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公开(公告)号：CN117082017A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311344090.1
申请日：2023-10-17
Applicant: 之江实验室
IPC: H04L49/45 , H04L41/0803
Abstract: 本说明书公开了一种白盒交换机扩展卡管理的方法及装置，接收管理指令，根据所述管理指令，在各扩展卡中确定所述管理指令对应的扩展卡，作为目标扩展卡，获取数据库中预存的所述目标扩展卡对应的接口函数，根据所述接口函数，对所述管理指令进行封装，根据封装后的管理指令与所述目标扩展卡进行交互，实现了通过白盒交换机自身的操作系统对扩展卡直接进行管理。
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公开(公告)号：CN116338413B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310623750.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供一种晶上系统的测试方法及测试装置，该晶上系统的晶圆基板包括若干个互不相连的晶上网络，该测试方法包括：对任一晶上网络施加第一电平信号，同时对余下的晶上网络施加第二电平信号；第一电平信号大于第二电平信号，第一电平信号与第二电平信号之间的压差大于或等于晶圆基板的电源电压，对余下的晶上网络循环执行上述操作；对任一晶上网络输入激励电信号，检测余下的晶上网络的输出电信号并进行电筛选测试，对不符合标准的晶上网络进行标记；对被标记的晶上网络进行修复，若可被修复，则去除标记；若不可被修复，则保留标记。可实现，通过该测试方法筛选出晶圆基板存在的缺陷，确保晶上系统晶圆基板的可靠运行。
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公开(公告)号：CN115159444B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211045028.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种无引线的三维异构集成结构及制造方法，该结构包括密封键合部分、垂直通孔部分和异构集成部分，所述密封键合部分是使用与硅通孔填充材料兼容的材料制作的微电子传感器密封环、光波导密封环、微流道密封环，使用与硅通孔键合工艺兼容的工艺条件实现微电子传感器、光波导通路、微流道的密封键合；所述垂直通孔部分包括电学垂直通孔、光学垂直通孔、微流体垂直通孔；所述异构集成部分是在硅晶圆基板上制作带有重布线层和微凸点的电学互连结构、光学互连结构、冷却液流通结构，并通过使用所述硅晶圆基板、气密键合结构和带有垂直通孔部分的硅通孔转接板实现将不同功能的芯片实现晶上异构三维集成，同时具有局部冷却散热的功能。
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公开(公告)号：CN114823548B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210738281.5
申请日：2022-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开一种面向光电共封装的LGA封装结构，包括外壳和基板，均呈工字型，所述外壳包括底座和压盖，基板设置在底座上，在工字型的基板的桥接处键合连接有光电三维堆叠芯片，所述压盖设置在基板上方，同时预留出光电三维堆叠芯片垂直方向的空间。本发明的结构将光电三维堆叠芯片与基板连接后，插入LGA封装结构中固定即可，发挥了LGA封装密度大、接口丰富、器件拼装紧凑体积小的特点，避免了引线寄生电感产生的噪声及引脚共面性问题而引起的虚焊和焊接不良的问题，具有可靠性高、集成度高的特点；还可以更换芯片重复使用，节约成本，且解决了光学封装与电学封装难以并存的问题，设计新颖，适用于大规模高密度光电芯片的光电共封装。
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公开(公告)号：CN115145323A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210734392.9
申请日：2022-06-27
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及半导体封装散热应用技术领域，特别涉及一种探测器芯片温控方法，包括以下步骤：1）将探测器芯片通过热沉焊接在半导体制冷片上；2）将带有探测器芯片的半导体制冷片进行隔热保温后封装；3）将封装好的芯片安装在散热器上，所述散热器是采用计算固体传导热阻来配置的散热器；4）所述散热器通过导热硅脂接触连接机壳底板，所述散热器采用湍流受迫对流方式散热。本发明依据探测器芯片所需的工作环境温度并通过计算散热器固体传导热阻来配置散热器，通过散热器与封装后半导体制冷片的物理连接，实现精准控温，可有效的保证探测器芯片在温度稳定的环境中工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115132679A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202211047324.1
