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公开(公告)号：CN118533331A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410529436.3
申请日：2024-04-29
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种用于纹理感知的弧形软触觉传感器。该传感器包括钕铁硼‑有机硅弹性体磁性薄膜、TPE弹性基底、Z轴TMR元件、印刷电路板；其中，TMR元件焊接在印刷电路板的中心，TPE弹性基底整体包覆TMR元件并粘贴在印刷电路板上；TPE弹性体下部为长方体，顶部为沿着长度方向的条状凸起。本发明的弧形软触觉传感器具有灵敏度高，测量范围大，不易发生塑性形变等优点，可以实现对静态力、动态力、滑动纹理的精确测量。
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公开(公告)号：CN116949571A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310924705.1
申请日：2023-07-26
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种区熔‑区熔联用的单晶硅制备方法，属于半导体硅晶圆制造技术领域。本发明的主要特点是首先使用水平区熔法将多晶硅棒料提纯，降低常规方法难以去除的硼、磷等杂质的含量，以达到提纯多晶料的目的。在随后的单晶硅生长过程中，采用垂直区熔法，进一步降低杂质含量。综上所述，采用本发明的方法制备的单晶硅比传统区熔法得到的产品杂质含量更低，电阻率更高，因此可以生产适用于高功率及高频器件的高阻区熔硅单晶及晶片。
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公开(公告)号：CN113638003A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110896321.4
申请日：2021-08-05
Applicant: 河北工业大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/23 , C25B1/55 , C25B3/26 , C25B11/052 , C25B11/067
Abstract: 本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化物基器件及其制备方法。该器件自下而上为蓝宝石衬底，n+‑GaN层，AlGaN层，Cu基助催剂保护层。其制备过程如下：首先在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，再在n型GaN层上利用分子束外延技术生长AlGaN层，再通过刻蚀方法刻蚀部分AlGaN层，在刻蚀掉的位置上通过蒸镀方法制备欧姆接触，利用掩模版将欧姆接触掩盖，通过旋涂法旋涂Cu基助催剂作为保护层，然后在真空管式炉中300℃下退火30min，自然冷却到室温后取出，获得具有保护层的氮化物器件。本发明的氮化物器件具有较高的吸收系数、良好的耐腐蚀性，可作为一种光阳极材料应于于人工光合作用中，对减少空气中二氧化碳浓度以及能源的开发具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109378219B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201811200267.X
申请日：2018-10-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓基器件，自下而上有金属衬底(Cu、In、Sn、Ag、Au、Pb、Cd等)、n+‑GaN、InGaN层、其制备步骤如下：在n型重掺的GaN层上利用分子束外延技术生长InGaN层，再将获得的GaN基外延片用物理或者化学方法(如键合、倒装焊、导电胶等)与金属衬底上粘合在一起，使得GaN基电池中的电子可以顺利导入到金属基板上，获得用于人工光合作用的氮化镓器件。本发明的氮化镓器件具有吸收系数高、电子空穴分离效率高、电流均匀性好的优点，可作为光阳极材料用于人工光合作用中，对减少二氧化碳排放以及新能源的开发利用具有非常重要意义。
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公开(公告)号：CN106693727B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710014278.8
申请日：2017-01-09
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种超疏水聚偏氟乙烯微孔膜的制备方法。该方法首先利用一步溶液浸泡法制得超疏水镁合金表面，该方法将金属板浸泡在氯化铁水溶液和脂肪酸的乙醇溶液组成的混合溶液中，通过浸泡液与镁发生反应，在镁板表面沉积一层表面能较低的长链脂肪酸盐沉积层，再以此金属板为制膜基底，采用水蒸汽诱导‑浸没凝胶法制膜，可使镁合金板表面的粗糙结构部分拓印到膜表面，并使镁板表面的低表面能物质转移并粘附在膜表面，由此可大幅提高膜表面疏水性，使之达到超疏水的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107574454B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201710846703.X
