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发明公开
一种硅微惯性传感器抗冲击面外止挡结构无效

公开(公告)号：CN109470229A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811252581.2

申请日：2018-10-25

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 庄海涵 , 杨静 , 刘福民 , 李新坤 , 刘国文 , 张乐明

IPC: G01C19/5719 , G01C19/5769

Abstract: 本发明公开了一种硅微惯性传感器抗冲击过载的面外止挡结构，通过在传感器敏感结构上、下基底上设置若干个凸点结构作为面外止挡结构，上、下基底上的面外止挡结构位置对应于中间质量块和梁结构在面外冲击时的最大位移处，且以质量块和梁结构为对称分布。本发明的面外止挡结构与质量块和梁结构存在一定间隙，既不影响质量块和梁结构的正常工作，又保证了面外强冲击下质量块在Z轴不会发生大形变，提高了抗冲击过载能力。

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