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公开(公告)号：CN110534434B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910634921.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/445 , H01L21/4763 , H01L29/872
Abstract: 本发明属于印刷电子技术领域，公开了一种溶液法制备金属氧化物TFD的方法。选取禁带宽度相近的金属氧化物绝缘材料和金属氧化物导电材料的前驱体，将其分别溶于同一种溶剂或互溶的溶剂得到绝缘材料前驱体溶液和导电材料前驱体溶液：然后将绝缘材料前驱体溶液和导电材料前驱体溶液依次旋涂于正极衬底上，热退火处理后沉积一层负电极材料，得到金属氧化物TFD。本发明基于溶液法旋涂禁带宽度相近且能溶于互溶或同一溶剂体系的绝缘层和导体层，利用绝缘层和导体层之间形成较大混溶区，使得金属氧化物薄膜器件表现出二极管的整流特性，制备出高性能的金属氧化物薄膜二极管。
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公开(公告)号：CN107880650B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201711175627.0
申请日：2017-11-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于印刷电子领域，公开了一种混合溶剂的喷墨打印墨水及其制备方法。所述喷墨打印墨水由聚合物的良溶剂、聚合物的非良溶剂、聚合物和八水合氯氧化锆组成；所述聚合物为聚丙烯酰胺或聚乙烯醇。其制备方法为：往聚合物的良溶剂中加入聚合物，搅拌使其充分溶解，然后加入聚合物的非良溶剂搅拌混合均匀，再加入八水合氯氧化锆搅拌溶解，陈化后得到所述喷墨打印墨水。本发明通过选用一种聚合物的良溶剂和一种聚合物的非良溶剂的混合溶剂体系，一定程度上改善了含聚合物墨水的喷墨状态，且对墨水的功能性无太大影响，所得喷墨打印墨水在大剂量的应用中同样具有出色的均匀性。
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公开(公告)号：CN109243992B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810834600.6
申请日：2018-07-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于薄膜器件分析领域，公开了一种检测TFT中通过溶液法所制备的绝缘层的质量的方法。将溶液法绝缘层TFT样品放置于μ‑PCD仪器中，测试样品的载流子强度以及光电导衰减情况，从而得出溶液法绝缘层的均匀性及TFT器件质量；所述溶液法绝缘层TFT包括依次层叠的玻璃片、溶液法绝缘薄膜和半导体有源层薄膜，所述半导体有源层薄膜完全覆盖绝缘薄膜。本发明以简单的样品结构和测试方法，解决了溶液法加工绝缘薄膜均匀性测试的问题，同时为溶液法绝缘薄膜对半导体的影响提供了一定的参考价值，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN108288651B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810062341.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法。室温下依次用射频磁控溅射在衬底上沉积一层Al2O3缓冲层，用射频磁控溅射沉积一层Nd‑IZO半导体层，用直流磁控溅射沉积一层ITO源漏电极，用射频磁控溅射沉积一层Al2O3栅极绝缘层，用直流磁控溅射沉积一层ITO栅电极；整个器件在大气环境下350℃～400℃热退火1h，并自然冷却，得到全透明顶栅结构薄膜晶体管。本方法能实现只用磁控溅射设备制备顶栅结构薄膜晶体管，且器件具有优异的正负偏压稳定性和光照稳定性。
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公开(公告)号：CN111081876A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911395923.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种以高介电、宽带隙金属氧化物为绝缘层的有机薄膜晶体管及其制备方法与应用。本发明提供的有机薄膜晶体管包括衬底以及在衬底上依次设置的栅极、金属氧化物绝缘层薄膜、有机有源层和源漏电极；所述的金属氧化物为氧化铪、氧化钇和氧化钛中的至少一种。本发明通过采用粗糙度低的金属氧化物绝缘层薄膜(通过AFM测试，粗糙度均在0.2nm以下)，使绝缘层薄膜与有源层薄膜之间接触更好，更容易形成导电沟道，有源层中的载流子与空穴的更容易形成，且减少缺陷对载流子的捕获作用，使器件迁移率提高且阈值电压降低；同时，禁带间隙宽使得器件击穿电压更大、漏电流更小，使器件耐击穿性以及低功耗性得到提升。
