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公开(公告)号：CN107527784A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710474908.X
申请日：2017-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种对矩形的被处理基板的外周侧的区域在周向上进行更加均匀的等离子体处理的技术。本发明的等离子体处理装置(1)利用形成于阴极电极(13)与矩形的阳极电极部(3)之间的处理气体的电容耦合等离子体(P)对矩形的被处理基板(G)实施等离子体处理。此时，阳极电极部(3)在径向上被分割成多个径向分割电极(34、33、32)，外周侧的径向分割电极(32)进一步被分割成角部侧的角部分割电极(32b)和边部侧的边部分割电极(32a)。在这些角部分割电极(32b)和边部分割电极(32a)中的至少一者接地端(104)侧设置有阻抗调整部(52、51)。
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公开(公告)号：CN104157541B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410203140.9
申请日：2014-05-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种具有能够容易地应对高输出化的高频电源的等离子体处理装置。本发明的第一高频电源部(65)具有电源控制部(130)、高频电源(140)和合成器(150)。多个放大部(142)彼此并联地连接到合成器(150)上，合成器(150)对由各放大部(142)放大后的高频电力进行合成。合成器(150)与匹配箱(63)连接，由合成器(150)合成后的高频电力经由匹配箱(63)供给到作为上部电极起作用的喷头(31)。
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公开(公告)号：CN103996595B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201410054308.4
申请日：2014-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够使用分割型电介质窗对大型被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。本发明为对矩形形状的基板实施电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置，包括：收纳基板的处理室；用于在处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和配置在生成电感耦等离子体的生成区域与高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形形状的电介质窗，高频天线设置成在与电介质窗对应的面内回转走线，电介质窗由金属制的支承梁分割为多个分割片，多个分割片包括包含长边的第一分割片和包含短边的第二分割片，第二分割片的径向的宽度（a）与上述第一分割片的径向的宽度（b）之比a/b为0.8以上1.2以下的范围。
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公开(公告)号：CN103295935B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201310052757.0
申请日：2013-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种不需要大量的处理气体也提高处理气体的使用效率、且对被处理体实施处理的处理空间的气密性也良好的基板处理装置。该基板处理装置包括：气体供给头（3），其设于具有用于载置被处理体的载置面（2a）的载置台（2）的一端，具有用于将处理气体向载置面喷出的多个气孔（4）；罩（6），其用于收容气体供给头和被处理体，以能够相对于载置台装卸自由的方式与载置台接合，用于在载置面之上形成处理空间（7）；密封构件（21)，其设于罩与载置台之间的接合部（20），对罩与载置台之间进行密封；吹扫气体槽（22），其设置于罩与载置台之间的接合部且设于密封构件与处理空间之间；吹扫气体供给机构，其用于向吹扫气体槽供给吹扫气体。
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公开(公告)号：CN103215568B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310027371.4
申请日：2013-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065
Abstract: 本发明在于提供一种气体供给均匀性高、能够抑制在非计划的区域产生不需要的堆积物的气体供给头。该气体供给头具有由多个气体排出孔构成的第一气体孔列（102a）；由在和该第一气体孔列（102a）相同的面中与该第一气体孔列（102a）并列配置的另外的多个气体排出孔构成的第二气体孔列（102b）；由分别经由气体流路仅与构成上述第一气体孔列（102a）的气体排出孔连通的一个或者两个以上的气体扩散室（101a）；和由分别经由气体流路仅与构成上述第二气体孔列（102b）的气体排出孔连通的一个或者两个以上的气体扩散室（101b），对上述第一气体扩散室（101a）和第二气体扩散室（102b）供给不同种类的气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106154662A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610319185.1
申请日：2016-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/1333 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种能够以高亮度显示图像的液晶显示装置的制造方法。该液晶显示装置(10)具有：覆盖薄膜晶体管(15)的漏极电极(19)的有机绝缘膜(22)；在该有机绝缘膜(22)上形成的公共电极(23)；以覆盖该公共电极(23)的方式在有机绝缘膜(22)上形成的无机绝缘膜(24)；和在该无机绝缘膜(24)上形成的像素电极(25)，在液晶显示装置中，使用相同的掩模膜(28)对无机绝缘膜(24)和有机绝缘膜(22)进行蚀刻，在同一对准下形成贯通无机绝缘膜(24)的无机绝缘膜贯通孔(29)和贯通有机绝缘膜(22)的有机绝缘膜贯通孔(30)，无机绝缘膜贯通孔(29)和有机绝缘膜贯通孔(30)构成接触孔(31)。
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公开(公告)号：CN104916568A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510105351.3
申请日：2015-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67011 , H01J37/3178 , H01J37/32366 , H01J37/32431
Abstract: 本发明一种能够抑制氧化物半导体的特性的降低且制造薄膜晶体管的等离子体处理装置等。等离子体处理装置(2)对形成有薄膜晶体管(8)的基板F执行等离子体处理，进行上述等离子体处理的处理容器(31)具备用于载置上层侧的金属膜被蚀刻处理而呈露出了氧化物半导体层(84)的状态的基板F的载置台(331)。真空排气部(314)进行处理容器(31)内的真空排气，从气体供给部(360)供给作为等离子体产生用气体的水蒸汽或含有氟的气体和氧气的混合气体。等离子体产生部(34)将上述等离子体产生用气体等离子体化，来执行将氧化物半导体层(84)暴露于利用水蒸汽或利用含有氟的气体和氧气的混合气体产生的等离子体中的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN104733497A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410795442.X
申请日：2014-12-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够防止由有机物致使发光部的有机化合物劣化的有机EL元件构造和其制造方法以及发光面板。有机EL元件构造(10)具有元件层叠部(12)，该元件层叠部(12)由在元件驱动电路层(11)上依次层叠的阳极膜(15)、含有有机化合物的发光部(16)及阴极膜(17)构成，在元件驱动电路层(11)和元件层叠部(12)之间配置有密封膜(14)。
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公开(公告)号：CN103996595A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410054308.4
申请日：2014-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够使用分割型电介质窗对大型被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。本发明为对矩形形状的基板实施电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置，包括：收纳基板的处理室；用于在处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和配置在生成电感耦等离子体的生成区域与高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形形状的电介质窗，高频天线设置成在与电介质窗对应的面内回转走线，电介质窗由金属制的支承梁分割为多个分割片，多个分割片包括包含长边的第一分割片和包含短边的第二分割片，第二分割片的径向的宽度（a）与上述第一分割片的径向的宽度（b）之比a/b为0.8以上1.2以下的范围。
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公开(公告)号：CN103215566A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310018608.2
申请日：2013-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种能够对气体扩散室的内部充分地进行清扫，能够抑制在非计划的区域产生不需要的堆积物的气体供给喷头。上述气体供给喷头具备：包括直线状的筒状空间的气体扩散室（101）；与该第一气体扩散室（101）对应地设置，形成列状的多个气体排出孔（102）；设置于气体扩散室（101）的一端，与向气体扩散室（101）内供给气体的气体供给系统（9）连接的第一气体供给口（103）；和设置于气体扩散室（101）的另一端，与从气体扩散室（101）内排出气体的气体排气系统（10）连接的排气口（104）。
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