公开(公告)号：CN103219650B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201310106019.X

申请日：2013-03-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑婉华 ,  刘磊 ,  渠红伟 ,  张斯日古楞 ,  王海玲

IPC: H01S5/22

Abstract: 本发明公开了一种低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列，包括：N型衬底；形成于该N型衬底之上的N型缓冲层；形成于该N型缓冲层之上的N型啁啾光子晶体波导；形成于该N型啁啾光子晶体波导之上的有源层；形成于该有源层之上的P型限制层；以及形成于该P型限制层之上的P型盖层；其中，对该P型盖层和该P型限制层进行刻蚀在该激光器阵列表面形成一个宽度呈啁啾变化的脊形波导阵列，该脊形波导阵列位于该激光器阵列表面中间部分的是电流注入区，位于该电流注入区两侧的是第一无源损耗区和第二无源损耗区。利用本发明，可在提高边激光器输出功率的同时，降低发散角并滤除高阶模式，实现高功率低发散角近衍射极限激光输出。

公开(公告)号：CN103904556A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410112845.X

申请日：2014-03-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑婉华 ,  刘磊 ,  刘云 ,  渠红伟 ,  张冶金 ,  郭文华 ,  石岩

IPC: H01S5/22

Abstract: 本发明公开了一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器，包括：叠层结构，该叠层结构包括：N型衬底；形成于N型衬底下表面的下电极；形成于N型衬底上表面的N型限制层；形成于N型限制层之上的光子晶体；形成于光子晶体之上的有源层；形成于有源层之上的P型限制层；及形成于P型限制层之上的P型盖层；从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀于叠层结构上部中间位置形成的端面为正梯形的脊型结构；于具有脊型结构的叠层结构之上形成的SiO2绝缘层；以及去除脊型结构上表面的SiO2绝缘层并于露出的P型盖层之上及未被去除的SiO2绝缘层表面形成的上电极。利用本发明可以降低窄垂直发散角光子晶体半导体激光器的制作成本，提高激光器的综合性能。

公开(公告)号：CN103887711A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410086771.7

申请日：2014-03-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑婉华 ,  郭小杰 ,  王宇飞 ,  齐爱谊 ,  刘磊

IPC: H01S5/42 ,  H01S5/18

Abstract: 本发明公开了一种大面阵相干光子晶体面发射激光光源结构，包括：光子晶体阵列，其由位于中心的中心光子晶体和围绕所述中心光子晶体对称分布的多个边缘光子晶体形成的多个阵列结构组成；其中，所述中心光子晶体和边缘光子晶体具有完全相同的结构。整个结构具有旋转对称性，完整光子晶体利用带边模式具有面发射的特性。利用本发明，能够实现低发散角、高亮度的大面阵相干激光光源，并且通过对光子晶体参数的调整，使得波长覆盖从可见光到近红外波段。

公开(公告)号：CN103887702A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410104143.7

申请日：2014-03-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑婉华 ,  张斯日古楞 ,  王宇飞 ,  祁帆 ,  冯志刚 ,  刘磊 ,  冯鹏 ,  赵鹏超

IPC: H01S4/00

Abstract: 本发明涉及微纳光电子与激光技术以及光电子集成领域，提出一种适用于片上集成的共面电极电注入表面等离子微纳结构波导输出激光源，包括半导体有源层、绝缘介质层、金属薄膜层，金属薄膜层与半导体有缘层之间间隔所述绝缘介质层，金属薄膜层上形成有金属条形波导，在半导体有源层上制作有半导体条形波导以及两个载流子注入区，金属条型波导与半导体条型波导相垂直，在交叉处的MIS结构中形成表面等离子体亚波长腔。两个载流子注入区位于所述金属条形波导的正上方，作为亚波长腔的一部分；半导体有源层上实现横向电注入进行泵浦。本发明以半导体大增益材料抵消金属吸收损耗实现微腔中光的激射，最终耦合进入半导体波导输出。

公开(公告)号：CN103763825A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410010264.5

申请日：2014-01-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘磊 ,  赵丽霞 ,  安平博 ,  朱石超 ,  李晋闽

IPC: H05B37/02

Abstract: 本发明提供了一种LED恒流PWM驱动电路及三基色LED混光驱动电路。该LED恒流PWM驱动电路包括：三端双向开关电路，与交流电源相连接，用于将交流电源提供的正弦交流信号转换成正弦斩波波形信号；PWM波形信号产生电路，与所述三端双向开关电路相连接，用于利用所述正弦斩波波形信号产生PWM波形信号；LED恒流驱动电路，与所述PWM波形信号产生电路相连接，用于利用所述PWM波形信号控制LED光源的导通和关断，从而实现LED的恒流PWM驱动。本发明中，三端双向开关电路直接驱动负载为阻性负载，不是容性负载，因而该技术方案能保证高功率因子，不会影响整个电网的质量。

公开(公告)号：CN101463499A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710179886.0

申请日：2007-12-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 高福宝 ,  陈诺夫 ,  吴金良 ,  刘磊

IPC: C30B29/40 ,  C30B19/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 为使GaSb基InAsxSb1－x材料实际应用到长波长红外探测器中，本发明提供一种在GaSb衬底上生长InAsxSb1－x薄膜的液相外延生长工艺，其主要特征为用原子数比In∶Sb∶As＝1∶y∶(1－y)的源熔体(0.5＜y＜1.0)以1－10K的过冷度在GaSb衬底上生长InAsxSb1－x薄膜。该工艺有设备简单，生长费用低的优点，并且所生长的InAsxSb1－x薄膜厚度可以达到几十微米，使InAsxSb1－x薄膜和GaSb衬底界面上的大晶格失配对InAsxSb1－x薄膜的整体性能影响很小。