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公开(公告)号：CN115633478A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211288556.6
申请日：2022-10-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请涉及电子器件技术领域，本申请公开一种功率模块及电子器件。其中功率模块，包括盖体、底座及弹性组件，底座开设有容纳芯片的容纳腔，所述容纳腔具有开口，弹性组件设置于盖体与底座之间，所述盖体压缩所述弹性组件封盖所述开口，所述盖体与所述底座可拆卸连接。与现有技术相比，通过在盖体与底座之间设置弹性组件，当需要拆卸盖体时，弹性组件给盖体与底座相对远离的弹力，进而提高盖体的拆卸效率，减小拆卸盖体过程中的误操作，避免对功率模块造成二次损伤，提高失效分析的检测精度。
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公开(公告)号：CN115295518A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210819321.9
申请日：2022-07-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种键合线、键合结构、键合方法及半导体器件，涉及半导体封装领域，该键合线包括线芯与包裹在所述线芯外的外覆层，所述外覆层材料的熔点低于所述线芯材料的熔点，所述线芯用于与目标器件键合连接，所述外覆层用于在熔化后包裹所述线芯与目标器件之间的键合连接点。基于本发明的技术方案，实现键合线与目标器件的双重连接，增加键合线与焊点之间的连接力，进而可以在满足工艺要求的前提下降低对于线芯键合工艺参数的要求，从而可以避免器件表面因键合工艺参数较大而导致弹坑并有效降低虚焊的风险。
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公开(公告)号：CN115132596A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210781089.4
申请日：2022-07-04
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请提供了一种芯片的封装方法和封装结构。该方法包括：提供基底，基底包括衬底、芯片结构以及金属层，其中，芯片结构位于衬底第一表面上，金属层位于衬底的第二表面上，第一表面与第二表面相对；在金属层远离衬底的表面上形成第一导电胶层，得到目标晶圆；对目标晶圆进行切割以及封装。该方法通过在衬底第二表面的金属层上形成第一导电胶层，可以增加目标晶圆的厚度，减小金属层的应力，因此，降低晶圆因太薄切割裂片的风险以及运输时容易碎片的风险，进而解决了现有技术中晶圆切割和运输过程中容易出现裂片或碎片的问题。
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公开(公告)号：CN119894074A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411827473.9
申请日：2024-12-12
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块、芯片，本发明通过将绝缘栅双极型晶体管器件配套芯片以及快速恢复二极管器件用的芯片进行复合封装，既保证原先功能及定义，还能最大程度地降低器件/模块的体积；采用新布局的模块不仅实现了集成化、小型化；将模块更多地集成化不仅可以降低封装的繁多的工序，而且较大程度地降低生产成本，同时加快应用场合的快速安装和使用；通过将绝缘栅双极型晶体管器件的驱动芯片直接封装入新布局中，极大地减少相互之间的距离，降低电路在外界的干扰性，提高信号传递的准确性，通过将多个绝缘双极型晶体管和多个快速恢复二极管同时封装到基板中，可以实现多种功能，满足用户的多种功能需求。
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公开(公告)号：CN119725303A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411883903.9
申请日：2024-12-19
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本申请公开了一种陶瓷基板及其制备方法、芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其中，通过在芯片的贴装区域之间设置凹槽，并在凹槽的底部沿凹槽延伸设置阻流条，能够利用凹槽及阻流条有效增加上导电层之间的爬电距离，降低了芯片模块在出现溢锡现象时的击穿风险，进一步缩短了芯片到上导电层边缘的间距限制，从而降低了陶瓷基板的整体尺寸，满足了半导体封装模块逐渐向小型化发展的趋势，因此，本申请实施例所提供陶瓷基板有效解决了现有陶瓷基板因溢锡现象导致无法进一步缩减尺寸的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119448997A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411706814.7