申请日：2022-08-30
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/367 , H01L23/38 , H01L23/467 , H01L35/30
Abstract: 本发明涉及半导体封装散热应用技术领域，特别涉及一种具有热电制冷系统的晶圆级封装结构，包括半导体衬底，半导体衬底上表面的焊盘和对应焊球，阻焊层，环绕所述阻焊层的金属导热层以及设置在半导体衬底下表面的热电制冷系统，包括：贴靠下表面的第一热电制冷片，第一热电制冷片的发热面贴靠一导热金属板，导热金属板分为散热段与发电段，散热段贴靠第一热电制冷片的发热面，发电段贴靠有第二热电制冷片，第二热电制冷片的正负端通过导线连接有稳压器，稳压器的输出端连接有散热器。本发明利用金属导热层进行第一步散热，再利用热电制冷系统进行第二步散热，把系统散出的热能转换成电能，提高了能量的利用效率，降低散热成本和系统整机的体积。
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公开(公告)号：CN114780569B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210708862.4
申请日：2022-06-22
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F16/23 , G06F16/25 , G06F16/27 , H04L67/141 , H04L69/16
Abstract: 本发明公开了一种拟态redis数据库的输入输出代理方法和装置，通过伪服务器模块保证跟原生redis的对外接口一致，从而便于移植到任意redis应用场景中；通过独立的进程实现内部各个模块的隔离，方便独立开发、维护和扩展；并且将同步功能集成到输入输出代理当中，从而实现资源复用；针对同步功能，巧妙利用随机信用衰减机制，可以保证同步功能进行的同时兼顾资源的节省。
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公开(公告)号：CN114980504A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210887971.7
申请日：2022-07-27
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶圆级处理器的高密度供电装置，包括电源分配组件和设置于所述电源分配组件上的插卡式供电组件，所述插卡式供电组件包括插卡式结构件和供电结构件，所述电源分配组件的上表面均布设置所述插卡式结构件，所述插卡式结构件内插设有所述供电结构件，所述供电结构件的底端通过电源传输连接件连接所述电源分配组件。本发明提升了晶圆级处理器水平面的供电功率密度，实现了供电引脚与晶圆级处理器电源引脚的镜像对应降低了晶圆基板上电源网络的复杂性和传输损耗，降低了PCB横板的翘曲度，实现了供电结构件可拆卸、可维修、可更换的效果。
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公开(公告)号：CN114843250A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210785368.8
申请日：2022-07-06
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/544 , B07C5/344 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级集成系统的测试结构及测试方法，该测试结构是由晶圆衬底和键合在晶圆上的芯粒，以及在晶圆上从芯粒周围引出的芯粒测试电路和通过晶圆互连引出到晶圆外围的系统测试电路组成；其测试方法是利用一次扎针实现对集成芯粒的测试和集成系统的测试。首先，对同质的芯粒进行相应的晶圆级芯片测试，测试结束标记失效的芯粒后，进入下一种类型的同质芯粒测试，完成所有芯粒测试后，根据通过测试的芯粒构建系统链路，对晶圆级集成系统进行系统级测试。利用本发明可以一次扎针就完成对键合芯粒的测试以及晶上集成系统的测试，利用芯粒测试可以筛除失效的芯粒，系统级测试可以确保系统链路的正确性以及整个晶上系统的可靠运行。
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公开(公告)号：CN114823592A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210758528.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种晶上系统结构及其制备方法，该结构包括晶圆基板、集成芯粒、系统配置板和系统散热模组。所述晶圆基板和集成芯粒通过晶圆基板上表面的晶圆微凸点阵列和集成芯粒下表面的芯粒微凸点阵列键合相连；所述晶圆基板和系统配置板通过晶圆基板上的铜柱阵列和系统配置板下表面的焊盘键合相连；晶圆基板和系统配置板之间设有塑封层，塑封晶圆基板、集成芯粒和铜柱阵列；所述集成芯粒之间通过晶圆基板的顶部设置的重布线层电连接；所述系统配置板通过所述重布线层以及铜柱阵列与集成芯粒电连接；所述系统散热模组贴合在晶圆基板的下表面。本发明解决了SoW制备良率的忧虑和高密度TSV带来的晶圆可靠性的问题。
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