与晶体管的栅极电连接，晶体管的背栅不仅作为晶体管的栅极，还与体硅形成PN结，这样，不仅增强对入射光的吸收，获得较高的量子效率和灵敏度，还可以提高光电响应度，降低漏电流、减小寄生电容，降低功耗。
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公开(公告)号：CN116634764A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310564446.6
申请日：2023-05-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法。本发明存储器件由基于硅衬底的读晶体管与二维材料写晶体管在垂直方向上堆叠而成；其中，通过绝缘层与写晶体管的栅氧化层刻蚀形成上下晶体管互连通道，使写晶体管源/漏极金属与读晶体管栅极金属相连；下方的读晶体管具有与MOSFET的对称物理结构，在栅极以及侧墙的掩蔽作用下，通过与MOSFET的自对准离子注入工艺在沟道上形成掺杂和阴极/阳极掺杂区域。本发明器件具有优异的电学性能，结构紧凑，工艺与传统CMOS兼容，且解决了传统硅基器件漏电过高的问题，可应用于4F2高性能高带宽的3D存储应用领域。
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公开(公告)号：CN113311047A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110490876.9
申请日：2021-05-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种纳米金颗粒修饰的伪MOS生化分子传感器及其制备方法。本发明的伪MOS生化分子传感器包括衬底、氧化埋层、沟道、纳米金颗粒、生物分子或化学分子；衬底、氧化埋层和沟道共同组成伪MOS结构；纳米金颗粒通过电子束蒸发镀膜工艺修饰在伪MOS结构沟道表面，作为伪MOS结构沟道与生化分子或化学分子之间的“linker”，从而更好地固载生化分子，提高生化分子传感器的检测性能。本发明生化分子传感器可用于核酸、蛋白、酶等各种生物分子，以及无机小分子和有机小分子等的灵敏和超灵敏检测。
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公开(公告)号：CN111509040B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010350749.4
申请日：2020-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/70 , H01L29/423 , H01L21/33
Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的单结晶体管，包含绝缘层上硅衬底、第一基区、第二基区、发射区，以及第一基区金属接触、第二基区金属接触、发射区金属接触和背栅金属接触；所述绝缘层上硅衬底进一步包含衬底、氧化埋层和沟道，氧化埋层位于衬底和沟道之间。本发明中绝缘层上硅衬底通过引入绝缘层即氧化埋层将沟道与衬底隔绝，从而降低寄生电容和漏电效应。本发明所述单结晶体管建立绝缘层上硅衬底上，有助于提高器件的工作速度，降低漏电和工艺难度，同时还具有抗辐射、耐高温高压以及拓展单结晶体管功能等优点。
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公开(公告)号：CN112420752A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201910769848.3
申请日：2019-08-20
Applicant: 复旦大学
Inventor： 万景
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体衬底的新型单晶体管像素传感器及制备方法，通过在漏极区域、源极区域、沟道区域和衬底区域引入特殊的掺杂体系，在漏极区域、源极区域施加电压脉冲，提高沟道区域的电势，形成了能够收集光电子的耗尽区域。其优点是：本发明使用单个晶体管完成光电传感、电荷积分、缓冲放大和阵列选通的功能，原位读出光生电子，无需CCD传感器中的转移读出电荷，也无须如CMOS像素传感器中的额外晶体管进行电荷积分、信号放大和选通，具有高量子效率和低功耗等优点，这也大大降低像素单元的复杂度，增大有效传感面积，从而实现高灵敏度，低功耗和高速的图像传感。
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