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公开(公告)号:CN112563110B
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202010977676.1
申请日:2020-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。能够抑制等离子体变得不稳定。在处理室的内部设有供基板载置的载置台,在该处理室中对基板实施等离子体处理。高频电源向载置台供给偏压用的高频电。多个隔板包围载置台的上表面的外周,彼此分离地配置。凹部位于至少一组相邻的隔板之间,具有包括底壁和多个侧壁的内壁部,构成与载置台相对的对向电极。
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公开(公告)号:CN110610843B
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN201910505078.1
申请日:2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供不论基片的大小如何都能够在进行等离子体处理时高精度地检测出基片与载置台的局部剥离的技术。本发明的等离子体处理装置中,对静电吸附电极施加直流电压,将玻璃基片静电吸附于载置台,根据直流电压的变化来检测出玻璃基片与载置台的剥离,该等离子体处理装置能够测量施加到静电吸附电极的直流电压并获取电压测量值。并且,获取电压测量值与经施加的电压设定值的差值,将差值放大来获取差放大值。并且比较差放大值与阈值,当差放大值超过了阈值时,停止施加产生等离子体的高频电力。因此,当玻璃基片大型化而直流电压的变化变小时,也能够检测出玻璃基片与载置台的剥离。
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公开(公告)号:CN113299531A
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN202110179866.3
申请日:2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供使等离子体密度的均匀性提高的电感耦合天线和等离子体处理装置。一种电感耦合天线,其为矩形框状,在对载置于载置台的载置面的矩形基板进行等离子体处理的处理容器内形成生成所述等离子体的感应电场,并具有与所述载置面相对的相对面,其中,该电感耦合天线具有:平面部,其位于所述相对面且将4个天线线材卷绕为位置各错开90°;以及纵卷部,其位于所述天线线材各自的末端,绕与所述相对面平行且与所述矩形框的角部交叉的卷绕轴线一边形成共用所述相对面的底部平面部一边以纵向卷绕的方式进行卷绕。
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公开(公告)号:CN104517797B
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201410514319.6
申请日:2014-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置,其能够防止处理容器的贯通开口部中的局部的等离子体的产生。在处理容器的贯通开口部的开口底面配置有作为阻抗调整部件的绝缘部件(45)。绝缘部件(45)由相对介电常数在10以下,优选4以下的材料构成,利用绝缘部件(45)使从等离子体看到的贯通开口部的电阻抗大于主体容器(2A)的衬垫(60),能够防止门开口部(41)中的局部的等离子体的产生。在绝缘部件(45)之上设置盖部件(47),通过覆盖绝缘部件(45)的表面,能够保护绝缘部件(45)免受等离子体的损伤。
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公开(公告)号:CN103167717A
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN201210555679.1
申请日:2012-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 东条利洋
IPC: H05H1/46 , H01L21/67 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供电感耦合等离子体用天线单元和电感耦合等离子体处理装置。对于设有将多个形成螺旋状的天线相邻设置而成的高频天线的等离子体处理装置,能确保良好的等离子体控制性。在天线单元(50)中,高频天线(13)包括:第1天线(13a),其呈螺旋状,被供给第1高频电力而形成感应电场;第2天线(13b),其呈螺旋状,与第1螺旋状天线呈同心状设置,被供给第2高频电力而形成感应电场;隔离构件,其配置在第1天线(13a)与第2天线(13b)之间,呈接地的状态或者浮置状态,而且构成闭合电路,用于将利用第1天线(13a)形成的磁场和利用第2天线(13b)形成的磁场分离开。
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公开(公告)号:CN101908459B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201010253531.3
申请日:2009-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及一种载置台机构和采用该机构的等离子体处理装置,通过减小向吸盘电极施加直流电压时和切断直流电压时的吸盘等效电路的时间常数,迅速进行电荷的蓄积和电荷的释放。该载置台机构载置被处理体(W),设在处理容器(52)内,包括载置台(84)、内部设有吸盘电极(114)的静电吸盘(86)、经由供电线(116)连接吸盘电极(114)的直流高压电源(120)、设在供电线(116)中途的吸盘用开关部(124)和阻止高频电力进入用滤波部(118)、检测载置台(84)的直流成分用的直流成分检测电路(96)、和控制开关部(124)的开关控制部(112),滤波部(118)不含电阻元件,由电容元件和感应元件形成。
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公开(公告)号:CN101277579B
公开(公告)日:2011-10-12
申请号:CN200810087850.4
申请日:2008-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在阳极电极和处理容器之间设置有阻抗调整部的等离子体处理装置中,能够容易并适当地调整阻抗调整部的阻抗,从而抑制异常放电。该等离子体处理装置具有:偏压用的高频电源;阻抗调整部;测定上述阻抗调整部的电压的电压测定部;位于上述阻抗调整部和电压测定部之间的带通滤波器;和当等离子体产生时使上述阻抗调整部的阻抗值发生改变,同时取得由上述电压测定部测定的电压值,根据该电压值,计算流入上述阳极电极的电流值,以使该电流值成为最大值或其附近的方式设定上述阻抗调整部的阻抗值的控制部。
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公开(公告)号:CN101908459A
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN201010253531.3
申请日:2009-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及一种载置台机构和采用该机构的等离子体处理装置,通过减小向吸盘电极施加直流电压时和切断直流电压时的吸盘等效电路的时间常数,迅速进行电荷的蓄积和电荷的释放。该载置台机构载置被处理体(W),设在处理容器(52)内,包括载置台(84)、内部设有吸盘电极(114)的静电吸盘(86)、经由供电线(116)连接吸盘电极(114)的直流高压电源(120)、设在供电线(116)中途的吸盘用开关部(124)和阻止高频电力进入用滤波部(118)、检测载置台(84)的直流成分用的直流成分检测电路(96)和控制开关部(124)的开关控制部(112),滤波部(118)不含电阻元件,由电容元件和感应元件形成。
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公开(公告)号:CN101587813A
公开(公告)日:2009-11-25
申请号:CN200910203454.8
申请日:2009-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供载置台机构、等离子体处理装置和电压施加方法。该载置台机构通过减小在向吸盘电极施加直流电压时和切断直流电压时的吸盘等效电路的时间常数,使电荷的蓄积和电荷的释放分别得以迅速地进行。在处理容器(52)内载置被进行等离子体处理的被处理体(W)的载置台机构,设置有载置台(84)、在内部设置有吸盘电极(114)的静电吸盘(86)、经供电线(116)连接的直流高压电源(120)、插设在供电线上的吸盘用开关部(124)、用于检测载置台的直流成分的直流成分检测电路(96)、旁通直流成分检测电路的旁路线(108)、插设在旁路线的中途用于使直流成分检测电路旁通而使载置台接地的旁路用开关部(110)、和控制开关部的开关控制部(112)。
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公开(公告)号:CN113301701A
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN202110180584.5
申请日:2021-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供使等离子体密度的均匀性提高的天线段和电感耦合等离子体处理装置。一种天线段,其通过呈筒状卷绕天线线材而形成,由所述天线线材的局部形成第1平面,其中,该天线段包括:第1天线线材,其位于卷绕轴线方向上的一侧且至少局部形成所述第1平面;以及第2天线线材,其位于所述卷绕轴线方向上的另一侧且形成所述第1平面,所述第1天线线材具有:平面上天线部,其形成所述第1平面;层叠天线部,其与所述第2天线线材分离开地配置于该第2天线线材上方;以及连结部,其连接所述平面上天线部和所述层叠天线部。
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