-
公开(公告)号：CN104916787B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510111672.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 仙波昌平
Abstract: 提供能够防止由水分导致的发光部的有机化合物劣化的密封结构的形成方法、制造装置、以及有机EL器件结构、其制造方法、及其制造装置。将器件层叠部(12)用通过ALD法形成的氧化铝的第1阻挡膜(18)覆盖，将该第1阻挡膜(18)用通过CVD法形成的有机膜(19)覆盖，对该有机膜(19)进行各向异性蚀刻，进而将第1阻挡膜(18)用氮化硅的第2阻挡膜(20)覆盖，所述器件层叠部(12)包括依次层叠的阳极膜(14)、包含有机化合物的发光部(15)和阴极膜(16)。
-
公开(公告)号：CN105039932A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510178260.2
申请日：2015-04-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供成膜装置以及排气装置和排气方法，即使成膜装置大型化，也能够防止排气结构的大型化、高成本化和复杂化并且能够抑制反应生成物在排气路径的沉积。排气单元(3)包括：对处理容器11内进行排气的前级真空泵(32)；在前级真空泵(32)的排气侧分支地设置、构成与被供给至处理容器(11)的第一处理气体和第二处理气体分别对应的排气路径的第一分支配管(33)和第二分支配管(34)；在第一分支配管(33)和第二分支配管(34)分别设置的第一后级真空泵(35)和第二后级真空泵(36)；切换排气路径的排气路径切换部(37、38)；和排气控制器(41)，其控制排气路径切换部(37、38)，使得排放气体在与第一处理气体和第二处理气体中被供给至处理容器(11)内的处理气体对应的排气路径流动。
-
公开(公告)号：CN103426746B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201310173326.X
申请日：2013-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置，能够缩短在使用多种处理气体对基板连续地实施多个处理时所需要的时间。在具有腔室（11）和向该腔室导入处理气体的处理气体导入管路（12）的导入管（19）的基板处理装置（10）中，在对自上方以第1层、第2层以及第3层的顺序层叠有第1层、第2层以及第3层的基板（S）连续地实施蚀刻处理时，在蚀刻第1层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室中的第1蚀刻气体挤出而排出，在蚀刻第2层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室中的第2蚀刻气体挤出而排出，在蚀刻第3层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室的第3蚀刻气体挤出而排出。
-
公开(公告)号：CN106154662A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610319185.1
申请日：2016-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/1333 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种能够以高亮度显示图像的液晶显示装置的制造方法。该液晶显示装置(10)具有：覆盖薄膜晶体管(15)的漏极电极(19)的有机绝缘膜(22)；在该有机绝缘膜(22)上形成的公共电极(23)；以覆盖该公共电极(23)的方式在有机绝缘膜(22)上形成的无机绝缘膜(24)；和在该无机绝缘膜(24)上形成的像素电极(25)，在液晶显示装置中，使用相同的掩模膜(28)对无机绝缘膜(24)和有机绝缘膜(22)进行蚀刻，在同一对准下形成贯通无机绝缘膜(24)的无机绝缘膜贯通孔(29)和贯通有机绝缘膜(22)的有机绝缘膜贯通孔(30)，无机绝缘膜贯通孔(29)和有机绝缘膜贯通孔(30)构成接触孔(31)。
-
公开(公告)号：CN105039932B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201510178260.2
申请日：2015-04-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供成膜装置以及排气装置和排气方法，即使成膜装置大型化，也能够防止排气结构的大型化、高成本化和复杂化并且能够抑制反应生成物在排气路径的沉积。排气单元(3)包括：对处理容器11内进行排气的前级真空泵(32)；在前级真空泵(32)的排气侧分支地设置、构成与被供给至处理容器(11)的第一处理气体和第二处理气体分别对应的排气路径的第一分支配管(33)和第二分支配管(34)；在第一分支配管(33)和第二分支配管(34)分别设置的第一后级真空泵(35)和第二后级真空泵(36)；切换排气路径的排气路径切换部(37、38)；和排气控制器(41)，其控制排气路径切换部(37、38)，使得排放气体在与第一处理气体和第二处理气体中被供给至处理容器(11)内的处理气体对应的排气路径流动。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104698512B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410743609.8
申请日：2014-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在基材上均匀地形成薄的氧化铝膜得到均匀的微细凹凸状的防反射结构的、具有防反射功能的部件及其制造方法。具有防反射功能的部件(10)具有基材(11)和形成在基材(11)的表面的防反射膜(13)。防反射膜(13)通过利用高温的热水或者水蒸气对由原子层沉积法形成的氧化铝膜进行水热处理，由此形成有微细凹凸结构。
-
公开(公告)号：CN105316654A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510348818.7
申请日：2015-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，其进行分批式ALD成膜，能够不增大气体供给量，并且能够抑制生产节拍的降低、提高处理气体的利用效率、抑制在排气通路中的反应生成物的生成。分批式成膜装置(100)包括多个处理室(15)、气体供给单元(2)、排气单元(3)和控制部(4)。排气单元具有分别与第一处理气体和第二处理气体对应的2个排气通路；和切换2个排气通路的排气通路切换部(34、35)，控制部控制气体供给单元，使得在从气体供给单元向处理室供给第一处理气体和第二处理气体时，将一种处理气体以具有时间差的方式依次供给到各处理室，并且控制排气通路切换部，使得经由与向各处理室所供给的处理气体对应的排气通路排气。
-
公开(公告)号：CN106257705A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610457681.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种叠层密封膜形成方法和形成装置，其在抑制生产性降低和异物附着的同时能够形成膜厚度薄且具有高密封性能的叠层密封膜。在叠层密封膜形成方法中，在多个作为发光层的有机EL层(102)形成于衬底(101)上而得到的有机EL元件(S)上，形成无机膜(201)和有机膜(202)层叠的结构的叠层密封膜(203)，在一个处理容器(11)内交替地反复进行多次利用原子层沉积法形成无机膜(201)的步骤和利用蒸镀聚合法形成有机膜(202)的步骤。
-
公开(公告)号：CN104916787A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510111672.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 仙波昌平
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 提供能够防止由水分导致的发光部的有机化合物劣化的密封结构的形成方法、制造装置、以及有机EL器件结构、其制造方法、及其制造装置。将器件层叠部(12)用通过ALD法形成的氧化铝的第1阻挡膜(18)覆盖，将该第1阻挡膜(18)用通过CVD法形成的有机膜(19)覆盖，对该有机膜(19)进行各向异性蚀刻，进而将第1阻挡膜(18)用氮化硅的第2阻挡膜(20)覆盖，所述器件层叠部(12)包括依次层叠的阳极膜(14)、包含有机化合物的发光部(15)和阴极膜(16)。
-
公开(公告)号：CN103426746A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310173326.X
申请日：2013-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置，能够缩短在使用多种处理气体对基板连续地实施多个处理时所需要的时间。在具有腔室（11）和向该腔室导入处理气体的处理气体导入管路（12）的导入管（19）的基板处理装置（10）中，在对自上方以第1层、第2层以及第3层的顺序层叠有第1层、第2层以及第3层的基板（S）连续地实施蚀刻处理时，在蚀刻第1层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室中的第1蚀刻气体挤出而排出，在蚀刻第2层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室中的第2蚀刻气体挤出而排出，在蚀刻第3层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室的第3蚀刻气体挤出而排出。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.017 seconds)