申请日：2024-11-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H03K17/567 , H03K5/04 , H03K5/12
Abstract: 本申请提供了一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，涉及绝缘栅双极晶体管技术领域，通过反相延迟模块将方波信号反相并延迟，生成处理后信号，然后通过第一生成模块根据方波信号和处理后信号生成第一窄脉冲信号，和通过第二生成模块根据方波信号和处理后信号生成第二窄脉冲信号，再通过输出模块将第一窄脉冲信号的电压升高，生成第三窄脉冲信号，并将第二窄脉冲信号的电压升高，生成第四窄脉冲信号，以及根据第三窄脉冲信号和第四窄脉冲信号，生成驱动绝缘栅双极晶体管的控制信号，由于窄脉冲信号的占空比小于方波信号的占空比，因此，与在先技术中通过方波信号实现电压转换相比，通过窄脉冲信号实现电压转换，降低了驱动电路中的器件产生的热损耗。
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公开(公告)号：CN115295518B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210819321.9
申请日：2022-07-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种键合线、键合结构、键合方法及半导体器件，涉及半导体封装领域，该键合线包括线芯与包裹在所述线芯外的外覆层，所述外覆层材料的熔点低于所述线芯材料的熔点，所述线芯用于与目标器件键合连接，所述外覆层用于在熔化后包裹所述线芯与目标器件之间的键合连接点。基于本发明的技术方案，实现键合线与目标器件的双重连接，增加键合线与焊点之间的连接力，进而可以在满足工艺要求的前提下降低对于线芯键合工艺参数的要求，从而可以避免器件表面因键合工艺参数较大而导致弹坑并有效降低虚焊的风险。
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公开(公告)号：CN118943011A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410960983.7
申请日：2024-07-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027 , H01L29/06
Abstract: 本申请公开了一种功率器件的制备方法及功率器件，所述方法包括：对晶圆中第一表面上的原始光刻胶层进行第一光刻处理，得到第一光刻胶层；基于第一光刻胶层中的第一图案，对第一光刻胶层和第一区域进行一次干刻处理，在晶圆的所述第一区域处形成第一沟槽；对一次干刻处理后的第一光刻胶层进行第二光刻处理，得到第二光刻胶层；基于第二光刻胶层中的第二图案，对第二光刻胶层、第二区域和第一沟槽进行二次干刻处理，得到第二沟槽；基于包含第二沟槽的晶圆，制备功率器件。本申请实施例可以通过二次干刻处理将晶圆中一次干刻处理形成的损伤层去除，提高了功率器件性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN118738105A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411210428.9
申请日：2024-08-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法和用电器，涉及半导体领域。绝缘栅双极型晶体管包括：超结结构、场截止层、P型集电极、背面金属、N型载流子存储层、P型基区、N型发射极、第一栅、第二栅、介质层以及正面金属；超结结构由漂移区和半导体区组成，场截止层、P型集电极和背面金属依次层叠，位于超结结构的第二侧，且场截止层靠近超结结构；N型载流子存储层、P型基区、介质层和正面金属依次层叠，位于超结结构的第一侧，且N型载流子存储层靠近超结结构。本申请超结结构形成的横向电场会加快空穴的移除进而减少了空穴在P型基区和介质层底部的积累，进而优化了绝缘栅双极型晶体管的EMI，减小了正向开通损耗。
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公开(公告)号：CN117594461A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311548743.8
申请日：2023-11-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/498 , H01L25/16 , H01L21/67
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块的封装方法和装置，所述智能功率模块包括集成电路芯片和功率芯片，所述方法包括：在基板上印制导线；将所述基板焊接至框架上；将所述集成电路芯片焊接至所述基板上，以及，将所述功率芯片焊接至所述框架上；将所述集成电路芯片与所述基板的所述导线键合，以及，将所述功率芯片与所述集成电路芯片键合；将与所述集成电路芯片关联的所述基板的所述导线引出；对所述基板和所述框架进行封装。本发明实施例将智能功率模块的集成电路芯片键合至基板上，并将基板焊接至框架，使得在集成电路芯片工作时，应力到基板上而不是直接应力到框架上，框架应力小，可以避免出现框架变形导致的诸如脱键等风险。
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