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公开(公告)号：CN118800786A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410932544.5
申请日：2024-07-12
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/34 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米尺寸异质结晶体管器件结构，包括：衬底、栅介质层、栅电极、源漏电极层，在衬底上具有异质结沟道层，异质结沟道层包括第一沟道层和第二沟道层。栅电极和所述栅介质层位于衬底和所述异质结沟道层之间构成底栅结构。栅电极和栅介质层位于异质结沟道层之间构成顶栅结构。同时提供了对应器件结构的制作方法。本发明采用异质结结构提升了晶体管开态电流，采用禁带较宽的沟道材料改善了短沟效应和泄漏电流，采用接触电阻更小的材料作为异质结和源漏接触的接触层，减小了接触电阻。
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公开(公告)号：CN118629414A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410570722.4
申请日：2024-05-09
Applicant: 北京大学
IPC: G10L21/0208 , G10L25/30 , G10L25/18 , G10L25/03
Abstract: 本发明提供一种语音增强方法、装置、电子设备及介质，涉及语音处理技术领域。该方法包括：对含有噪声的待处理语音进行语音分解处理得到谱域特征、相位特征、基频和非周期性参数；将所述谱域特征和所述相位特征输入到预先训练的循环生成对抗网络，其中，预先训练的循环生成对抗网络利用未配准的含噪语音和纯净语音训练得到，用于预测并输出增强谱域特征；利用所述增强谱域特征、所述基频、所述非周期性参数进行语音合成，将合成语音作为与所述待处理语音对应的增强语音。本发明的方案能够显著减少人工标记量，使得待处理语义能够被更好的去噪实现语音增强，具有较好的去噪效果，丰富了语音增强方式。
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公开(公告)号：CN117672866A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311662368.X
申请日：2023-12-06
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L21/34 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C14/04 , C23C16/04 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开一种面向集成电路应用的氧化物晶体管的制备方法，属于集成电路微纳电子器件领域。该氧化物晶体管的器件结构包括衬底、栅电极、电介质层、氧化物有源层和源/漏电极，涉及底栅结构和顶栅结构两种类型，所述氧化物有源层采用异质结结构，其中下层氧化铟及掺杂氧化铟薄膜采用磁控溅射工艺生长，上层氧化锌及掺杂氧化锌薄膜采用原子层淀积工艺生长，表征显示，所述异质结结构氧化物有源层薄膜具有良好的界面质量。采用本发明制备的氧化物晶体管具有优异的电学性能，器件场效应迁移率超过100厘米平方/伏特·秒，器件综合特性达到国际一流水平，具有广阔的发展前景和实际应用潜力。
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公开(公告)号：CN111161164B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201911250157.9
申请日：2019-12-09
Applicant: 豪威触控与显示科技(深圳)有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: G06T5/00 , G09G3/3225
Abstract: 本申请公开了一种图像处理装置、方法及显示装置。该图像处理装置包括：第一处理器，将初始图像数据划分为多组子图像数据；特征提取器，具有多个特征提取模块，分别接收多组子图像数据中的一组，根据子图像数据和前级输出数据获得子图像数据的平均翻转次数和量化值；第二处理器，具有多个处理模块，分别根据平均翻转次数和量化值获得对各组子图像数据进行抑制处理，以获得当前输出数据，第二处理器将多个处理模块输出的多个当前输出数据合并为输出图像数据，输出图像数据翻转次数不大于初始图像数据的翻转次数。该图像处理装置抑制了输出图像数据的翻转次数，降低了后级系统的整体功耗。
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公开(公告)号：CN116540974A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310306171.6
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种基于阻变器件的全加器，基于阻变器件的全加器包括全加器电路，全加器电路包括多个阻变器件和正极总线；全加器电路中，每一个阻变器件的一端均与正极总线连接，每一个阻变器件的另一端与其负极字线连接，用于以二进制方式将每一个阻变器件的器件阻态表示为高阻态或低阻态。本发明实施例提供的基于阻变器件的全加器将全加器电路中所有阻变器件的器件阻态以二进制方式表示，即将全加器电路中所有阻变器件的器件阻态为高阻态的表示为真值1，所有阻变器件的器件阻态为低阻态的表示为真值0，实现了断掉后数据不丢失，重启后数据即可获取恢复，从而通过使用阻变器件实现了计算器中的计算单元具有非挥发性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111161164A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911250157.9
