公开(公告)号：CN114563924A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202011359397.5

申请日：2020-11-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 崔栽荣 ,  丁明正 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  王桂磊

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种光掩模版缺陷处理设备、曝光机以及光掩模版缺陷处理方法，光掩模版缺陷处理设备包括装载装置、检测装置、清除装置和控制装置，装载装置设置成装载光掩模版，检测装置设置成对光掩模版进行检测，清除装置设置成对光掩模版上的缺陷进行清除，装载装置、检测装置和清除装置分别与控制装置电连接。根据发明实施例的光掩模版缺陷处理设备，在曝光机具有曝光的功能上增加缺陷处理的功能，缺陷处理过程在曝光机的内部进行，无需将光掩模版取出，避免频繁的取放造成的损坏和二次污染。在曝光前通过检测装置对光掩模版进行检测，检测完成后通过清除装置对缺陷进行处理，降低因缺陷超过允许范围导致的生产损失。

公开(公告)号：CN114520156A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202011307914.4

申请日：2020-11-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金成昱 ,  金帅炯 ,  梁贤石 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  丁明正 ,  杨涛

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种晶圆预检方法、装置、控制系统以及计算机可读介质，该晶圆预检方法包括：获得晶圆到达被检测位置的信号，获取晶圆的背面的压力差，获得与压力差所对应的晶圆的背面的高度差的比较值，比较比较值与预设值，根据比较结果，判定晶圆是否合格。该晶圆预检方法，能够有效检测出晶圆的背面是否存在异物，从而避免异物对晶圆的光刻产生不良影响，另外，避免了晶圆将异物带入到晶圆台上，避免异物对晶圆台造成的影响。

公开(公告)号：CN114518692A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202011307887.0

申请日：2020-11-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金成昱 ,  金帅炯 ,  梁贤石 ,  贺晓彬 ,  杨涛 ,  丁明正 ,  刘强

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请公开了一种激光等离子体极紫外光源系统及其生成极紫外光的方法，系统包括：液滴发生器用于生成扁平状的目标液滴；激光源用于生成激光脉冲，以使激光脉冲冲击所述目标液滴生成等离子体；采集器用于收集等离子体辐射出的EUV光线，并将收集的EUV光线聚焦定向到扫描器中。通过液滴发生器直接产生扁平状的目标液滴，从而仅使用一种激光脉冲撞击目标液滴即可生成等离子体，由于减少了激光脉冲撞击液滴的次数，因此可以减少污染物的产生，进而降低了采集器受污染的严重程度，延长了采集器的使用寿命。另外，由于激光源只需要生成一种激光脉冲，无需生成两种激光脉冲，因此本申请还可以简化激光源的结构，以及减少激光源的光束对准程序。

公开(公告)号：CN114518691A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202011307864.X

申请日：2020-11-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金成昱 ,  金帅炯 ,  梁贤石 ,  贺晓彬 ,  丁明正 ,  刘强 ,  杨涛 ,  杨帆

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请公开了一种激光等离子体极紫外光源系统及其监控方法，系统包括激光源、扫描器、位于一个封闭腔体内的液滴发生器、采集器以及氢气排出管路，还包括位于封闭腔体内的至少一个监控摄像头，且氢气排出管路的入口设置有加热板结构；液滴发生器用于生成锡液滴；激光源用于生成激光脉冲并作用于锡液滴以生成等离子体；采集器用于收集等离子体辐射出的极紫外光线，并将收集的EUV光线聚焦定向到扫描器中；监控摄像头，用于监控生成等离子体过程中所沉积的污染物量，并在污染物量超过预设值时，启动加热板结构的加热功能，以熔化氢气排出管路入口处沉积的污染物，避免由于污染物锡的沉积扰乱腔体内的氢气流，加速采集器污染的问题。

公开(公告)号：CN114326311A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202011077026.8

申请日：2020-10-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 刘智龙 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  丁明正

IPC: G03F7/16

Abstract: 本公开提供了一种光刻胶涂覆方法及系统。该光刻胶涂覆方法包括但不限于如下步骤：首先放置晶圆，先控制倾斜至预设角度的晶圆以预设速度持续旋转。然后再向倾斜的晶圆表面喷涂光刻胶，以使光刻胶均匀地分布。该光刻胶涂覆系统可包括但不限于旋转驱动装置、喷涂装置、角度调节装置、高度调节装置以及信息采集装置等。本公开创新地采用了向倾斜设置的晶圆表面涂覆光刻胶的方案，借助重力的作用促使光刻胶向晶圆边缘移动，有助于在提高光刻胶涂覆均匀性的同时明显地减少光刻胶的使用量。本公开还通过调节喷嘴高度的方式提高光刻胶涂覆的面积和均匀性，并通过调节晶圆倾斜角度的方式进一步减少光刻胶使用量和提高涂覆效果。

