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公开(公告)号：CN102839360A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210211011.5
申请日：2012-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/45546
Abstract: 本发明提供处理气体的使用效率高、且即便被处理体的面积巨大也能够应用ALD法的批量式处理装置。具备主室（31a）；在主室（31a）内沿该主室的高度方向层叠设置，并载置被处理体（G）的多个工作台（101a～101y）；以及针对每个工作台（101a～101y）分别设置一个、并遮盖载置于工作台（101a～101y）的被处理体（G）的多个罩（102a～102y），利用多个工作台（101a～101y）与多个罩（102a～102y），以包围载置于多个工作台（101a～101y）的多个被处理体（G）中的各被处理体（G）的方式，形成容量小于主室（31a）的容量的处理用小空间（106）。
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公开(公告)号：CN1855414A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610076914.1
申请日：2006-04-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , B65G49/05 , B65G49/06 , B65G49/07
Abstract: 本发明提供一种处理装置系统(10)，包括：搬送处理前后的玻璃基板(S、S’)的搬送线(11)，沿着该搬送线(11)设置且处理玻璃基板(S)的多个处理装置(12)，和在多个处理装置(12)与搬送线(11)之间传递处理前后的玻璃基板(S、S’)的第一传递机构(12)，其中，所述第一传递机构(13)在搬送线(11)与多个处理装置(12)之间同时传递多个玻璃基板(S、S’)，这样来解决在现有技术的FDP的制造中使用的处理装置系统对每个基板的处理时间都较长，处理效率不高的问题。
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公开(公告)号：CN105549277B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201510697063.1
申请日：2015-10-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G03F1/56
Abstract: 本发明提供一种像素电极的图案形成方法和形成系统，在制造IPS方式、FFS方式的液晶驱动方式等的液晶显示装置时，即使使用分辨率低的现有的通常的曝光装置，也能够进一步实现像素电极的窄间距化。在玻璃基板(G)上形成像素电极的图案的方法，在玻璃基板(G)上的像素电极层(1)的上表面，在成为上述图案的第一间隙部的部分形成抗蚀剂(2)，然后形成牺牲膜，接着以保留残置牺牲膜(3a)、(3b)的方式去除牺牲膜，在像素电极层(1)的上表面形成上述图案的第二间隙部(S2)。然后去除抗蚀剂(2)，形成上述图案的第二间隙部，接着，在上述第一间隙部、第二间隙部的侧方形成接触部的抗蚀剂，然后去除第一间隙部、第二间隙部的像素电极层。
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公开(公告)号：CN105549277A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510697063.1
申请日：2015-10-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G03F1/56
Abstract: 本发明提供一种像素电极的图案形成方法和形成系统，在制造IPS方式、FFS方式的液晶驱动方式等的液晶显示装置时，即使使用分辨率低的现有的通常的曝光装置，也能够进一步实现像素电极的窄间距化。在玻璃基板(G)上形成像素电极的图案的方法，在玻璃基板(G)上的像素电极层(1)的上表面，在成为上述图案的第一间隙部的部分形成抗蚀剂(2)，然后形成牺牲膜，接着以保留残置牺牲膜(3a)、(3b)的方式去除牺牲膜，在像素电极层(1)的上表面形成上述图案的第二间隙部(S2)。然后去除抗蚀剂(2)，形成上述图案的第二间隙部，接着，在上述第一间隙部、第二间隙部的侧方形成接触部的抗蚀剂，然后去除第一间隙部、第二间隙部的像素电极层。
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公开(公告)号：CN104733497A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410795442.X
申请日：2014-12-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够防止由有机物致使发光部的有机化合物劣化的有机EL元件构造和其制造方法以及发光面板。有机EL元件构造(10)具有元件层叠部(12)，该元件层叠部(12)由在元件驱动电路层(11)上依次层叠的阳极膜(15)、含有有机化合物的发光部(16)及阴极膜(17)构成，在元件驱动电路层(11)和元件层叠部(12)之间配置有密封膜(14)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101226894B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810003447.9