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公开(公告)号：CN109346242B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811147467.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法，具体制备步骤为：将PVP和乙二醇加入反应器中，加热搅拌溶解；向反应器中加入NaCl乙二醇溶液；在搅拌条件下并加入AgNO3乙二醇溶液，然后在140℃及搅拌条件下继续反应80min，结束反应后离心分离产物，制得银纳米线，将银纳米线分散于乙醇中；将上述银纳米线乙醇悬浊液离心处理，离心后取适量上层悬浊液旋涂于玻璃基板表面，随后进行退火处理，得到基于银纳米线的透明电极。本发明通过控制银纳米线的制备工艺与涂布工艺，制得的银纳米线产率达到80％，制得的透明电极平均透过率为91.9％、方阻为45.7Ω/sq。
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公开(公告)号：CN109722653A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910001788.0
申请日：2019-01-02
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，公开了一种溶液法制备钨掺杂氧化锡透明导电薄膜的方法。将钨粉和过氧化氢溶液在冰水浴中充分反应，过滤除杂后用蒸馏水稀释，得到钨酸溶液；将SnCl2·2H2O溶解于无水乙醇溶剂中，搅拌均匀，得到氯化亚锡溶液；向氯化亚锡溶液中滴加钨酸溶液和H2O2溶液，超声振荡处理至溶液为无色澄清透明，静置老化，得到混合液；在清洗干净的玻璃衬底上旋涂所得混合液，退火处理，得到钨掺杂氧化锡透明导电薄膜。本发明采用钨酸掺杂并加入H2O2提高了溶液的稳定性与通透性，使最终固化的薄膜中，W以+6价的WO3形式存在，提升了薄膜的透射性。
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公开(公告)号：CN109390411A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811146879.5
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层有源层薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层有源层薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、Al2O3:Nd栅极绝缘层、AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成。本发明采用射频磁控溅射沉积制备得到了AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层，构成AZO/Al2O3有源层，AZO薄膜含有的元素为Al、Zn、O，这三种元素资源丰富，且都无毒无害，可以很好的响应当下提倡的绿色环保要求，与此同时可实现大面积的生产，且制备过程不需要加热处理。
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公开(公告)号：CN109346456A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811019125.3
申请日：2018-09-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于薄膜电极材料领域，公开了一种显示用电子器件铜互连布线电极及其制备方法。所述铜互连布线电极包括衬底及衬底上的铜合金薄膜层，所述铜合金薄膜的材料成分由Cu、Cr、Zr和Pr组成。以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在衬底上沉积铜合金薄膜层，得到显示用电子器件铜互连布线电极。本发明的制备方法简单，所制备的导电电极具有结合强度高，电阻率低的特点。
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公开(公告)号：CN109244237A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810834034.9
申请日：2018-07-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种多层印刷改善溶液法氧化锆绝缘层性能的方法。将ZrOCl2·8H2O溶于乙二醇单甲醚与乙二醇的混合溶剂中，配置浓度为0.3～0.6mol/L的前驱体溶液；在玻璃基板表面沉积一层图形化的ITO底栅，清洗烘干，得到ITO玻璃衬底；在ITO玻璃衬底上喷墨打印所得前驱体溶液，重复印刷过程2～3次，然后退火处理得到氧化锆绝缘层薄膜，最后通过磁控溅射镀Al电极，得到氧化锆绝缘层薄膜器件。本发明通过简单的重复印刷工艺，不需要改变溶液成分和印刷工艺，便可显著降低印刷氧化锆绝缘薄膜的缺陷和漏电流，对溶液法加工绝缘薄膜有重要意义。
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