申请日：2019-12-09
Applicant: 吉迪思电子科技(上海)有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: G06T5/00 , G09G3/3225
Abstract: 本申请公开了一种图像处理装置、方法及显示装置。该图像处理装置包括：第一处理器，将初始图像数据划分为多组子图像数据；特征提取器，具有多个特征提取模块，分别接收多组子图像数据中的一组，根据子图像数据和前级输出数据获得子图像数据的平均翻转次数和量化值；第二处理器，具有多个处理模块，分别根据平均翻转次数和量化值获得对各组子图像数据进行抑制处理，以获得当前输出数据，第二处理器将多个处理模块输出的多个当前输出数据合并为输出图像数据，输出图像数据翻转次数不大于初始图像数据的翻转次数。该图像处理装置抑制了输出图像数据的翻转次数，降低了后级系统的整体功耗。
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公开(公告)号：CN105070762B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201510430849.7
申请日：2015-07-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种三态金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。该三态金属氧化物半导体薄膜晶体管从下到上依次为衬底、底层源漏电极、底层沟道层、底层栅介质层、栅电极、顶层栅介质层、顶层沟道层、顶层源漏电极，其中，顶层栅介质的厚度大于底层栅介质的厚度，或者顶层栅介质的介电常数小于底层栅介质的介电常数，同时，顶层沟道材料的电导率优于底层沟道材料的电导率。由于该结构是一个顶栅结构和一个底栅结构的叠加，则在转移特性上是上下两个器件转移特性的叠加，突破了传统的金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN105552113A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610111860.1
申请日：2016-02-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/1606 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底上的辐射敏感场效应晶体管(RadFET)及其制备方法。该器件的绝缘沟道层依次为：湿法制备的二氧化硅层、石墨烯薄膜、以及干法制备的二氧化硅层。多层石墨烯材料作为沟道层，增强了RadFET探测器的灵敏度；且湿法制备的疏松氧化硅层起到缓冲作用，可以有效减缓高能粒子辐射带来的器件损伤，同时避免了石墨烯薄膜与源漏电极直接接触带来的界面问题，提高了器件的寿命和性能。此外，对干法制备的二氧化硅进行离子注入工艺，引入较高浓度的杂质陷阱，可以有效的调整器件的阈值电压，同时减小源漏接触电阻，增强器件灵敏度。该RadFET探测器工艺简单、制备成本低，适用于辐射总剂量的探测，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105280141A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510765183.0
申请日：2015-11-11
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。该像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、有机发光二极管OLED、电源线、数据信号线和栅控制线，本发明晶体管采用双栅结构的TFT，通过双栅TFT的阈值电压可调的特性实现阈值电压漂移现象的补偿，提供稳定的输出电流，有效改善TFT显示面板因阈值电压不均或阈值电压漂移而造成的OLED发光器件亮度不均问题。同时，由于双栅结构TFT具有更高的电流和器件稳定性，该电路可进行低工作电压的操作、具有更小的面积。本发明简化了电路结构，提高显示电路的开口率和分辨率并降低制造成本，具有较高的实用价值，有望在微电子和平板显示产业中得到应用。
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公开(公告)号：CN104766892A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510158994.4
申请日：2015-04-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/227 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/1033 , H01L29/227 , H01L29/66772 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明的核心在于采用掺钙的氧化锌半导体材料作为薄膜晶体管的导电沟道层，制备的半导体薄膜晶粒尺寸低于20nm，且分布均匀，属于纳米晶氧化物半导体。这种工艺方法具有步骤简单，制造成本低廉，均匀性好，用于低温工艺，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件的迁移率、开关比、阈值电压、亚阈摆幅等方面的性能，适用于透明显示和柔性显示技术。
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