公开(公告)号：CN111463097B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202010051946.6

申请日：2020-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中诚治

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置。处理室在内部设置有用于载置基片的载置台，在其中实施对基片的等离子体处理。排气口设置在载置台的周围的、比载置台的载置基片的载置面低的位置，对处理室内进行排气。多个挡板由导电性材料形成，分别与接地电位连接，设置在排气向排气口的流动通路上比排气口靠上游侧处，从载置台的侧面侧和处理室的侧面侧交替地伸出，该伸出的前端部分隔开间隔地重叠。本发明能够抑制不稳定的放电。

公开(公告)号：CN106981446B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201710036715.6

申请日：2017-01-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中诚治 ,  三枝直也 ,  里吉务

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种提高对基板的等离子体处理的均匀性的等离子体处理装置。等离子体处理装置(11)包括：将用于载置基板(G)的载置台(21)收容在内部的腔室(20)；配置在腔室(20)的内部的隔板部(22)；配置在隔板部(22)的上表面的高频天线(50)；和配置在隔板部(22)的下表面的气体导入单元，利用由高频天线(50)形成的电场将处理气体等离子体化来对基板(G)进行等离子体处理。气体导入单元具有如下构成：将具有以长条状向与基板载置面大致正交的方向吹出处理气体的多个气体吹出孔(25b)的第1喷淋板(24a～24d)和具有以长条状向与基板载置面大致平行的方向吹出处理气体的多个气体吹出孔(55b)的第2喷淋板(54a～54d)配置成长边方向为辐射状延伸的方向的结构。

公开(公告)号：CN104576283B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201410569365.6

申请日：2014-10-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 锅山裕树 ,  田中诚治

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/18

Abstract: 本发明提供一种闸阀装置，其能够确保阀体和处理容器的导通，并且降低阀体和处理容器的损伤，抑制金属颗粒的产生。阀座板(204)为框状，具有与基板搬送用开口(1b1)基本同等大小的开口(204a)。阀座板(204)由金属等导电性材料构成，在由阀体(202)将基板搬送用开口(1b1)关闭的状态下介于阀体(202)与处理容器(1)之间。由与阀座板(204)同种的金属材料构成屏蔽环(232、242)，由此减少异种金属间的接触，抑制金属颗粒的产生。

公开(公告)号：CN102479658B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201110382582.0

申请日：2011-11-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中诚治

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及处理系统。多层分批式的等离子体处理装置即使被处理体是大型的也能够对多个该被处理体同时实施均匀的等离子体处理。其具有：接地线，其连接于两个以上的下部电极的每一个的与用于载置被处理体的载置面相反一侧的面的中央部、或者用于和下部电极构成电极对的上部电极的每一个的与相对面相反的一侧的面的中央部中的任意一个中央部，该相对面与载置面相对；高频电供给线，其连接于未连接有接地线的另一个中央部；屏蔽构件，其在处理室的内部收容接地线及高频电供给线；阻抗调整机构，其设置在各个接地线上，用于对各个电极对单独进行阻抗调整。

公开(公告)号：CN103215568A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310027371.4

申请日：2013-01-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中诚治 ,  里吉务

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明在于提供一种气体供给均匀性高、能够抑制在非计划的区域产生不需要的堆积物的气体供给头。该气体供给头具有由多个气体排出孔构成的第一气体孔列（102a）；由在和该第一气体孔列（102a）相同的面中与该第一气体孔列（102a）并列配置的另外的多个气体排出孔构成的第二气体孔列（102b）；由分别经由气体流路仅与构成上述第一气体孔列（102a）的气体排出孔连通的一个或者两个以上的气体扩散室（101a）；和由分别经由气体流路仅与构成上述第二气体孔列（102b）的气体排出孔连通的一个或者两个以上的气体扩散室（101b），对上述第一气体扩散室（101a）和第二气体扩散室（102b）供给不同种类的气体。

公开(公告)号：CN101901746B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201010191920.8

