银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN102623606A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201210093368.8

    申请日:2012-03-31

    Abstract: 一种银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管,其中包括:一衬底;一外延层,制作在衬底上面,该外延层为台阶状,其的一侧形成有一台面,该外延层用以受激,发光,电注入;一纳米薄膜,生长在外延层上,用于做电流扩展层;一二氧化硅层,制作在外延层和纳米薄膜靠近台面的一端,并覆盖部分纳米薄膜的上表面;一P电极,制作在纳米薄膜上;一n电极,制作在外延层上的台面上。该方法具有工艺简单,操作方便,高效率等特点,同时还能够代替现有的ITO(氧化铟锡)作为LED新型的透明电极。本发明不但可以降低成本,同时还能实现大面积,工业化生产。

    制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法

    公开(公告)号:CN102623588A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201210093564.5

    申请日:2012-03-31

    Abstract: 一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层;步骤3:在p-GaN耦合层上生长纳米金属层;步骤4:在纳米金属层上生长一P-GaN盖层;步骤5:在P-GaN盖层上生长一p-GaN电流扩展层,完成外延结构的制备。本发明是利用金属的核壳结构的等立体增强绿光发光二极管的内量子效率。

    纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法

    公开(公告)号:CN102610715A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210093601.2

    申请日:2012-03-31

    Abstract: 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层;步骤3:在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板;步骤4:在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层;步骤5:在GaN过渡层上生长InGaN量子盘;步骤6:在InGaN量子盘上生长p-GaN层,形成基片;步骤7:将基片一侧的部分刻蚀掉,刻蚀深度到达n-GaN层内,形成台面;步骤8:在n-GaN层的台面上制作下电极;步骤9:在p-GaN层上制作上电极,完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底,能很好地释放应力,从而降低Droop效应,增加LED的发光效率。

    提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管

    公开(公告)号:CN102185056A

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN201110115323.1

    申请日:2011-05-05

    Abstract: 一种提高电子注入效率的氮化镓系发光二极管,其包括:一衬底;一氮化镓成核层制作在衬底上;一缓冲层制作在氮化镓成核层上;一n型接触层制作在缓冲层上,在该n型接触层的上面的一侧形成一台面;一下多周期n型电子耦合层制作在n型接触层上台面另一侧的上面;一下隧穿势垒层制作在下多周期n型电子耦合层上;一上多周期n型电子耦合层制作在下隧穿势垒层上;一上隧穿势垒层制作在上多周期n型电子耦合层上;一多周期活性发光层制作在上隧穿势垒层上;一负电极制作在n型接触层的台面上;一p型电子阻挡层制作在多周期活性发光层上;一p型接触层制作在p型电子阻挡层上;一正电极制作在p型接触层上,形成氮化镓系发光二极管的结构。

    一种杀菌消毒的装置
    56.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206337054U

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201621432428.4

    申请日:2016-12-23

    Abstract: 本实用新型公开了一种杀菌消毒的装置包括管道,其管体至其内壁能够透光;光源,嵌入所述管道的管体中,用于产生杀菌消毒用的光并向管道内壁照射;电源用于给所述光源供电;还包括电源外壳和防水导线,所述电源外壳固定于所述管道的外壁,用于容纳所述电源,用于连接电源和光源。本实用新型提供的杀菌消毒的装置可以降低杀菌消毒的成本,只要用户将带有杀菌消毒装置的水管接入水流过的管路,就可以及时杀菌消毒。

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