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公开(公告)号:CN112257361A
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:CN202011142257.2
申请日:2020-10-22
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开并保护了一种基于二次拟合模型的标准单元库构建方法,在标准单元延迟模型中引入工艺波动随机变量,通过统计静态时序分析量化工艺波动对延迟的影响,进而通过二次迭代方法对单元延迟进行建模,构建标准单元统计库。在单元层中,本发明首先设置多个工作条件场景,将在不同工作条件下SPICE仿真获得的单元延迟作为训练数据,对电路单元的延迟分布进行建模,并通过二次非线性回归建立单元延迟关于工作条件的二次模型;将工艺参数波动视为遵循高斯分布的随机变量,通过二次拟合方法形成单元延迟模型,应用多元牛顿迭代法来拟合延迟模型系数关于工作条件的多元函数;对SMIC28nm工艺下的不同的标准单元重复上述流程,构建标准单元统计库。
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公开(公告)号:CN112257361B
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202011142257.2
申请日:2020-10-22
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开并保护了一种基于二次拟合模型的标准单元库构建方法,在标准单元延迟模型中引入工艺波动随机变量,通过统计静态时序分析量化工艺波动对延迟的影响,进而通过二次迭代方法对单元延迟进行建模,构建标准单元统计库。在单元层中,本发明首先设置多个工作条件场景,将在不同工作条件下SPICE仿真获得的单元延迟作为训练数据,对电路单元的延迟分布进行建模,并通过二次非线性回归建立单元延迟关于工作条件的二次模型;将工艺参数波动视为遵循高斯分布的随机变量,通过二次拟合方法形成单元延迟模型,应用多元牛顿迭代法来拟合延迟模型系数关于工作条件的多元函数;对SMIC28nm工艺下的不同的标准单元重复上述流程,构建标准单元统计库。
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