申请日：2008-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 石田宽
IPC: H01L21/683 , H01L21/66 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种基板保持机构，该基板保持机构包括：用于向载置台(300)和保持在该载置台(300)的基板保持面上的基板(G)之间供给气体的气体流路(352)；将来自气体流路的气体导向基板保持面上的多个气孔(354)；比被处理基板的周边向外侧仅离开规定的错位容许量(b)并沿周边配设的、以比载置台的基板保持面高的方式突出的错位检测用突起(332)；测定流路的压力的压力表(363)；和当将基板保持在载置台上时，根据来自压力测定机构的检测压力对来自气孔的气体的泄漏量进行检测，根据该检测结果对是否有规定的错位容许量以上的基板的错位进行检测的控制部(400)。
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公开(公告)号：CN101615570B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910146244.X
申请日：2009-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/311 , H01L21/677 , G03F7/42
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，其在打开盖住容器主体的上部开口部的盖体，将被处理体搬入搬出处理容器时，可以降低混入处理容器内部的水分和颗粒的量。其包括内部具有成为被处理体的基板(S)的载置台(3)的容器主体(21)和盖住该容器主体(21)的上部开口部的盖体(22)，当为了将上述基板(S)搬入或者搬出处理容器(20)而在盖体(22)和容器主体(21)之间形成间隙时，在处理容器(20)的外周面，沿周方向设置罩部件(5)，以便至少在基板(S)的搬入搬出区域之外的区域覆盖上述间隙。
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公开(公告)号：CN105489655B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201510633441.X
申请日：2015-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 高知县公立大学法人
IPC: H01L29/786 , H01L29/36 , H01L21/34
Abstract: [课题]提供能够防止性能降低的电子设备及其制造方法和其制造装置。[解决手段]薄膜晶体管(21)具备：由IGZO膜构成的沟道(14)、与该沟道(14)邻接的蚀刻停止膜(22)、夹持该蚀刻停止膜(22)且与沟道(14)相对的钝化膜(23)，钝化膜(23)由含氟的氮化硅膜形成，蚀刻停止膜(22)与沟道(14)的边界的氟原子浓度高于沟道(14)的边界以外部分的氟原子浓度，且蚀刻停止膜(22)的上述边界以外部分的氟原子浓度分布具有面向上述边界而减少的浓度梯度。
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公开(公告)号：CN101615570A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910146244.X
申请日：2009-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/311 , H01L21/677 , G03F7/42
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，其在打开盖住容器主体的上部开口部的盖体，将被处理体搬入搬出处理容器时，可以降低混入处理容器内部的水分和颗粒的量。其包括内部具有成为被处理体的基板(S)的载置台(3)的容器主体(21)和盖住该容器主体(21)的上部开口部的盖体(22)，当为了将上述基板(S)搬入或者搬出处理容器(20)而在盖体(22)和容器主体(21)之间形成间隙时，在处理容器(20)的外周面，沿周方向设置罩部件(5)，以便至少在基板(S)的搬入搬出区域之外的区域覆盖上述间隙。
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公开(公告)号：CN101226894A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810003447.9
申请日：2008-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 石田宽
IPC: H01L21/683 , H01L21/66 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种基板保持机构，该基板保持机构包括：用于向载置台(300)和保持在该载置台(300)的基板保持面上的基板(G)之间供给气体的气体流路(352)；将来自气体流路的气体导向基板保持面上的多个气孔(354)；比被处理基板的周边向外侧仅离开规定的错位容许量(b)并沿周边配设的、以比载置台的基板保持面高的方式突出的错位检测用突起(332)；测定流路的压力的压力表(363)；和当将基板保持在载置台上时，根据来自压力测定机构的检测压力对来自气孔的气体的泄漏量进行检测，根据该检测结果对是否有规定的错位容许量以上的基板的错位进行检测的控制部(400)。
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