申请日：2017-09-19
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于电化学析氢的掺钨二氧化钒纳米棒/二硫化钼复合材料及其制备方法。本发明采用两步水热法，首先用水热法制备出掺钨的二氧化钒纳米棒，然后在硫酸中改性，最后以硫酸为溶剂，将改性的掺钨二氧化钒纳米棒与二水合钼酸钠和硫脲进行水热反应，达到复合目的。通过二氧化钒的相变特性对二硫化钼施加应力，以促进材料析氢性能。本发明制备工艺简单，成本低廉，所制备的掺钨二氧化钒纳米棒/二硫化钼复合材料具有优异的电化学析氢性能。
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公开(公告)号：CN106637417B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610915238.6
申请日：2016-10-20
Applicant: 河北工业大学
IPC: C30B31/04
Abstract: 本发明公开了一种人工蓝宝石晶体的改色方法，该方法是通过较低温度热处理技术，将致色离子扩散到人工蓝宝石晶体内，从而改善蓝宝石晶体的颜色和通透性的方法。通过使用本发明的方法处理过的蓝宝石晶体，可以使无色的蓝宝石晶体变为多种颜色的晶体，且色泽均匀、通透性更好，并且该方法的处理工艺简单，设备简易，对环境无污染。处理后得到的蓝宝石，其观赏价值和市场经济价值可以得到大幅度的提高。
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公开(公告)号：CN107574454A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710846703.X
申请日：2017-09-19
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明公开了一种用于电化学析氢的掺钨二氧化钒纳米棒/二硫化钼复合材料及其制备方法。本发明采用两步水热法，首先用水热法制备出掺钨的二氧化钒纳米棒，然后在硫酸中改性，最后以硫酸为溶剂，将改性的掺钨二氧化钒纳米棒与二水合钼酸钠和硫脲进行水热反应，达到复合目的。通过二氧化钒的相变特性对二硫化钼施加应力，以促进材料析氢性能。本发明制备工艺简单，成本低廉，所制备的掺钨二氧化钒纳米棒/二硫化钼复合材料具有优异的电化学析氢性能。
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公开(公告)号：CN105944738A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610260441.4
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
IPC: B01J27/051 , C01G39/06
CPC classification number: B01J27/051 , B01J35/004 , B01J37/10 , C01G39/06 , C01P2004/03
Abstract: 本发明公开了一种基于表面改性的TiO2/MoS2复合材料的制备方法属该方法主要包括三步：1)将P25TiO2粉末与浓NaOH溶液通过水热条件得到二氧化钛的纳米带；2)将纳米带进行表面改性处理使纳米带表面粗糙，退火得到改性的二氧化钛纳米带3)水热法直接在二氧化钛表面制备二硫化钼层，得到TiO2/MoS2复合材料。本发明采用水热‑表面改性‑水热的工艺制备获得TiO2/MoS2复合材料，通过表面改性处理可影响界面的电子性能，从而影响TiO2/MoS2异质结的能带结构，有利于提高复合材料的光催化性能。同时对研究复合材料界面电子性能及生长机理有重要作用。
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公开(公告)号：CN104073771B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410308148.1
申请日：2014-07-01
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明公开的一种钼掺钠溅射靶材的制备方法，步骤如下：将高纯钼粉及钼酸钠粉末混合球磨后，加入PVA充分研磨获得混合粉末；用冷等静压方式将混合粉末均匀压制成靶坯；将靶坯封入真空石英管内，置于马弗炉中采用多段升温的方式烧结；机械加工获得钼掺钠溅射靶材。本发明采用先将靶坯封入真空石英管中再进行烧结的方法，既避免了如真空热压机等大型设备的使用，又可以将多个封有靶坯的真空石英管同一批次烧结处理，极大的节约了能源，降低了成本。此外，本发明采用多段升温的方式，使得靶坯中由PVA引入的C、H及O元素得到充分释放。本发明的方法工艺简单、能耗少且成本较低，Na的掺入含量可在较大范围内进行调控，有利于产业化的应用。
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