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公开(公告)号：CN112257361A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011142257.2
申请日：2020-10-22
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开并保护了一种基于二次拟合模型的标准单元库构建方法，在标准单元延迟模型中引入工艺波动随机变量，通过统计静态时序分析量化工艺波动对延迟的影响，进而通过二次迭代方法对单元延迟进行建模，构建标准单元统计库。在单元层中，本发明首先设置多个工作条件场景，将在不同工作条件下SPICE仿真获得的单元延迟作为训练数据，对电路单元的延迟分布进行建模，并通过二次非线性回归建立单元延迟关于工作条件的二次模型；将工艺参数波动视为遵循高斯分布的随机变量，通过二次拟合方法形成单元延迟模型，应用多元牛顿迭代法来拟合延迟模型系数关于工作条件的多元函数；对SMIC28nm工艺下的不同的标准单元重复上述流程，构建标准单元统计库。
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公开(公告)号：CN112257361B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202011142257.2
申请日：2020-10-22
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开并保护了一种基于二次拟合模型的标准单元库构建方法，在标准单元延迟模型中引入工艺波动随机变量，通过统计静态时序分析量化工艺波动对延迟的影响，进而通过二次迭代方法对单元延迟进行建模，构建标准单元统计库。在单元层中，本发明首先设置多个工作条件场景，将在不同工作条件下SPICE仿真获得的单元延迟作为训练数据，对电路单元的延迟分布进行建模，并通过二次非线性回归建立单元延迟关于工作条件的二次模型；将工艺参数波动视为遵循高斯分布的随机变量，通过二次拟合方法形成单元延迟模型，应用多元牛顿迭代法来拟合延迟模型系数关于工作条件的多元函数；对SMIC28nm工艺下的不同的标准单元重复上述流程，构建标准单元统计库。
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公开(公告)号：CN110738014B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910922772.3
申请日：2019-09-27
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/3312
Abstract: 本发明公开了一种时序电路统计分析中的关键工艺波动确定方法，本发明首先定义参考工作条件，并基于多元线性回归求出在参考工作条件下所有单元的各工艺波动参考权重，其中工作条件至少包含电压、温度、输入转换时间和输出电容，权重定义为工艺波动对单元/电路延迟的影响程度；利用随机生成的多组不同工作条件及各条件下的工艺波动权重，构建工艺波动权重与参考权重、工作条件偏差之间的二阶模型；通过单次电路仿真得到各单元的工作条件，通过二阶模型得到对应的工艺波动权重。根据较大权重所对应的工艺波动作为关键参数，可以实现电路的工艺波动参数快速降维。
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公开(公告)号：CN110738014A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910922772.3
申请日：2019-09-27
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/3312
Abstract: 本发明公开了一种时序电路统计分析中的关键工艺波动确定方法，本发明首先定义参考工作条件，并基于多元线性回归求出在参考工作条件下所有单元的各工艺波动参考权重，其中工作条件至少包含电压、温度、输入转换时间和输出电容，权重定义为工艺波动对单元/电路延迟的影响程度；利用随机生成的多组不同工作条件及各条件下的工艺波动权重，构建工艺波动权重与参考权重、工作条件偏差之间的二阶模型；通过单次电路仿真得到各单元的工作条件，通过二阶模型得到对应的工艺波动权重。根据较大权重所对应的工艺波动作为关键参数，可以实现电路的工艺波动参数快速降维。
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