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公开(公告)号：CN107539976A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710845495.1
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：将铜基底置于管式炉中，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕后在另一加热温区通入二氧化碳进行处理，处理后即得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，原料易得，可以与卷对卷技术相结合实现大规模生产，可以得到超洁净、高质量的大单晶石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN107394161A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710608818.5
申请日：2017-07-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/628 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及电极材料领域，具体而言，提供了一种复合硅基电极材料、制备方法及其应用。所述复合硅基电极材料主要由预锂化的硅基核和包覆在预锂化的硅基核外侧的石墨烯层构成。该复合硅基电极材料具有环境稳定性高、对溶剂呈现出良好的惰性、首次库伦效率高和循环稳定性好的优点，空气中存放24h以上不发生变化，首次库伦效率高达90％以上，对水系溶剂和油系溶剂均呈现良好的惰性，20次循环后容量保持率在92％以上。
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公开(公告)号：CN106872501A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710133783.4
申请日：2017-03-08
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种直接刻蚀金属基底制备石墨烯基透射电镜载网支撑膜的方法。所述方法，包括如下步骤：(1)利用化学气相沉积法在金属基底的表面生长石墨烯；(2)去除生长于所述金属基底的背面的所述石墨烯；(3)在所述石墨烯的表面制备高分子纤维网络，形成金属基底/石墨烯/高分子纤维网络结构；(4)利用光刻的方法在所述金属基底的背面制备周期性图案；(5)利用刻蚀的方法去除暴露于所述周期性图案之外的所述金属基底，然后去除所述周期性图案即得。本发明制备方法避免了石墨烯的转移过程，且无需额外的透射载网，一步刻蚀即可同时得到符合透射电镜制样要求的铜网和石墨烯支撑膜，效率高、成本低且可批量制备。
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公开(公告)号：CN106783552A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710056998.0
申请日：2017-01-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/09
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种二维硒氧化铋晶体及近红外光电探测器件。该制备二维硒氧化铋晶体的方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体为原料，在基底上进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述二维硒氧化铋晶体。用该种方法得到的二维硒氧化铋近红外探测器，被有效应用在近红外探测、显示、成像上。
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公开(公告)号：CN106769287A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611079512.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G01N1/2806 , G01N1/2853 , G01N1/36 , H01J37/20
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯单晶支撑膜载网实现高效率液体封装的方法。该方法包括：将两片分别生长在不同生长基底上的石墨烯均由生长基底转移至透射基底上后，滴加待封装液体至其中一片石墨烯的表面后，在其上覆盖另一片石墨烯，完成封装，得到大量可供透射电镜下原位表征的液泡。该方法工艺简单，可重复性高，可重复性高，可控性强，兼容性强，可在短时间内在几毫米尺寸的样品上制备数千个被石墨烯封装保护的液体池，供透射电镜下原位表征，大大提高了从原子尺度研究反应机理的可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105603518A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610147553.9
申请日：2016-03-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶铜箔的表面转变为单晶Cu(100)的制备方法。该方法，包括如下步骤：1)在不通入任何气体的条件下，对铜基底进行退火处理；其中，所述铜基底具有至少两个相对的表面，且两表面之间的间距不超过50μm；2)在还原性气氛中，对步骤1)所得铜基底进行还原处理，降温，即在所述铜基底相对的表面上得到所述Cu(100)单晶。通过对铜基底的大小进行调节，可以快速不同尺寸的大面积Cu(100)单晶，制备时间短，工艺简单，与生产兼容性好。
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公开(公告)号：CN104649259A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510064067.6
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种大单晶石墨烯及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1)在非还原性气体气氛下，对铜基底进行退火处理；2)在持续通入还原性气体的反应器中，对放入其中的步骤1)中所述退火处理后铜基底进行退火还原；3)采用化学气相沉积法在由所述退火还原后的两个铜基底形成间隙的基底相对的表面上沉积石墨烯，即得到所述孤立的大单晶石墨烯。还可进一步以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)为媒介，将大单晶石墨烯转移到目标基底上，通过对石墨烯生长过程中生长时间和气体流量进行调节，可以快速制备得到孤立的大单晶石墨烯样品，无需较长的制备时间，也无需昂贵的单晶基底。
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公开(公告)号：CN1815181A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510004833.6
申请日：2005-02-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单壁碳纳米管针尖及其制备方法，该针尖包括扫描隧道显微镜针尖和若干单壁碳纳米管，所述单壁碳纳米管与扫描隧道显微镜针尖通过酰胺键连接。其制备方法包括如下步骤：1)先将金针尖或表面镀金的针尖在胺基巯醇的醇溶液中浸泡，得到胺基巯醇分子膜修饰的针尖；2)将步骤1)所得胺基巯醇分子膜修饰的针尖浸入带羧基的单壁碳纳米管短管的有机溶液中进行反应，得到所述单壁碳纳米管针尖；所述单壁碳纳米管短管的有机溶液中还加有脱水剂。本发明采用湿法化学组装方法可以获得短的单壁碳纳米管针尖，操作简便，重现性好，产率比较高，达到40％以上。所制备的单壁碳纳米管针尖可以用在扫描隧道显微镜上，可以用于高分辨成像和超高密度存储介质的制备。
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公开(公告)号：CN119976751A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510135549.X
申请日：2025-02-07
Applicant: 北京大学
IPC: C01B21/064 , C01B32/184 , B32B9/04 , B32B37/24 , B32B38/10 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种兼具强度和韧性的六方氮化硼/石墨烯悬空复合支撑膜的制备方法及其应用。该方法将石墨烯载网面对面放置在六方氮化硼表面，利用易挥发的有机溶剂使得六方氮化硼与石墨烯完美贴合，实现洁净、完整的悬空二维复合薄膜的制备。该方法解决了逐层转移二维材料范德华复合薄膜的工艺繁琐、污染严重的问题，悬空复合支撑膜良品率高，完整度高，界面洁净，并可实现大面积制备。同时，该悬空复合支撑膜呈现优异的力学强度和断裂韧性，并在极端高温热冲击条件下保持稳定。基于此，该六方氮化硼/石墨烯悬空复合支撑膜在高温合成、热冲击合成、相关电镜表征、高温传感、热电子发光、质子‑离子筛分等方面有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118745594A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410836113.9
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备四英寸超平整单晶六方氮化硼晶圆的方法，属于材料领域。本发明的单晶六方氮化硼晶圆的制备方法，包括如下步骤：(1)采用磁控溅射的方法在蓝宝石上溅射一层镍膜，然后在镍膜上再溅射一层铜膜，得到铜/镍/蓝宝石；(2)将所述铜/镍/蓝宝石进行高温退火处理，得到单晶铜镍合金晶圆；(3)采用低压化学气相沉积在所述单晶铜镍合金晶圆上生长六方氮化硼，得到所述单晶六方氮化硼晶圆。本发明制备得到的六方氮化硼表面非常平整、单晶性高、无褶皱、封装性好，在通讯、电子、二维材料器件以及金属保护层等领域具有非常广泛的应用前景。
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