公开(公告)号：CN105070762B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201510430849.7

申请日：2015-07-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  郁文 ,  王漪 ,  石盼 ,  张翼 ,  黄伶灵 ,  丛瑛瑛 ,  董俊辰 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供一种三态金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。该三态金属氧化物半导体薄膜晶体管从下到上依次为衬底、底层源漏电极、底层沟道层、底层栅介质层、栅电极、顶层栅介质层、顶层沟道层、顶层源漏电极，其中，顶层栅介质的厚度大于底层栅介质的厚度，或者顶层栅介质的介电常数小于底层栅介质的介电常数，同时，顶层沟道材料的电导率优于底层沟道材料的电导率。由于该结构是一个顶栅结构和一个底栅结构的叠加，则在转移特性上是上下两个器件转移特性的叠加，突破了传统的金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能。

公开(公告)号：CN104766892A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510158994.4

申请日：2015-04-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  郁文 ,  王漪 ,  石盼 ,  丛瑛瑛 ,  张翼 ,  董俊辰 ,  周晓梁 ,  黄伶灵 ,  张盛东 ,  刘力锋 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/227 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/227 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明的核心在于采用掺钙的氧化锌半导体材料作为薄膜晶体管的导电沟道层，制备的半导体薄膜晶粒尺寸低于20nm，且分布均匀，属于纳米晶氧化物半导体。这种工艺方法具有步骤简单，制造成本低廉，均匀性好，用于低温工艺，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件的迁移率、开关比、阈值电压、亚阈摆幅等方面的性能，适用于透明显示和柔性显示技术。

公开(公告)号：CN107916398B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201711102694.X

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  董俊辰 ,  韩德栋 ,  李慧津 ,  郁文 ,  罗真 ,  梁艺 ,  周孝斌

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE‑AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％‑98％，铝元素1％‑10％，稀土元素1％‑14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。

公开(公告)号：CN107916398A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711102694.X

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  董俊辰 ,  韩德栋 ,  李慧津 ,  郁文 ,  罗真 ,  梁艺 ,  周孝斌

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE-AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％-98％，铝元素1％-10％，稀土元素1％-14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。

公开(公告)号：CN105655409A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610176781.9

申请日：2016-03-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  郁文 ,  王漪 ,  董俊辰 ,  丛瑛瑛 ,  崔国栋 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L21/203 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01L29/786 ,  C23C14/35 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种具有金属覆盖层的薄膜晶体管及其制备方法。本发明首先曝光显影定义好栅电极图形，生长栅电极，接着淀积栅介质层，然后淀积源电极和漏电极，再溅射一层有源层，连续生长金属覆盖层，这种连续生长有源层和金属覆盖层的方式有助于减少背界面的缺陷态密度；最后将器件置于空气中退火，金属覆盖层氧化生成金属氧化物进而充当天然的钝化层，与采用原子层沉积ALD生成氧化铝的方法相比工艺简单，成本低廉，实用性强；针对于金属半导体氧化物对气氛敏感度较高的特性，金属氧化物作为钝化层有利于提高器件在空气中的可靠性。

公开(公告)号：CN105070762A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510430849.7

申请日：2015-07-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  郁文 ,  王漪 ,  石盼 ,  张翼 ,  黄伶灵 ,  丛瑛瑛 ,  董俊辰 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供一种三态金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。该三态金属氧化物半导体薄膜晶体管从下到上依次为衬底、底层源漏电极、底层沟道层、底层栅介质层、栅电极、顶层栅介质层、顶层沟道层、顶层源漏电极，其中，顶层栅介质的厚度大于底层栅介质的厚度，或者顶层栅介质的介电常数小于底层栅介质的介电常数，同时，顶层沟道材料的电导率优于底层沟道材料的电导率。由于该结构是一个顶栅结构和一个底栅结构的叠加，则在转移特性上是上下两个器件转移特性的叠加，突破了传统的金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能。

公开(公告)号：CN104716195A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510111273.8

申请日：2015-03-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  石盼 ,  王漪 ,  丛瑛瑛 ,  董俊辰 ,  周晓梁 ,  郁文 ,  张翼 ,  黄伶灵 ,  刘力锋 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43

Abstract: 一种掺钼氧化锌薄膜晶体管及其制备方法，本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明的核心在于采用掺钼的氧化锌半导体材料作为薄膜晶体管的导电沟道层，制备的掺钼的氧化锌薄膜的尺寸在20nm左右，在制备的过程中，利用溅射技术制备掺钼氧化锌薄膜，通过调节掺钼的氧化锌靶材的组分，控制溅射氧气分压来改善薄膜晶体管的开关比、亚阈摆幅、阈值电压以及迁移率等特性。本发明具有工艺简单，制作成本低，低温，适用于透明显示技术和柔性显示技术等优点。