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公开(公告)号：CN105552113A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610111860.1
申请日：2016-02-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/1606 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底上的辐射敏感场效应晶体管(RadFET)及其制备方法。该器件的绝缘沟道层依次为：湿法制备的二氧化硅层、石墨烯薄膜、以及干法制备的二氧化硅层。多层石墨烯材料作为沟道层，增强了RadFET探测器的灵敏度；且湿法制备的疏松氧化硅层起到缓冲作用，可以有效减缓高能粒子辐射带来的器件损伤，同时避免了石墨烯薄膜与源漏电极直接接触带来的界面问题，提高了器件的寿命和性能。此外，对干法制备的二氧化硅进行离子注入工艺，引入较高浓度的杂质陷阱，可以有效的调整器件的阈值电压，同时减小源漏接触电阻，增强器件灵敏度。该RadFET探测器工艺简单、制备成本低，适用于辐射总剂量的探测，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105280141A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510765183.0
申请日：2015-11-11
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。该像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、有机发光二极管OLED、电源线、数据信号线和栅控制线，本发明晶体管采用双栅结构的TFT，通过双栅TFT的阈值电压可调的特性实现阈值电压漂移现象的补偿，提供稳定的输出电流，有效改善TFT显示面板因阈值电压不均或阈值电压漂移而造成的OLED发光器件亮度不均问题。同时，由于双栅结构TFT具有更高的电流和器件稳定性，该电路可进行低工作电压的操作、具有更小的面积。本发明简化了电路结构，提高显示电路的开口率和分辨率并降低制造成本，具有较高的实用价值，有望在微电子和平板显示产业中得到应用。
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公开(公告)号：CN105552113B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610111860.1
申请日：2016-02-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底上的辐射敏感场效应晶体管(RadFET)及其制备方法。该器件的绝缘沟道层依次为：湿法制备的二氧化硅层、石墨烯薄膜、以及干法制备的二氧化硅层。多层石墨烯材料作为沟道层，增强了RadFET探测器的灵敏度；且湿法制备的疏松氧化硅层起到缓冲作用，可以有效减缓高能粒子辐射带来的器件损伤，同时避免了石墨烯薄膜与源漏电极直接接触带来的界面问题，提高了器件的寿命和性能。此外，对干法制备的二氧化硅进行离子注入工艺，引入较高浓度的杂质陷阱，可以有效的调整器件的阈值电压，同时减小源漏接触电阻，增强器件灵敏度。该RadFET探测器工艺简单、制备成本低，适用于辐射总剂量的探测，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104576759A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510039672.8
申请日：2015-01-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路和平板显示及其相关制造技术领域。本发明核心是采用了叠层结构源电极和漏电极，电极的下层为金属氧化物半导体薄膜，电极的上层为导电薄膜。叠层源电极和漏电极的下层金属氧化物薄膜采用与沟道有源层相同或不同的材料，其电导率小于有源层金属氧化物薄膜。两层金属氧化物薄膜由射频磁控溅射方法形成。本发明氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率,关态电流小，大开关电流比等优点，且与传统结构器件相比工艺复杂度未提高，制备方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。
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公开(公告)号：CN104218074A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410471771.9
申请日：2014-09-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/04 , H01L21/363 , H01L21/443 , H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L29/66742 , H01L29/78693
Abstract: 本发明公开了一种掺杂稀土元素的氧化锌铝非晶半导体薄膜材料及其制备方法和应用，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该非晶半导体薄膜中的锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％-98％，铝元素1％-10％，稀土元素1％-14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。本发明采用射频磁控溅射方法制备掺杂稀土元素的氧化锌铝薄膜材料，在溅射过程中调节氧气氛的分压比形成具有非晶特性的高迁移率的沟道材料。本发明制备方法和传统CMOS工艺相兼容，可制备出高迁移率的稀土掺杂氧化物半导体薄膜晶体管，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114736967A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210494920.8
