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公开(公告)号：CN119689198A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411827421.1
申请日：2024-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块的测试电路和方法，智能功率模块包括绝缘栅双极型晶体管，测试电路包括电压表、第一快速二极管、第一开关和电流输入电路，电压表、第一快速二极管和第一开关串联；绝缘栅双极型晶体管与电压表、第一快速二极管和第一开关的串联电路并联；电流输入电路与电压表、第一快速二极管和第一开关的串联电路连接。在智能功率模块从工作状态切换为测试状态的情况下，通过第一快速二极管延迟导通以影响电压表测量绝缘栅双极型晶体管的正向压降的延迟时间，从而滤除了智能功率模块从工作状态切换为测试状态导致的噪音，使得测试结果更加准确。
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公开(公告)号：CN114975128B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110212995.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种智能功率模块及其制备方法，智能功率模块包括基板，基板上设有芯片、多个导电引脚，导电引脚的一端与芯片连接，另一端的端部形成焊接脚；外部引脚框架，外部引脚框架包括多个与多个焊接脚一一对应的引线，引线的一端的端部形成有连接结构；每组相互对应的连接结构和焊接脚中，连接结构包括：连接部、以及位于分别连接部两侧并朝向基板延伸的支撑部，支撑部的排列方向与焊接脚的排列方向相同，两个支撑部之间形成容纳空间，焊接脚位于两个支撑部之间。该智能功率模块中，支撑部隔绝相邻的两个焊接脚，回流焊时，降低相邻焊接脚上的结合材相连而导致短路风险；支撑部起到限位作用，降低焊接点错位风险。
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公开(公告)号：CN119486220A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411504314.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅二极管及碳化硅二极管的制备方法，本申请提供的碳化硅二极管包括依次层叠的基底层、第一外延层、第二外延层和阳极金属层；第一外延层的第一表面包括至少一个第一掺杂区；第一表面为第一外延层中与第二外延层的第二表面层叠的表面；第二外延层中与第二表面相对的第三表面包括间隔设置的第一沟槽和第二沟槽，且第二沟槽与所述第一掺杂区一一对应；第二外延层中包括所述第一沟槽的底部对应的第二掺杂区。本申请实施例实现了对碳化硅二极管的反向耐压特性和正向导通特性的同时优化，提高了碳化硅二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN119364820A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411878132.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅MOSFET及其制备方法和用电器，涉及半导体技术领域。碳化硅MOSFET包括：依次层叠的漏极、N型衬底和N型外延层；所述N型外延层背离所述N型衬底的一侧表面包括：依次分布的第一区域、第二区域和第三区域；N型电流扩展层，位于所述N型外延层的所述第二区域上；P型埋层，位于所述N型外延层的所述第一区域和所述第三区域上；栅极多晶硅层，位于所述第三区域的所述P型埋层上，并延伸进入所述N型电流扩展层内；源极多晶硅层，位于所述第一区域的所述P型埋层上，并延伸进入所述N型电流扩展层内；包含所述N型电流扩展层的沟道二极管。本申请可以降低碳化硅MOSFET反向导通时的导通压降。
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公开(公告)号：CN119361562A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411374833.4
申请日：2024-09-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/14 , H01L23/15 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例提供了一种直接键合铜基底、绝缘栅双极晶体管封装模块及制备工艺，直接键合铜基底可以包括：第一覆铜层；陶瓷层，一面与第一覆铜层的一面连接，陶瓷层添加有增韧物质；第二覆铜层，一面与陶瓷层的另一面连接。通过在陶瓷层添加增韧物质来对陶瓷层进行增韧，从而避免绝缘栅双极晶体管封装模块因为陶瓷层开裂而失效的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119317165A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411239611.1
申请日：2024-09-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶体管及制作方法、装置、电子设备及介质，通过在晶体管的第一面设置栅极沟槽，晶体管的第二面设置辅助沟槽，且辅助沟槽设置在与栅极沟槽相对应的位置，辅助沟槽和栅极沟槽之间形成第一浮空区。通过本发明实施例，实现了通过辅助沟槽形成浮空区，进而能够优化晶体管中的电流路径，从而改善电场集中效应，提升功率器件的可靠性，避免限制功率器件在更高电场电压下的应用。
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公开(公告)号：CN119044717A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411197082.3
申请日：2024-08-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块的测试电路和方法，所述测试电路包括主回路、上桥集成电路、下桥集成电路、自举电路和第一绝缘栅双极晶体管，主回路包括第一电容、负载电感、第二绝缘栅双极晶体管和第三绝缘栅双极晶体管，下桥集成电路用于控制第三绝缘栅双极晶体管的工作状态，上桥集成电路用于控制第二绝缘栅双极晶体管的工作状态，通过控制时序将第一绝缘栅双极晶体管、第二绝缘栅双极晶体管和第三绝缘栅双极晶体管依次导通和断开，能够模拟实现智能功率模块在应用过程中突然遇到短路或浪涌电流等突发情况，实现了测试智能功率模块中的绝缘栅双极晶体管在工作过程中遇到浪涌电流，并在承受浪涌电流的过程中进行关断的能力。
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公开(公告)号：CN118425772B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410868085.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01R31/34
Abstract: 本发明实施例提供了一种无感电机的测试方法、装置、电子设备及介质，应用于电机技术领域，包括：响应于用户在可视化界面的操作，确定目标测试工况信息；目标测试工况信息包括环境配置信息、供电配置信息，以及启动模式配置信息；根据环境配置信息控制无感电机所在的模拟测试环境；在模拟测试环境下，根据供电配置信息控制对无感电机的供电，并根据启动模式配置信息控制无感电机的启动；获取无感电机在目标测试工况信息下的启动情况，并将在目标测试工况信息下的启动情况反馈至可视化界面，实现了对无感电机的启动性能的测试，通过对测试环境、供电、启动模式的控制模拟不同测试工况，提升了对无感电机启动测试的准确性。
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公开(公告)号：CN118824964A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410812380.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H02M1/00 , H01L25/07 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块、控制器以及家用电器，涉及半导体技术领域。本发明包括功率芯片组、第一框架以及第二框架，第二框架位于第一框架的下方。功率芯片组的功率芯片分散安装在所述第一框架上和所述第二框架的上端面上。第二框架设置有第一裸露区域，以将第一裸露区域作为高压直流电输入端，与印刷电路板形成电性连接。从而可以通过双层框架将热量大的功率芯片分层设置，一部分功率芯片产生的热量可以通过顶部的塑封体进行散发，另一部分功率芯片产生的热量，通过第二框架的金属裸露区域传递到印刷电路板上进行散发。从而增加了智能功率模块的散热路径，提高散热效率，并提高智能功率模块的产品适用性。
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公开(公告)号：CN117316980A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311349288.9
申请日：2023-10-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种沟槽栅MOSFET的元胞结构、制备方法以及沟槽栅MOSFET。该元胞结构包括：第一导电类型的第一半导体层、第一埋层和第一源极层，第二导电类型的第二半导体层，栅极和沟槽；第二半导体层形成在第一半导体层上部，沟槽和第一埋层均形成在第二半导体层内；沟槽呈环形结构，在环形方向上，沟槽的至少部分下方设有第一埋层，第一埋层与沟槽和第一半导体层相接触；栅极形成在沟槽内；第一源极层形成在第二半导体层位于沟槽围成区域的上部。元胞结构形成深P型结，该深P型结可以有效解决沟槽栅MOSFET沟槽拐角处的高击穿电场对栅氧损伤的问题，从而保证设有该元胞结构的沟槽栅MOSFET的可靠性。
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