申请日：2010-06-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中诚治 ,  古屋敦城

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供吸附检测解除方法、处理装置及计算机能读取的存储介质。该吸附检测解除方法在减小基板破损的可能性的同时、检测基板是否吸附在载置台上并解除该吸附。该吸附检测解除方法包括以下工序：以规定的吸附判定压力自载置台的载置面向被处理体的背面供给流体(步骤2)；检测自以吸附判定压力开始供给流体起经过了规定的吸附判定时间时流体的流量；判定在该工序中检测出的流体的流量是否为规定的吸附判定流量以下(工序3)；根据该工序中的判定结果，在流体的流量为吸附判定流量以下的情况下，使向被处理体的背面供给流体的压力为比吸附判定压力高的吸附解除压力(步骤7)。

公开(公告)号：CN101389179B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200810149537.9

申请日：2008-09-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中诚治

IPC: H01L21/00 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01J37/244

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法以及存储介质。在使用多个高频电源进行等离子体处理的等离子体处理装置中，在至少一个高频电源中产生过大反射波时，停止该高频电源输出的同时，瞬间停止其他高频电源的输出。多个高频电源分别具备：振荡器、通信部、通过该通信部接收停止信号并停止振荡器输出的输出停止部，上述多个高频电源中的至少一个高频电源的输出停止部监视从该高频电源振荡器输出的高频，在高频异常时停止该振荡器的输出，同时，向上述通信部输出停止信号。而且，为了将来自上述监视部的停止信号直接发送到其他高频电源，将上述至少一个高频电源的通信部和其他高频电源的通信部连接。

公开(公告)号：CN101587814A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910143025.6

申请日：2009-05-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中诚治

IPC: H01J37/32 ,  F17D1/04 ,  F17D3/01

Abstract: 一种处理气体供给装置。该处理气体供给装置下游的管道内的气压保持在大气压以下，对应于FPD基板处理供给最适宜的处理气体。供给装置(400)向上部电极(300)供给处理气体，上部电极内的缓冲室(330)将中央室和周边室分开；处理气体供给装置具有将来自气箱(410)的处理气体2路分流的各分支管(404、406)，和调整流过这些分支管的流量的流量调整单元(420、430)，和将各分支管的处理气体分别导入中央室和周边室的管道；各流量调整单元具有各分支管上安装的开关阀(422、432)和固定节流阀(424、434)，连接中央室的分支管的流量调整单元设有与开关阀和固定节流阀并列的旁通管(404A)，同时旁通管安装有开关阀(422A)。

公开(公告)号：CN101389179A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810149537.9

申请日：2008-09-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中诚治

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01J37/244

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法以及存储介质。在使用多个高频电源进行等离子体处理的等离子体处理装置中，在至少一个高频电源中产生过大反射波时，停止该高频电源输出的同时，瞬间停止其他高频电源的输出。多个高频电源分别具备：振荡器、通信部、通过该通信部接收停止信号并停止振荡器输出的输出停止部，上述多个高频电源中的至少一个高频电源的输出停止部监视从该高频电源振荡器输出的高频，在高频异常时停止该振荡器的输出，同时，向上述通信部输出停止信号。而且，为了将来自上述监视部的停止信号直接发送到其他高频电源，将上述至少一个高频电源的通信部和其他高频电源的通信部连接。

公开(公告)号：CN116364514A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211638875.5

申请日：2022-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中诚治

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理方法，在使用具有环部件的基片处理装置的基片处理中，抑制由环部件的温度引起的不良情况发生，其中，该环部件包围载置台的载置面的周围。处理基片的基片处理装置包括：在内部处理上述基片的处理腔室；构成该处理腔室的腔室壁部；设置在上述处理腔室的内部，具有载置上述基片的载置面的载置台；以包围上述载置面的外周的方式配置的环部件；第一流路，其设置在上述环部件以外的、该基片处理装置的构成部件的内部，供温度调节介质流通；和第二流路，其设置在上述环部件的内部，以流体能够流通的方式与上述第一流路连接。