公开(公告)号：CN116949571A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310924705.1

申请日：2023-07-26

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 陈贵锋 ,  艾行天 ,  张辉 ,  孙健 ,  孙晨光

IPC: C30B29/06 ,  C30B13/28 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明提供了一种区熔‑区熔联用的单晶硅制备方法，属于半导体硅晶圆制造技术领域。本发明的主要特点是首先使用水平区熔法将多晶硅棒料提纯，降低常规方法难以去除的硼、磷等杂质的含量，以达到提纯多晶料的目的。在随后的单晶硅生长过程中，采用垂直区熔法，进一步降低杂质含量。综上所述，采用本发明的方法制备的单晶硅比传统区熔法得到的产品杂质含量更低，电阻率更高，因此可以生产适用于高功率及高频器件的高阻区熔硅单晶及晶片。

公开(公告)号：CN220292205U

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202321980737.5

申请日：2023-07-26

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 陈贵锋 ,  艾行天 ,  张辉 ,  孙健 ,  孙晨光

IPC: H05B6/40 ,  H05B6/42

Abstract: 本实用新型提供了一种用于改善区熔热场的高频加热线圈，包括线圈本体，线圈本体中心部位开设有中心孔，从中心孔向线圈本体设有共六条切缝，呈双“Y”字倒插型设置，其中一条为主缝，从中心孔沿线圈本体径向贯通，其余五条为副缝，副缝均不贯通线圈本体径向，且五条副缝长度不同。本实用新型的改善区熔热场的高频线圈，由于采用了不等长的多条切缝的设计，使得在不断旋转的环境下，每条缝处的高温区温度各不相同，在旋转的过程形成不同的等温线，径向温度梯度缩小，使热场分布更为均匀，从而提高成晶率。