公开(公告)号：CN102017078B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200980114031.7

申请日：2009-06-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米永富广 ,  河野有美子

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67303

Abstract: 本发明涉及一种热处理装置，能够在同时加热多个基座上分别载置的基板时，控制各基板的面内温度的均匀性，该热处理装置设置有：多个基座(120)，其为载置所述基板的导电性部件，具有电性分隔为中心部(126)和周边部(124)的感应发热体(122)；石英舟(112)，将各基座排列成一列地加以支撑；感应线圈(130)，按照包围各基座的周围的方式配置在处理室(102)内，构成为温度调节自由；和控制部(300)，通过对从高频电流电路(200)施加到感应线圈的所述两个频率的高频电流加以控制，使感应发热体的中心部的发热量和周边部的发热量的比率发生变化从而进行温度控制。

公开(公告)号：CN101356626B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200680047198.2

申请日：2006-11-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  秋山浩二 ,  山崎和良 ,  河野有美子

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C8/16 ,  C23C8/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种金属类膜的脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置的制造方法，在作为半导体基板的Si基板(1)上形成栅极绝缘膜(2)，接着在栅极绝缘膜(2)上通过使用包含W(CO)6气体的成膜气体的CVD形成W类膜(3a)。然后，在存在有还原性气体的条件下进行氧化处理，不使W类膜(3a)中的W被氧化而仅使C被选择性地氧化，从而使W类膜(3a)中所包含的C浓度降低。其后，根据需要，在实施热处理后，进行抗蚀剂涂敷、制作布线图案、蚀刻等，而且通过离子注入等形成杂质扩散区域(10)，由此形成MOS结构的半导体装置。

公开(公告)号：CN101231952B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810008828.6

申请日：2008-01-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  柿本明修 ,  门仓秀公 ,  东慎太郎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553

Abstract: 本发明提供一种在处理容器内配置基板，对基板加热，将气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂导入处理容器内，从而在基板上形成SrTiO3膜的SrTiO3膜的成膜方法。使用Sr(C5(CH3)5)2作为Sr原料。该方法依次进行如下工序：将气态的Ti原料导入处理容器内，使其吸附在基板上的工序；将气态的氧化剂导入处理容器内，分解被吸附的Ti原料，形成含Ti氧化膜的工序；将气态的Sr原料导入处理容器内，使其吸附在上述含Ti氧化膜上的工序；和将气态的氧化剂导入处理容器内，分解被吸附的Sr原料，形成含Sr氧化膜的工序，将这些工序作为1个循环，重复进行多个循环。

公开(公告)号：CN101473418A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780022995.X

申请日：2007-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村和仁 ,  山崎英亮 ,  河野有美子

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517

Abstract: 在将基板配置在处理容器内，向上述处理容器导入具有Ta＝N键的有机Ta化合物气体、含Si气体和含N气体，通过CVD形成TaSiN膜时，通过控制处理容器内含Si气体的分压、处理容器内的总压、成膜温度和含N气体分压中的至少一个，控制膜中Si的浓度。特别是使用SiH4气体作为含Si气体时，在规定的工艺条件下，利用所希望的膜中Si浓度能够表现为SiH4气体分压对数的一次函数，决定SiH4气体的分压。

公开(公告)号：CN101395297A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007041.1

申请日：2007-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  山崎英亮 ,  有马进

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种钌膜的成膜方法以及计算机能够读取的存储介质，该钌膜的成膜方法为，将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，向处理容器内导入钌的戊二烯基化合物气体(例如2，4－二甲基戊二烯基乙基环戊二烯基钌)和氧气，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成钌膜。此外，将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，以钌化合物气体和能分解该化合物的分解气体中的至少一方的流量能够周期性变化的方式导入这些气体，交互地形成不同气体组成的多个步骤，在这些步骤间不对处理容器内进行吹扫，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成钌膜。

公开(公告)号：CN101231952A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810008828.6

申请日：2008-01-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  柿本明修 ,  门仓秀公 ,  东慎太郎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553

Abstract: 本发明提供一种在处理容器内配置基板，对基板加热，将气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂导入处理容器内，从而在基板上形成SrTiO3膜的SrTiO3膜的成膜方法。使用Sr(C5(CH3)5)2作为Sr原料。该方法依次进行如下工序：将气态的Ti原料导入处理容器内，使其吸附在基板上的工序；将气态的氧化剂导入处理容器内，分解被吸附的Ti原料，形成含Ti氧化膜的工序；将气态的Sr原料导入处理容器内，使其吸附在上述含Ti氧化膜上的工序；和将气态的氧化剂导入处理容器内，分解被吸附的Sr原料，形成含Sr氧化膜的工序，将这些工序作为1个循环，重复进行多个循环。

公开(公告)号：CN100369230C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN01820602.6

申请日：2001-12-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  有马进 ,  山崎英亮 ,  河野有美子

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L2924/3025

Abstract: 在将一薄膜沉积在晶片的一处理面上并将该晶片移出处理腔之后，夹具的接触凸台与基座接触从而加热该夹具。下一步，在将其上沿未沉积薄膜的晶片移入时，提升夹具将该晶片布置在基座上。之后，该夹具与晶片接触并且将该晶片稳定到一预定温度。之后，将一薄膜沉积在晶片的处理表面上。

公开(公告)号：CN1860587A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200480028497.2

申请日：2004-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 山崎英亮 ,  松田司 ,  五味淳 ,  波多野达夫 ,  立花光博 ,  松泽兴明 ,  河野有美子 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非利 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供了一种利用间歇前驱气流工艺在衬底上形成金属层的方法。该方法包括使衬底暴露于还原气中，同时使衬底暴露于金属－羰基前驱气脉冲中。该工艺进行到在衬底上形成期望厚度的金属层。该金属层可以形成在衬底上，或者该金属层可以形成在金属成核层上。