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公开(公告)号：CN103345290B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310313883.7
申请日：2013-07-24
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种高电源抑制、低工艺偏差带隙基准电压源，包括带隙基准核心电路、预调节电路、自适应工艺调节电路、第一、第二偏置电路和启动电路；启动电路在电源电压上电时分别给第一偏置电路、第二偏置电路和带隙基准核心电路提供启动信号，第一偏置电路和第二偏置电路的输出分别连接自适应工艺调节电路和预调节电路，预调节电路从带隙基准核心电路得到预调节信号，为第一偏置电路，自适应工艺调节电路和带隙基准核心电路提供预调节电压；自适应工艺调节电路从带隙基准核心电路得到工艺信息再返回工艺调节信息给带隙基准核心电路；带隙基准核心电路接受预调节信号和工艺调节信息，最后输出带隙基准电压Vref。
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公开(公告)号：CN103345290A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310313883.7
申请日：2013-07-24
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种高电源抑制、低工艺偏差带隙基准电压源，包括带隙基准核心电路、预调节电路、自适应工艺调节电路、第一、第二偏置电路和启动电路；启动电路在电源电压上电时分别给第一偏置电路、第二偏置电路和带隙基准核心电路提供启动信号，第一偏置电路和第二偏置电路的输出分别连接自适应工艺调节电路和预调节电路，预调节电路从带隙基准核心电路得到预调节信号，为第一偏置电路，自适应工艺调节电路和带隙基准核心电路提供预调节电压；自适应工艺调节电路从带隙基准核心电路得到工艺信息再返回工艺调节信息给带隙基准核心电路；带隙基准核心电路接受预调节信号和工艺调节信息，最后输出带隙基准电压Vref。
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公开(公告)号：CN103280963A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310149510.0
申请日：2013-04-26
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02B70/126
Abstract: 本发明提供了一种降低功率管导通功耗的PFC控制电路，基于Boost升压电路的拓扑结构，包括电压环电路、功率管漏源电压VDS谷底导通控制电路和逻辑控制与驱动电路，电压环电路用于稳定输出和产生功率管的关断信号，功率管漏源电压VDS谷底导通控制电路用于检测功率管漏源VDS并与谷底电压进行比较，产生功率管的导通控制信号，逻辑控制与驱动电路用于驱动控制功率管的开通和关断。通过检测VDS的电压，确保在不同的输入电压情况下，功率管都能在其漏源电压VDS处于谷底电压或者零电压时开启，从而降低了功率管导通时的损耗。
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公开(公告)号：CN103197716A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310110341.X
申请日：2013-03-29
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种降低失调电压影响的带隙基准电压电路，基于传统的带隙基准电压电路结构，设有PNP三极管Q1、Q2和Q3、运算放大器OP、电阻R1和R2、PMOS管M1、M2和M3，其特征在于：在PNP三极管Q1及Q2的发射极与基极之间分别增设电阻R3及R5，在PNP三极管Q1及Q2的基极与地之间分别增设电阻R4及R6。本发明通过引入分压电阻网络，从结构上减小失调电压VOS的系数，从而降低了失调电压对基准电压的影响，可以得到精度更高、稳定性更好的基准电压。
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公开(公告)号：CN103105571A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310025968.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法，包括以下步骤：步骤10）获取绝缘栅双极型晶体管的测试导通特性和测试输出特性；步骤20）建立仿真程序内部集成模型的仿真电路；步骤30）建立实际集电极电压与修正集电极电压的对应关系；步骤40）得到实际集电极电压与修正集电极电压的修正系数；步骤50）仿真建立一次修正的实际导通特性；步骤60）建立实际栅极电压与修正栅极电压的对应关系；步骤70）得到实际栅极电压与修正栅极电压的修正系数；步骤80）仿真建立二次修正的实际输出特性。该方法可以解决注重集成电路仿真程序PSPICE内部集成的绝缘栅双极型晶体管模型的电流特性精确度不高的问题。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101308394A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810124380.4
申请日：2008-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 一种耗尽型MOS管稳定电压源电路，其特征是电路中设有耗尽型NMOS管及耗尽型PMOS管，以及用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第一正温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型PMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第二正温度系数电压产生电路以及将第一、第二正温度系数电压产生电路产生的两个具有正温度系数的电压值相减，通过稳定电压源产生电路获得低温漂稳定电压源。
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公开(公告)号：CN1763972A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510094031.9
申请日：2005-08-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种用作高压器件的三维多栅高压P型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有氧化层，在氧化层上设有柱状P型漂移区，在氧化层上且位于P型漂移区两端分别相邻设置P型漏和P沟道，在氧化层上且位于与P沟道相邻的位置设有P型源，在P型漂移区的表面包覆有场氧化层，在P沟道的表面包覆有栅氧层，在场氧化层和栅氧层的表面包覆有多晶硅层；本发明具有结构紧凑且能与标准SOI金属氧化物半导体工艺相兼容，在相同的击穿电压下，导通电阻小于传统的高压横向双扩散金属氧化物半导体管的三分之一，而电流密度增加2倍以上等优点。
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公开(公告)号：CN112257361B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202011142257.2
申请日：2020-10-22
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开并保护了一种基于二次拟合模型的标准单元库构建方法，在标准单元延迟模型中引入工艺波动随机变量，通过统计静态时序分析量化工艺波动对延迟的影响，进而通过二次迭代方法对单元延迟进行建模，构建标准单元统计库。在单元层中，本发明首先设置多个工作条件场景，将在不同工作条件下SPICE仿真获得的单元延迟作为训练数据，对电路单元的延迟分布进行建模，并通过二次非线性回归建立单元延迟关于工作条件的二次模型；将工艺参数波动视为遵循高斯分布的随机变量，通过二次拟合方法形成单元延迟模型，应用多元牛顿迭代法来拟合延迟模型系数关于工作条件的多元函数；对SMIC28nm工艺下的不同的标准单元重复上述流程，构建标准单元统计库。
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公开(公告)号：CN112906331A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110311635.3
申请日：2021-03-24
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/3312 , G06F30/367 , G06F17/18
Abstract: 本发明公开并保护了一种基于对数扩展偏正态分布的标准单元延时模型构建方法，对于每一个标准单元，首先设置多个工作条件场景，在不同的工作条件下，将通过SPICE仿真得到的关于工艺波动的单元延时分布数据作为训练数据，并利用最大似然估计法拟合对数扩展偏正态分布模型，得到模型系数；将对数扩展偏正态分布模型系数视为与工作条件相关的参数，并建立二次模型，通过非线性回归的方法拟合对数扩展偏正态分布模型系数关于工作条件的多元函数，最终实现基于对数扩展偏正态分布的标准单元延时模型。
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