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公开(公告)号：CN113809074A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110412086.9
申请日：2021-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体结构，包括一个或多个沟道层；接合一个或多个沟道层的栅极结构；连接到一个或多个沟道层的第一侧并与栅极结构相邻的第一源极/漏极部件；设置在第一源极/漏极部件上方的第一电介质帽，其中，第一电介质帽的底表面在栅极结构的顶表面下面；设置在第一源极/漏极部件下方并电连接至第一源极/漏极部件的通孔；设置在通孔下方并电连接至通孔的电源轨。本申请的实施例提供了半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113675195A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110180184.4
申请日：2021-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了包括形成在背侧互连结构中的空气间隔件的半导体器件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一晶体管结构；前侧互连结构，位于第一晶体管结构的前侧上；以及背侧互连结构，位于第一晶体管结构的背侧上，背侧互连结构包括：第一介电层，位于第一晶体管结构的背侧上；第一通孔，延伸穿过第一介电层，第一通孔电耦接至第一晶体管结构的源极/漏极区域；第一导线，电耦接至第一通孔；以及空气间隔件，在平行于第一介电层的背面的方向上与第一导线相邻。
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公开(公告)号：CN113658952A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110534413.8
申请日：2021-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路结构及其制造方法，集成电路结构包含晶体管、前侧内连接结构、背侧介层窗及背侧内连接结构。晶体管包含源极/漏极磊晶结构。前侧内连接结构是在晶体管前侧上。背侧介层窗是连接至晶体管的源极/漏极磊晶结构。背侧内连接结构是连接至背侧介层窗，且背侧内连接结构包括导电特征、介电层及间隙壁结构。导电特征是连接至背侧介层窗。介电层是横向包围导电特征。间隙壁结构是在导电特征及介电层之间，且间隙壁结构具有空气间隙。
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公开(公告)号：CN113555312A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110346525.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提出一种装置结构。装置结构包括半导体纳米结构、外延半导体材料部分、层状堆叠、背侧金属内连线结构以及导电路径。半导体纳米结构与外延半导体材料部分形成于基板的前侧表面上，而平坦化介电层形成其上。形成凹陷空洞以露出第一主动区与外延半导体材料部分。金属盖结构形成于第一主动区上，而牺牲金属材料部分形成于外延半导体材料部分上。非等向蚀刻牺牲金属材料部分与外延半导体材料部分的下方部分以形成连接物通孔空洞，并以硬掩模层掩模金属盖结构。形成连接物通孔结构于连接物通孔空洞中。前侧金属内连线结构形成于连接物通孔结构与金属盖结构上，而背侧通孔结构穿过连接物通孔结构上的基板。
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公开(公告)号：CN113517282A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110315286.2
申请日：2021-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L29/06 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 器件包括器件层，该器件层包括第一晶体管、器件层正面上的第一互连结构和器件层背面上的第二互连结构。第二互连结构包括在器件层背面的第一介电材料、穿过第一介电材料延伸到第一晶体管的第一源极/漏极区的接触件，以及包括通过接触件电连接到第一源极/漏极区的第一导电线的第一导电层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113471170A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110172553.5
申请日：2021-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
Abstract: 描述一种半导体元件。半导体元件包含元件、安置在元件上方的导电结构，并且导电结构包含具有第一部分及第二部分的侧壁。半导体元件进一步包含第三部分及第四部分的第一间隔层，第三部分围绕侧壁的第一部分，并且第四部分安置在导电结构上。半导体元件进一步包含围绕第三部分的第一介电质材料，并且气隙在第一介电质材料与第一间隔层的第三部分之间形成。第一介电质材料包含不同于第一间隔层的第二材料的第一材料，并且第一介电质材料与第一间隔层的第四部分为实质上共面。
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公开(公告)号：CN113394194A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110101498.0
申请日：2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
Abstract: 描述了半导体元件结构。半导体元件结构包含元件、设置在元件之上的第一介电材料，并在第一介电材料中形成开口。半导体元件结构进一步包含被设置在开口中的导电结构，且导电结构包含第一侧壁。半导体元件结构进一步包含被设置在开口中的围绕结构，且围绕结构围绕导电结构的第一侧壁。围绕结构包含第一间隔层及第二间隔层邻近第一间隔层。第一间隔层与第二间隔层是通过气隙所隔开。
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公开(公告)号：CN113130398A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110136206.7
申请日：2021-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置的形成方法，包括提供一结构，此结构包括一基底、一栅极结构、一栅极间隔物、一介电栅极帽盖、一源极/漏极部件、一接触蚀刻停止层覆盖栅极间隔物的侧壁以及源极/漏极部件的一顶面、以及一层间介电层。此方法还包括蚀刻一接触孔穿过层间介电层以及穿过位于源极/漏极部件上的接触蚀刻停止层的一部分，其中接触孔是露出覆盖栅极间隔物的侧壁的接触蚀刻停止层，且露出源极/漏极部件的一顶部。此方法包括在源极/漏极部件上形成一硅化物部件，以及在硅化物部件上选择性沉积一抑制件。除了在接触蚀刻停止层和硅化物部件相会的一转角区域以外，此抑制件未沉积于接触蚀刻停止层的表面上。
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公开(公告)号：CN113054020A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011635510.8
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本申请的实施例公开了一种具有空气间隔件和空气封盖的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底和在该衬底上设置的鳍结构。鳍结构包括第一鳍部分和第二鳍部分。该半导体器件还包括在该第一鳍部分上设置的源极/漏极(S/D)区域、在该S/D区域上设置的接触结构、在该第二鳍部分上设置的栅极结构、在该栅极结构的侧壁和接触结构之间设置的空气间隔件、在该栅极结构上设置的封盖密封件、以及在该栅极结构的顶面和封盖密封件之间设置的空气封盖。
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公开(公告)号：CN112687685A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011109426.2
申请日：2020-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提供一种半导体结构。上述结构包含：半导体基板、在半导体基板的顶表面的第一部分之上的栅极堆叠物、在栅极堆叠物的顶表面的至少一部分之上的层叠介电层。层叠介电层至少包含第一子层及第二子层。第一子层由具有低于用于形成第二子层的材料的介电常数的材料形成，且用于形成第二子层的材料具有高于用于形成第一子层的材料的蚀刻选择比。
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