申请日：2022-05-07
Applicant: 北京大学肿瘤医院 , 上海思路迪医学检验所有限公司
IPC: C12Q1/6886 , G01N33/574
Abstract: 本发明提供了能够预测肿瘤患者对免疫检查点抑制剂疗法的耐药性的方法。本发明还提供了耐药基因AKT1和/或CDH1、它们的mRNA、cDNA或蛋白及其检测试剂。本发明的耐药基因及其检测试剂可以用于预测肿瘤患者对免疫治疗的耐药性，以及靶向疗法联合或不联合免疫治疗的敏感性。本发明的AKT1和/或CDH1基因突变能够作为预测dMMR/MSI‑H胃肠肿瘤患者中对免疫检查点抑制剂疗法原发耐药的生物标志物，从而能够准确预测耐药人群，避免盲目用药，提高免疫检查点抑制剂疗法治疗的经济性。
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公开(公告)号：CN114736967B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210494920.8
申请日：2022-05-07
Applicant: 北京大学肿瘤医院 , 上海思路迪医学检验所有限公司
IPC: C12Q1/6886 , G01N33/574
Abstract: 本发明提供了能够预测肿瘤患者对免疫检查点抑制剂疗法的耐药性的方法。本发明还提供了耐药基因AKT1和/或CDH1、它们的mRNA、cDNA或蛋白及其检测试剂。本发明的耐药基因及其检测试剂可以用于预测肿瘤患者对免疫治疗的耐药性，以及靶向疗法联合或不联合免疫治疗的敏感性。本发明的AKT1和/或CDH1基因突变能够作为预测dMMR/MSI‑H胃肠肿瘤患者中对免疫检查点抑制剂疗法原发耐药的生物标志物，从而能够准确预测耐药人群，避免盲目用药，提高免疫检查点抑制剂疗法治疗的经济性。
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公开(公告)号：CN105280141B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510765183.0
申请日：2015-11-11
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。该像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、有机发光二极管OLED、电源线、数据信号线和栅控制线，本发明晶体管采用双栅结构的TFT，通过双栅TFT的阈值电压可调的特性实现阈值电压漂移现象的补偿，提供稳定的输出电流，有效改善TFT显示面板因阈值电压不均或阈值电压漂移而造成的OLED发光器件亮度不均问题。同时，由于双栅结构TFT具有更高的电流和器件稳定性，该电路可进行低工作电压的操作、具有更小的面积。本发明简化了电路结构，提高显示电路的开口率和分辨率并降低制造成本，具有较高的实用价值，有望在微电子和平板显示产业中得到应用。
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公开(公告)号：CN104867983A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510172561.4
申请日：2015-04-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L29/0607 , H01L29/0684 , H01L29/42356 , H01L29/66757
Abstract: 本发明公开了一种LDD/Offset结构薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路和平板显示及其相关制造技术领域。本发明核心是通过光刻胶和栅电极的斜坡结构以及一次额外的栅刻蚀，在晶体管沟道内形成自对准的LDD/Offset区域，而LDD/Offset的长度可以由刻蚀速度和刻蚀时间精确控制，从而达到降低TFT关态电流的目的。该技术工艺过程简单，不增加任何光刻版；整个TFT的制造过程与传统的工艺相比仅需增加一次重复的栅刻蚀，工艺方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，适用于薄膜晶体管的大规模生产，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。
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公开(公告)号：CN104112671A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410345212.3
申请日：2014-07-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/203
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。该方法利用溅射工艺生长一层掺镍的氧化锌半导体材料层作为薄膜晶体管的导电沟道层，通过调节掺镍的氧化锌靶材的组分，控制溅射氧气分压，可以改善薄膜晶体管的开关比、亚阈摆幅、阈值电压以及迁移率等特性。本发明具有制作成本低，低温工艺，可适用于透明显示和柔性显示技术等优点。
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