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公开(公告)号：CN109856821B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910240257.7
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器及制备方法，属于太赫兹波应用技术领域。所述太赫兹波调制器自下而上依次为柔性基底、铋纳米柱、石墨烯薄膜，位于铋纳米柱之上的石墨烯薄膜因为铋纳米柱的结构作用发生褶皱，从而打开石墨烯能带，通过铋纳米柱与石墨烯两者的共同作用，在红外光激励下实现了对太赫兹波的光学调制。本发明太赫兹波调制器中，采用“PDMS/铋纳米柱/石墨烯薄膜”结构，与现有硅基器件相比，其太赫兹波透射率可达90％(硅基器件太赫兹波透射率约为60％左右)；该结构可打开石墨烯能带，大幅提高光吸收系数；通过铋纳米柱和打开能带的石墨烯共同作用，可在太赫兹波透射率较高的情况下达到20％左右的调制深度。
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公开(公告)号：CN111933738B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010745094.0
申请日：2020-07-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/028
Abstract: 本发明提供一种基于分子束外延技术的自成结半导体光电探测器及其制备方法，属于光电探测器件领域。本发明制备的光电探测器采用非对称PIN浅结结构，将Sb原子在分子束外延设备腔体内采用高温原位掺杂的方法掺杂进Ge薄膜中，将Ge改性为N型半导体；全程制备过程均在分子束外延设备腔体中进行，这样就大大减小了外来杂质的污染，简化了光电探测器制作工艺的流程，且相比传统的离子注入的掺杂方法，该方法不会破坏晶体的晶格结构。
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公开(公告)号：CN114284373A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111331892.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0288 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 本发明的目的在于提供一种二维PIN结红外光电探测器、探测器阵列及其制备方法，属于光电探测器技术领域。本发明红外光电探测器阵列单元采用分子束外延方法制备，在制备过程中原位生长形成非对称二维薄膜PIN浅结结构，其中，P层采用射频磁控溅射方式对中性GeSn掺B进行改性，I层采用双源双控方法生长GeSn，N层采用高温原位掺杂方法对Ge薄膜进行掺杂处理后得到；同时设计相互垂直且等距排布的行导线和列导线，使阵列单元设置于行导线和列导线分割的空间内，再完成阵列单元与行导线和列导线的连接，即可得到光电探测阵列。本发明红外探测阵列可实现任意尺寸，且单个阵列单元的短路不会影响周围探测器的性能。
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公开(公告)号：CN111121835B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911147559.6
申请日：2019-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种热释电/光电双功能集成传感器件。该传感器件为预极化半导体薄膜的热释电/光电双功能集成传感器件，由光电传感阵列和导电接线金属薄膜层组成，该光电传感阵列由光电传感单元以并联的形式组成，该光电传感单元由铁电性半导体薄膜层和透明导电薄膜层以面外异质结的形式组成，该铁电性半导体薄膜层是含有氧空位的多晶型薄膜层，该透明导电薄膜层是具有高功函数的金属薄膜层。该集成传感器件不仅可以通过调整退极化场的强度和方向来进行控制，还可以通过热释电效应的电势来进行调节。
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公开(公告)号：CN112462536A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202110072344.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 一种基于有机溶剂的太赫兹波相位调控方法，属于太赫兹波相位调控领域。包括：1）将有机溶剂注入比色皿中；2）将装有有机溶剂的比色皿放入太赫兹波的光路上；3）在20~70℃的温度范围内调节有机溶剂的温度，即可实现太赫兹波的相位调控。本发明基于有机溶剂的太赫兹波相位调控方法，采用苯、甲苯等有机溶剂，价格低廉，容易获得；方法简单，易于操作，重复性好，使用范围广，通过温度或光即可实现太赫兹波的相位调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109686807B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811579271.1
申请日：2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0236 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 一种基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，属于近红外探测器技术领域。所述光电探测器包括衬底，以及形成于衬底之上的光电薄膜和电极，所述衬底和光电薄膜形成pn结构，其特征在于，所述衬底为带阵列凹槽的三维结构，所述光电薄膜形成于衬底表面、凹槽侧面以及底面上。本发明提出的基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，三维外延结构增大了探测器的表面积，可以有效提高光吸收率，增大红外光与探测器之间的接触面积，同时，在三维基板上外延半导体薄膜可引入应力，对半导体的能带结构实现应力的调控。
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公开(公告)号：CN111933738A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010745094.0
申请日：2020-07-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/028
Abstract: 本发明提供一种基于分子束外延技术的自成结半导体光电探测器及其制备方法，属于光电探测器件领域。本发明制备的光电探测器采用非对称PIN浅结结构，将Sb原子在分子束外延设备腔体内采用高温原位掺杂的方法掺杂进Ge薄膜中，将Ge改性为N型半导体；全程制备过程均在分子束外延设备腔体中进行，这样就大大减小了外来杂质的污染，简化了光电探测器制作工艺的流程，且相比传统的离子注入的掺杂方法，该方法不会破坏晶体的晶格结构。
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公开(公告)号：CN110029315B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910354441.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及超晶格磁光材料技术领域，尤其涉及一种超晶格材料及其制备方法和应用。根据实施例的记载，本发明提供的超晶格材料同时具有亚铁石榴石材料较好的磁性能和石墨烯等二维半导体材料良好的光电吸收特性，测试得到的磁光克尔效应数据表明，本发明所述的超晶格材料在2500Oe磁场下的饱和磁光克尔角为13mdeg，相比较未插入二维材料的非超晶格亚铁磁性薄膜材料，其磁光克尔角提高了2.5倍，实现了磁光效应的增强。
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公开(公告)号：CN110473935A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910638572.5
申请日：2019-07-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 一种基于碲化铋-石墨烯异质结的太赫兹波探测器及其制备方法，属于太赫兹波探测器件技术领域。所述探测器包括半导体衬底，形成于半导体衬底之上的绝缘层，形成于绝缘层之上的由石墨烯和碲化铋层组成的异质结，位于异质结两端的源极和漏极，以及形成于半导体衬底背面的栅极。本发明采用石墨烯和碲化铋纳米片组成的异质结作为场效应管沟道，有效解决了单层石墨烯在太赫兹频段光吸收率低的问题，吸收率相较于单层石墨烯提高了20％以上；采用背栅以及先形成源极和漏极的方法，有效保证了石墨烯-碲化铋异质结的完整性，提高了太赫兹探测器的性能。
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公开(公告)号：CN107268043B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710535976.2
申请日：2017-07-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于印制电路板电镀技术领域，提供一种用于铜互连HDI电镀填孔的抑制剂及电镀铜浴；本发明抑制剂为有机聚胺类化合物，其分子结构为：R1，R2为苯基、甲基、甲氧苯基或苯基衍生物；本发明抑制剂具有在HDI板盲孔孔底快速填铜的同时抑制HDI板面铜的生长速率，从而达到在填充镀铜后，面铜厚度较薄的特性，此外还具有添加剂操作窗口宽，镀液寿命较长等优点。
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