公开(公告)号：CN114253082A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202011019892.1

申请日：2020-09-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 梁时元 ,  李其衡 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  丁明正

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请公开了一种涂胶厚度抽样测量方法，所述方法包括：在晶片上定位第一抽样点集，所述第一抽样点集由至少一个抽样点组成，并测量所述第一抽样点集中每个抽样点的涂胶厚度；根据所述第一抽样点集中每个抽样点的涂胶厚度判断是否需要执行进一步的抽样策略；如果是，则采用预设抽样策略对所述晶片再进行涂胶厚度测量。通过对晶片进行第一次抽样测量，并根据第一次抽样测量结果判断是否有必要进行第二次抽样测量，在判断需要时，采用预设抽样策略对晶片再进行抽样测量，减少了人工干预，省时又省力，可以提升晶片生产效率。

公开(公告)号：CN111908124A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010597449.6

申请日：2020-06-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 梁贤石 ,  金成昱 ,  金帅炯 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  杨涛 ,  李俊峰 ,  王文武

IPC: B65G49/06

Abstract: 本申请涉及一种掩模版传送装置、掩模版处理设备及掩模版传送方法。其中，掩模版传送装置包括：拾取主体，所述拾取主体的下表面为与所述掩模版相对应的拾取面；第一磁性部，所述第一磁性部形成在所述拾取面上，所述第一磁性部与形成在所述掩模版的上表面上的第二磁性部对应设置，所述第一磁性部的磁极与所述第二磁性部的磁极相反；支撑件，所述支撑件设置在所述拾取面上，所述支撑件为多个且分散布置，以使所述掩模版的上表面与所述拾取面之间保持有间距。

公开(公告)号：CN114384766B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202011142251.5

申请日：2020-10-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 刘智龙 ,  贺晓彬 ,  丁明正 ,  刘强 ,  杨涛

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请公开了一种曝光图形位置偏差的校正系统及校正方法，系统包括用于承载掩模的掩模台、用于承载晶圆的晶圆台以及用于控制所述掩模台和所述晶圆台扫描作业的扫描设备，其特征在于，还包括设置在有效曝光区域之外的激光器和第一传感器；所述激光器位于所述掩模台承载掩模的一侧，所述第一传感器位于所述掩模台承载掩模侧的相对侧，并且所述激光器和所述第一传感器始终位于垂直于掩模台表面的直线上；在扫描曝光作业期间，所述激光器与所述第一传感器用于在进行掩模扫描过程中实时测量所述掩模的形变量，以由光刻机根据该形变量调整掩模与晶圆之间的相对位置，从而在不中断生产的条件下，即达到了校正曝光图形位置偏差的目的，也提升了产品生产效率。

公开(公告)号：CN114326335B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202011061653.2

申请日：2020-09-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 梁时元 ,  丁明正 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  刘金彪

IPC: G03F9/00

Abstract: 本申请公开了一种用于图案层对准的对准标记系统及图案层对准方法，系统包括：第一图案层上的第一标记和第二图案层上的第二标记；所述第一标记和所述第二标记能够组合为一个对准标记，以在形成第一图案层和第二图案层之上的第三图案层时，所述第一标记和所述第二标记用于将第三图案层的掩模与所述第一图案层和所述第二图案层对准。在不改变光刻机原有扫描算法基础上，由于第一图案层上的第一标记和第二图案层上的第二标记能够组合为一个完整的对准标记，因此通过一次扫描即可得到两个标记组合形成的完整对准标记在晶圆上的位置，并根据扫描得到的位置进行对准，从而缩短了扫描时间，可以提升晶圆生产效率。

公开(公告)号：CN114384771B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202011142250.0

申请日：2020-10-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 梁时元 ,  南兑浩 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  丁明正 ,  杨涛

IPC: G03F9/00

Abstract: 本申请公开了一种晶圆对准方法、装置及半导体器件，方法包括：在出现对准失败时，从已采集的整个晶圆的平整度图中获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，预设位置的曝光场内包含多种类型的对准标记，且在使用预设类型的对准标记进行对准时出现对准失败；判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件；若不符合预设条件，则从平整度图中读取位于预设位置的曝光场内除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种其他类型的对准标记进行晶圆对准，以避免由于晶圆平整度图发生局部焦距异常，造成对准失败直接进行返工的问题，进而达到降低晶圆返工率的目的，降低生产成本。