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公开(公告)号：CN211208632U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202020111884.9
申请日：2020-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型为一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底、位于高阻硅基底之上的绝缘层表面固定二维阵列。每个阵列单元包括一个冂形金属结构、2个T形金属结构、2个I形金属结构及1条引线。内相变垫片处于单元内的二I形结构相对端的下方，间相变垫片处于行间相对的T形结构横条下方。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极，不通电时，相变垫片低电导，本滤波器工作于带阻滤波状态；通电加热时，相变垫片高电导，本滤波器工作于带通滤波状态。本新型电控实现太赫兹滤波器的带通滤波/带阻滤波状态的转换，无需繁琐的更换不同功能太赫兹滤波器，适用于不同场合，操作简单，本太赫兹滤波器的应用范围显著地被拓展。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210137332U
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201921080132.4
申请日：2019-07-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516 , H04B10/50
Abstract: 本实用新型提出一种透射型太赫兹波2bit编码器件，包括：衬底；设置于衬底上且由周期性排列的多个结构单元组成的二维阵列；每个结构单元包括金属层；金属层上设置有镂空的第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽；第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽的中心依次连接形成一正四边形；在第一方形槽和第二方形槽均具有第一半导体块和第一缺口，第一环形槽和第二环形槽具有第二半导体块和第二缺口。本实用新型提出了适用于太赫兹通信领域的编码器件，很好的满足了太赫兹通信所需的要求，因为脉冲激光激发的载流子寿命极短，仅有数十个皮秒，使得编码的速度理论上限可达皮秒量级，目前方案的速度受限于高速数字微镜的编码速率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN216901000U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202220083750.X
申请日：2022-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本实用新型公开了一种基于膜堆结构的高Q三维金属微纳光学器件，包括低折射率介质层衬底、三个高‑低折射率混合介质膜堆结构和周期性金属微纳结构，其中每一个高‑低折射率混合介质膜堆结构都由一层高折射率介质层和一层低折射率介质层构成。周期性金属微纳结构与高‑低折射率混合介质膜堆结构形成了表面等离激元多阶杂化波导模式，抑制光的透射；同时高‑低折射率混合介质膜堆结构的形成了多阶腔模式，增强光的透射。通过调谐多阶杂化波导模式与多阶腔模式，从而获得多个光学品质因数极高的谐振峰。所提出的金属微纳光学器件在滤波、传感和检测方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN214067422U
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202023328365.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本实用新型公开了一种吸收光谱的吸收效果较高的基于金属微纳结构的双通道全光吸收器。该基于金属微纳结构的双通道全光吸收器，包括金属衬底；所述金属衬底上方设置有三层混合介质结构；所述混合介质结构包括高折射率介质层和低折射率介质层；所述低折射率介质层位于高折射率介质层上方；最顶层的混合介质结构上的低折射率介质层上设置有阵列分布的十字臂结构；且所述十字臂结构与低折射率介质层固定连接；最底层的混合介质结构上的高折射率介质层与金属衬底固定连接。采用该基于金属微纳结构的双通道全光吸收器，在950nm和1130nm左右时，吸收率达到99.99％以上；以达到完美吸收的效果；并且在滤波与光谱传感方面具有更广泛的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212305342U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021084608.4
申请日：2020-06-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/50 , H04B10/516 , H04B10/90
Abstract: 本实用新型公开一种光控的太赫兹波3比特编码器，包括衬底层、金属层、定位标志和编码结构。金属层和定位标志均覆于衬底层的上表面；编码结构蚀刻在金属层上。编码结构由若干个双圆结构和若干个方形结构组成；所有双圆结构呈周期性排列，所有方形结构呈周期性排列，且所有双圆结构所形成的双圆阵列与所有方形结构所形成的方形阵列相互交错设置。本实用新型能对太赫兹波进行操控，并能实现3比特即八个状态的编码，与之前的编码结构相比大大提升了编码能力、信息传输能力。能同时控制三个频率点的谐振响应，作用的频段更宽、编码的频率范围更广。本实用新型具有工艺简单、结构简单且编码速率快的特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210274096U
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201921402002.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516
Abstract: 本实用新型提出一种电压控制的太赫兹2位编码器件及系统，包括：分别设置于所述方形衬底两侧的呈周期性排列的方形结构单元；所述方形结构单元包括金属结构和半导体结构；半导体结构包括呈圆柱体的P型半导体和呈圆柱体的N型半导体，N型半导体的底面与方形衬底贴合，P型半导体设置于所述N型半导体上，形成一呈圆形区域的PN结；金属结构包括贴合于方形衬底上的环形金属层、第一金属电极和第二金属电极，每个金属结构的第一金属电极相连，每个金属结构的第二金属电极相连。所述编码器与控制端组成编码系统，通过对每个金属电极进行独立的电压控制实现太赫兹波的两位编码功能。本实用新型可以具有编码速度快，操作简便和实用性强等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN216900212U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202122512753.9
申请日：2021-10-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及金属微纳器件领域，具体涉及一种可见光波段的高FOM生化传感器，高低折射率介质层混合结构由上层的低折射率层和下层的高折射率层构成，多个高低折射率介质层混合结构依次连接，低折射率衬底设置于多个高低折射率介质层混合结构底部，石墨烯层的高折射层设置在高低折射率介质层混合结构顶部，石墨烯层本体设置在高折射层顶部，腔结构层设置在石墨烯层顶部，周期性亚波长金属光栅阵列设置在腔结构层顶部。通过优化高/低折射率高低折射率介质层混合结构的厚度、腔结构的腔长与腔宽和光栅的宽度与高度和周期性亚波长金属光栅阵列周期的结构参数以调节传感器的灵敏度和品质因数，使传感器的综合评价指标能够达到高水平。
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公开(公告)号：CN211528736U
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202020391152.X
申请日：2020-03-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本实用新型公开了一种基于多波长超窄带共振的金属微纳光学器件，当光入射到金属微纳器件时，抑制模式和透射模式会被激发，产生带宽只有几纳米的多透射峰。抑制模式能够抑制光的透射，是所述周期性薄金属光栅与所述高折射率介质层和所述低折射率介质层所形成的多阶杂化波导模式，透射模式能够增强光的透射，是所述高折射率介质层和所述低折射率介质层产生的多阶腔模式。当抑制模式和透射模式相互作用时，就能够产生超窄带多透射峰，得到可见光谱中两个或两个以上不同中心波长的透射峰。所提出的金属微纳器件在滤波、传感和检测方面具有广阔的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210427847U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201920847719.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种非对称性弯曲结构的太赫兹集成器件，包括衬底和水平设置在衬底上的金属薄膜，所述金属薄膜设置有三块，由位于中心的呈直线状的中心金属薄膜，和设置在中心金属薄膜两侧的侧部金属薄膜构成，所述侧部金属薄膜呈圆弧状，开口远离中心金属薄膜一侧设置，两块所述侧部金属薄膜的曲率圆圆心的连线与中心金属薄膜之间的夹角小于90度，所述中心金属薄膜和侧部金属薄膜的两侧壁上均设置有规则排列的锯齿结构。本实用新型的器件通用性较强，在不同波段下依然可以产生预设效果，无需改变设计好的几何结构，器件的适用范围还会扩展，可进行大部分太赫兹波段的研究。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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