公开(公告)号：CN212033027U

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202020302696.4

申请日：2020-03-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 赵家宽 ,  曾丹 ,  史波 ,  赵浩宇 ,  刘勇强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本实用新型公开了一种平电场沟槽功率半导体芯片终端结构及半导体芯片，所述芯片终端结构包括：位于N型衬底之上的P区和P+区，位于N型衬底的上表面的凹型沟槽，位于沟槽的底部及N型衬底表面的氧化层，位于氧化层之上的多晶硅栅极，位于多晶硅栅极及未被所述多晶硅栅极覆盖的氧化层表面之上的绝缘层，位于绝缘层之上的金属场板，位于金属场板及未被金属场板覆盖的绝缘层之上的钝化层，位于N型衬底之下的金属层。本实用新型的终端结构改进注入区域结构、多晶刻蚀结构及金属刻蚀结构，设置了平电场沟槽结构，使芯片的表面电场分布更加均匀，提升了芯片的耐压性能，增强了芯片的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210200738U

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201921418921.4

申请日：2019-08-28

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  刘勇强

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  G01K7/16 ,  G01K1/14

Abstract: 本实用新型涉及检测的技术领域，公开一种半导体功率器件，包括：衬底、形成于衬底内的结构层、形成于衬底一侧表面的金属连接层；其中：衬底包括沿衬底厚度方向排列的P型层和位于P型层背离金属连接层一侧的N型层以形成P-N结，衬底形成有开口位于P型层背离N型层一侧表面的电阻沟槽；金属连接层包括测温电阻引出端；结构层包括测温电阻，测温电阻位于电阻沟槽内，测温电阻朝向金属连接层的一端与测温电阻引出端连接、且远离金属连接层的一端伸入至N型层内，且测温电阻与P型层和N型层之间绝缘，能够解决现有技术中对功率器件工作时温度不准确的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209658160U

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201920647522.9

申请日：2019-05-07

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  曾丹 ,  刘勇强 ,  陈兆同 ,  史波

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开了一种功率模块，该功率模块包括基板、设置于基板一侧的功率芯片组、设置于基板另一侧的散热器以及设置于功率芯片组背离基板一侧的散热桥；功率芯片组包括至少两个功率芯片；散热桥包括散热桥导电层以及散热桥导热层，散热桥导电层与每个功率芯片第一面上的电极电连接，散热桥导热层包括正投影覆盖基板的中间区域以及与中间区域连接且伸出基板的边缘区域，中间区域位于散热桥导电层背离功率芯片组的一侧，边缘区域形成有朝向基板所在平面弯折的弯折结构，弯折结构与散热器连接。该功率模块中功率芯片上的热量既能从基板上导出至散热器，又能从散热桥导出至散热器，能够利用一个散热器实现双面散热。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209526080U

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201920641003.1

申请日：2019-05-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  刘勇强 ,  陈兆同

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块。其中，该智能功率模块包括：第一树脂层和第二树脂层，分层设置在智能功率模块的芯片和引线框架外部，用于为上述芯片提供电性保护，上述芯片至少包括：功率芯片和驱动芯片；上述功率芯片，设置在上述第一树脂层内，上述第一树脂层的外表面印刷有导电膏体；上述驱动芯片，设置在上述第二树脂层内，与上述功率芯片连接，用于对上述功率芯片进行驱动控制。本实用新型解决了传统的智能功率模块采用引线键合的方式电性连接导致杂散电感偏高，电流承载能力不足等的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210866185U

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201921806520.6

申请日：2019-10-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  张祎龙 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型提供了一种半导体终端结构及半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体终端结构包括衬底层以及设置于所述衬底层上的外延层；所述外延层上形成有多个结终端拓展结构，所述结终端拓展结构向所述衬底层的方向延伸，且多个所述结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减。本申请中设置于外延层上的多个结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减，延伸的距离与所具有的离子浓度相关联，得到的各结终端拓展结构的浓度递减，因此形成不同的浓度梯度递进变化的结终端拓展结构，浓度梯度的渐变效果好。