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公开(公告)号：CN109754837A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201711084156.2
申请日：2017-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 至少一个地址调度方法包括：选择第一位线；选择连接到第一位线的第一串；从底部字线到顶部字线顺序执行第一串中的每个多电平单元的N个页面的地址调度；在完成第一串中的所有字线上的地址调度之后，以与对第一串执行的相同的方式顺序地在第二到第k个串上执行地址调度，其中“k”是2或大于2的自然数。
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公开(公告)号：CN108108121A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710565054.6
申请日：2017-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/06 , G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F3/064 , G06F3/0646 , G06F12/023 , G06F12/0253
Abstract: 提供一种存储器控制器和控制其操作的方法。一种控制存储器控制器的操作的方法包括，在非易失性存储器装置的读取操作中，存储器控制器对选择的存储器块中的选择的串的选择读取计数进行计数和/或对选择的存储器块中的未选择的串的未选择读取计数进行计数。当选择读取计数和/或未选择读取计数超过读取阈值时，存储器控制器执行选择的存储器块的回收操作。为了通过回收操作将选择的存储器块的数据移动到另一存储器块，存储器控制器可通过使用改变后的页地址将选择的存储器块的数据复制到另一存储器块。
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公开(公告)号：CN107767911A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710722567.3
申请日：2017-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/08
CPC classification number: G11C16/08 , G11C16/0408 , G11C16/0483 , G11C16/107 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C16/3459 , G11C2216/16 , G11C16/18
Abstract: 非易失性存储器装置以及数据操作方法。一种非易失性存储器装置，包括：存储器单元阵列和行解码器电路。在将第一预脉冲施加到连接到第一虚拟存储器单元的第一虚拟字线之后，在将第二预脉冲施加到连接到第二虚拟存储器单元的第二虚拟字线之后，行解码器电路导通选择的存储器块的多个单元串的存储器单元。
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公开(公告)号：CN119580786A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410118492.8
申请日：2024-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
Abstract: 公开了包括电压生成电路的存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及外围电路，被配置为通过使用多个操作电压对存储器单元阵列执行多个操作。外围电路包括电压生成电路，电压生成电路包括第一泵块、第二泵块和第一公共泵块，并且生成所述多个操作电压。电压生成电路将第一泵块和第一公共泵块并联连接，以生成所述多个操作电压之中的第一操作电压，并且将第一公共泵块和第二泵块串联连接，以生成所述多个操作电压之中的第二操作电压。
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公开(公告)号：CN110970065B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910573771.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一存储器单元和与第一存储器单元不同的第二存储器单元，其中，第一存储器单元和第二存储器单元包括在同一个存储器块中；第一字线，连接到第一存储器单元；第二字线，与第一字线不同，连接到第二存储器单元；地址解码器，将擦除电压和与擦除电压不同的禁止电压中的一个施加到第一字线和第二字线中的每条；以及控制逻辑，使用地址解码器来控制对存储器块的擦除操作，其中，当执行对存储器块的擦除操作时，在施加擦除电压之后将禁止电压施加到第一字线，并且在施加禁止电压之后将擦除电压施加到第二字线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111106120B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201910902588.2
申请日：2019-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器件、垂直NAND闪速存储器件及固态硬盘。一种非易失性存储器件，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括页面缓冲区域、存储单元阵列、位线、第一垂直导电路径和第二垂直导电路径。所述存储单元阵列形成在所述半导体衬底上方的存储单元区域中，并且包括存储单元。所述位线在所述存储单元阵列上方沿列方向延伸。每一条位线被切割成一个第一位线段和一个第二位线段。所述第一垂直导电路径沿垂直方向延伸并且穿透所述存储单元区域的列方向中心区域。所述第一垂直导电路径连接所述第一位线段和所述页面缓冲区域。所述第二垂直导电路径沿所述垂直方向延伸并且穿透所述列方向中心区域。所述第二垂直导电路径连接所述第二位线段和所述页面缓冲区域。
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公开(公告)号：CN118298878A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311871475.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器件，在该存储器件中，至少一条字线或至少一条位线通过多个充电端子进行充电。该存储器件包括第一充电端子和第二充电端子，该第一充电端子用于向至少一条字线或至少一条位线供应第一电压，该第二充电端子用于当通过第一充电端子的电压供应完成时，向至少一条字线或至少一条位线供应第二电压。当使用第一电压进行充电的至少一条字线或至少一条位线的经充电的电压满足第一参考条件时，开始供应第二电压。
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公开(公告)号：CN118038927A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311480525.5
申请日：2023-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4074 , G11C11/408
Abstract: 提供了稳压器、存储器装置和存储器装置的操作方法。存储器装置可以包括：参考电压产生器，其产生参考电压；稳压器，其包括基于参考电压产生内部电压的多个驱动块；以及电力线，其接收内部电压。多个驱动块中的至少一个驱动块可以包括第一单元驱动器和第二单元驱动器，第一单元驱动器基于参考电压和内部电压的变化产生流经电力线的第一输出电流，第二单元驱动器基于参考电压和内部电压的变化产生流经电力线的比第一输出电流大的第二输出电流。第一单元驱动器可以比第二单元驱动器的第二输出电流更快地产生第一输出电流。
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公开(公告)号：CN116434807A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310034674.2
申请日：2023-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置、非易失性存储器的操作方法和存储装置。该非易失性存储器装置包括：包括多个存储器单元的存储器单元阵列、与多个存储器单元连接的多条位线和多条字线、与多个存储器单元连接的共源极线、包括共源极线噪声控制逻辑电路并被配置为生成包括第一电压和第二电压的多个电压的控制逻辑电路、被配置为接收多个电压并被配置为选择多个电压中的至少一个的电压选择器、以及被配置为接收至少一个选择的电压并被配置为控制共源极线的电压的共源极线驱动器，并且共源极线噪声控制逻辑电路被配置为基于编程信息控制电压选择器，以选择多个电压中的至少一个。
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