公开(公告)号：CN101950721B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201010226907.1

申请日：2010-07-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤直行 ,  长山将之 ,  长久保启一

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/324 ,  H01L21/263

CPC classification number: C23C8/36 ,  C23C8/80 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/56 ,  H01J2237/31

Abstract: 本发明提供能够容易地消除形成在部件表面特别是台阶部的破碎层的表面处理方法。对表面具有破碎层25h的由碳化硅形成的聚焦环25，向表面照射电子束45，或使用等离子体喷枪50加热表面，或将其收容于退火处理装置60进行加热，从而将聚焦环25的表面加热到碳化硅的重结晶温度，例如1100℃～1300℃，使该部分的碳化硅重结晶从而改性为致密层，使当将聚焦环25应用于等离子体处理装置10时的从聚焦环25的表面释放出的粒子数减少。

公开(公告)号：CN101920256B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201010203984.5

申请日：2010-06-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  佐藤直行 ,  长久保启一 ,  永关一也

IPC: B09B3/00

CPC classification number: H01L21/465 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4418 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供能够消除浪费的等离子体处理装置用的消耗部件的再利用方法。通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(41)，加工碳化硅块(41)制造聚焦环(25)，在将所制造的聚焦环(25)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数，对在等离子体蚀刻处理中消耗的聚焦环(25’)的表面进行酸清洗，向被清洗的聚焦环(25)的表面通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(42)，加工碳化硅块(42)再制造聚焦环(25”)，在将再制造的聚焦环(25”)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数。

公开(公告)号：CN102569130A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110445614.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊池英一郎 ,  长山将之 ,  宫井高广

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。

公开(公告)号：CN102468106A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110353550.8

申请日：2011-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  菊池英一郎

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供一种通过抑制被处理基板的周缘部的温度上升，能够提高等离子体处理的面内均匀性，能够进行均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有：处理腔室，能够将该处理腔室的内部气密地闭塞；处理气体供给机构，用于向处理腔室内供给处理气体；排气机构，用于从处理腔室内排气；等离子体生成机构，用于生成处理气体的等离子体；载置台，设于处理腔室内，且构成为将被处理基板和以围绕该被处理基板的周围的方式配置的聚焦环载置在同一平面上；调温机构，用于调节载置台的温度；静电吸盘，配置于载置台的上表面且具有延伸至聚焦环的下部的吸附用电极。

公开(公告)号：CN101920256A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010203984.5

申请日：2010-06-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  佐藤直行 ,  长久保启一 ,  永关一也

IPC: B09B3/00

CPC classification number: H01L21/465 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4418 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供能够消除浪费的等离子体处理装置用的消耗部件的再利用方法。通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(41)，加工碳化硅块(41)制造聚焦环(25)，在将所制造的聚焦环(25)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数，对在等离子体蚀刻处理中消耗的聚焦环(25’)的表面进行酸清洗，向被清洗的聚焦环(25)的表面通过CVD层叠碳化硅生成碳化硅块(42)，加工碳化硅块(42)再制造聚焦环(25”)，在将再制造的聚焦环(25”)安装到等离子体处理装置(10)之后，等离子体蚀刻处理反复规定的次数。

公开(公告)号：CN1199247C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN01809509.7

申请日：2001-05-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 先崎滋 ,  佐佐木利树 ,  青砥雅 ,  长山将之 ,  三桥康至

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32458

Abstract: 本发明提供一种使维护容易进行、可减轻操作者负担的处理装置及其维护方法。构成蚀刻装置(100)的处理室(102)的顶板部的上部电极单元(106)由包含上部电极(130)的处理室(102)侧的下部组件(128)、和包含导电体(144)的电压供给侧的上部组件(128)构成。解除锁定机构(156)，通过升降机构(164)单独使上部组件(126)上升并取出后，进行上部组件(126)和/或下部组件(128)的维护。将锁定机构(156)锁定，通过升降机构(164)使上部及下部组件(126、128)一体上升，取出后，对处理室(102)内进行维护。

公开(公告)号：CN1516535A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310115779.3

申请日：2003-11-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三桥康至 ,  中山博之 ,  长山将之 ,  守屋刚 ,  长池宏史

IPC: H05H1/00 ,  B01J19/02 ,  C23C4/10 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/24 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32477 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31721

Abstract: 本发明提供一种可抑制形成为掺杂涂层的喷镀膜剥离的等离子体处理容器内部件。它是在基材(71)与喷镀膜(72)之间，由对含卤素处理气体的耐腐蚀性好的材料形成屏蔽生涂层(73)，通过树脂或溶胶凝胶法对该屏蔽性涂层(73)进行封孔处理。