-
公开(公告)号：CN110926444B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201911313234.0
申请日：2019-12-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5621 , G01C19/5614 , G01C19/5628
Abstract: 一种振动非敏感硅微机电陀螺，包括四质量音叉微结构、控制电路、封装壳体和减振器组件；四质量音叉微结构是基于SOG工艺加工的双自由度运动的微结构，四个质量块在受力情况下沿平面内X和Y方向运动；控制电路由C/V变换电路、驱动轴自激回路、检测轴力平衡回路、MCU控制电路等组成；封装壳体将微结构和控制电路板封装在一起，并通过壳体四个安装孔形成外部机械接口；减振器组件是电路板与封装壳体之间的连接机构。本发明是一种高精度振动非敏感硅微机电陀螺，测量精度高、抗振动冲击，可广泛应用于制导炸弹、便携防空导弹、智能炮弹、无人机、导航设备等系统，用于测量载体绕固定轴相对惯性空间的的旋转角速率。
-
公开(公告)号：CN112578146A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011449418.2
申请日：2020-12-09
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125 , G01P15/08 , G01P15/18
Abstract: 本发明公开了一种低交叉轴灵敏度的面外轴向检测MEMS电容式加速度计，涉及MEMS惯性器件领域。所述加速度计包括结构层、衬底层以及硅盖板。加速度计的敏感结构包括四组正交分布的敏感质量单元以及一个不平衡质量块。每组敏感质量单元与中心质量块通过两条连接梁相连。每个检测质量块中心包括两个锚点，每个锚点由两条弹性扭转梁连接到检测质量块。本发明的低交叉轴灵敏度的Z轴MEMS加速度计，其优点是具有大质量块的敏感结构，通过多差分质量块降低共模干扰，通过正交分布的敏感质量单元实现较低的交叉轴灵敏度。
-
公开(公告)号：CN111780737A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010581794.0
申请日：2020-06-23
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5621 , G01C19/5614 , G01C19/5726 , G01C19/5733 , G01C19/56
Abstract: 本发明公开了一种基于音叉驱动效应的高精度水平轴硅微陀螺仪，包括：包括盖帽层、陀螺仪敏感结构和衬底层；其中，盖帽层和衬底层相连接组成内部真空结构，陀螺仪敏感结构设置于内部真空结构；陀螺敏感结构包括第一驱动梳齿组、第二驱动梳齿组、第三驱动梳齿组、第四驱动梳齿组、第一驱动检测梳齿、第二驱动检测梳齿、第三驱动检测梳齿、第四驱动检测梳齿、第一驱动弹性梁组、第二驱动弹性梁组、第一检测弹性梁组、第二检测弹性梁组、锚区组、第一质量块、第二质量块、耦合弹性梁、第一驱动框架和第二驱动框架。本发明实现了俯仰和滚动角速率的测量，并减小了惯性测量单元的体积。
-
公开(公告)号：CN111122904A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911330733.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种三明治加速度计微结构制作方法，涉及MEMS芯片制造领域，包括以下内容：上、下电极圆片采用硅衬底上薄层玻璃的晶片，首先上下电极圆片在玻璃面进行通孔光刻，再生长铬金薄膜，光刻腐蚀制造出上下电极极板，结构采用单晶硅晶片，利用湿法腐蚀工艺制作结构层，三层晶片通过阳极键合工艺键合在一起，在上极板背面生长铬金薄膜，最后切割上电极圆片露出焊盘，切割三层圆片得到三明治加速度计芯片。本方法充分利用硅玻璃键合的特点，简单易操作，对键合表面的要求低，本发明加工出的三明治加速度计近似全硅器件，热失配问题小、寄生电容小，本发明能使芯片的质量和成品率得到很大的提高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111024984A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911329259.X
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/08
Abstract: 本发明公开了一种全硅三明治微加速度计制作方法，该方法包括如下步骤：在上极板硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，光刻腐蚀出多个上极板单元；在下极板硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，光刻腐蚀出多个下极板单元；在结构硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，双面光刻湿法腐蚀出多个结构单元；将结构硅晶片的结构单元、上极板硅晶片中与结构单元相对应的上极板单元和下极板硅晶片中与结构单元相对应的下极板单元在设定气压的键合设备内键合。本发明可以加工出密封性好、尺寸精度满足要求的敏感芯片，能减少焊盘的折损率，本发明能使芯片的质量和成品率得到很大的提高。
-
公开(公告)号：CN110926444A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911313234.0
申请日：2019-12-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5621 , G01C19/5614 , G01C19/5628
Abstract: 一种振动非敏感硅微机电陀螺，包括四质量音叉微结构、控制电路、封装壳体和减振器组件；四质量音叉微结构是基于SOG工艺加工的双自由度运动的微结构，四个质量块在受力情况下沿平面内X和Y方向运动；控制电路由C/V变换电路、驱动轴自激回路、检测轴力平衡回路、MCU控制电路等组成；封装壳体将微结构和控制电路板封装在一起，并通过壳体四个安装孔形成外部机械接口；减振器组件是电路板与封装壳体之间的连接机构。本发明是一种高精度振动非敏感硅微机电陀螺，测量精度高、抗振动冲击，可广泛应用于制导炸弹、便携防空导弹、智能炮弹、无人机、导航设备等系统，用于测量载体绕固定轴相对惯性空间的的旋转角速率。
-
公开(公告)号：CN109470229A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811252581.2
申请日：2018-10-25
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5719 , G01C19/5769
Abstract: 本发明公开了一种硅微惯性传感器抗冲击过载的面外止挡结构，通过在传感器敏感结构上、下基底上设置若干个凸点结构作为面外止挡结构，上、下基底上的面外止挡结构位置对应于中间质量块和梁结构在面外冲击时的最大位移处，且以质量块和梁结构为对称分布。本发明的面外止挡结构与质量块和梁结构存在一定间隙，既不影响质量块和梁结构的正常工作，又保证了面外强冲击下质量块在Z轴不会发生大形变，提高了抗冲击过载能力。
-
公开(公告)号：CN105293428B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510679727.1
申请日：2015-10-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的全硅化圆片级真空封装方法及封装器件。采用平面电极引出方案，仅采用单个密封金属环即实现了器件的真空密封。采用平面电极的电信号引出方式有效的避免了全硅圆片封装工艺中常见的引入较大寄生电容的问题。本发明采用硅引线实现电互连，因此整体封装工艺具有更高的工艺兼容温度，从而可以在引线上制备更高密度更高质量的绝缘介质层，从而提高了器件的加工成品率和长期使用的可靠性。
-
公开(公告)号：CN105140170A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510548813.9
申请日：2015-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L21/68785 , H01L2221/683
Abstract: 本发明公开了一种可实现精对准的多陶瓷管壳封帽夹具，包括底座、置于底座上的压板和置于压板上的支架；所述底座为板状结构，板状结构中间区域厚度大于两边，底座上中间厚度区域内阵列设置有管壳容置槽，管壳容置槽用以容置陶瓷管壳；所述压板为板状结构，其上与管壳容置槽中心相对应的位置阵列设置有压板通孔，用以在陶瓷管壳上施加配重；所述支架为板状结构，其上与压板通孔中心相对应的位置阵列设置有用于放置配重的支架通孔。本发明结构简单，易于拆装，导热性能良好，加热迅速，可实现多管壳同时封装，有利于提高芯片批量化封装能力，提高同批产品的一致性。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.034 seconds)
