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公开(公告)号：CN111555814A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010537774.3
申请日：2020-06-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/50 , H04B10/516 , H04B10/90
Abstract: 本发明公开一种光控的太赫兹波3比特编码器及编码方法，包括衬底层、金属层、定位标志和编码结构。金属层和定位标志均覆于衬底层的上表面；编码结构蚀刻在金属层上。编码结构由若干个双圆结构和若干个方形结构组成；所有双圆结构呈周期性排列，所有方形结构呈周期性排列，且所有双圆结构所形成的双圆阵列与所有方形结构所形成的方形阵列相互交错设置。本发明能对太赫兹波进行操控，并能实现3比特即八个状态的编码，与之前的编码结构相比大大提升了编码能力、信息传输能力。能同时控制三个频率点的谐振响应，作用的频段更宽、编码的频率范围更广。本发明具有工艺简单、结构简单且编码速率快的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114325898B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210034731.2
申请日：2022-01-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于复合超表面的动态可调太赫兹波分束器，包括衬底层、复合材料层、定位标志和透射相位控制结构。复合材料层和定位标志位于衬底层的上表面；透射相位控制结构位于复合材料层的上表面。透射相位控制结构为相位梯度超表面。入射太赫兹波经过本动态可调太赫兹波分束器被分为两束出射太赫兹波；在此过程中，通过外加激励让复合材料层的复合材料条从绝缘态转为高电导状态，以控制出射太赫兹波的波束强度；其中激发为高电导状态的复合材料条的条数与出射太赫兹波的波束强度呈反比。本发明能将一束太赫兹光分为两束太赫兹波，并能动态调节两束波束的强度和分束比。此外，本发明还具有工艺简单，调控方式可靠，功能丰富等特点。
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公开(公告)号：CN111817024A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010718838.X
申请日：2020-07-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器，该器件涉及超材料及太赫兹波应用技术领域，其主要结构包括介质衬底、所述介质衬底上表面的金属反射板、所述金属反射板上表面的介质基板、所述介质基板上表面的复合谐振结构阵列。本发明使用锑化铟及光敏硅的可调谐材料，通过控制外部温度对四个吸收频点的频率进行调谐；控制外加泵浦光源的强度，对四个吸收频点的幅度进行调控，此达到吸收峰幅度和频率独立连续可调的效果，拓宽太赫兹吸收器工作频段。本发明具备功能性强，极化不敏感，结构设计简单，实用性强等优点。
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公开(公告)号：CN111555814B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010537774.3
申请日：2020-06-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/50 , H04B10/516 , H04B10/90
Abstract: 本发明公开一种光控的太赫兹波3比特编码器及编码方法，包括衬底层、金属层、定位标志和编码结构。金属层和定位标志均覆于衬底层的上表面；编码结构蚀刻在金属层上。编码结构由若干个双圆结构和若干个方形结构组成；所有双圆结构呈周期性排列，所有方形结构呈周期性排列，且所有双圆结构所形成的双圆阵列与所有方形结构所形成的方形阵列相互交错设置。本发明能对太赫兹波进行操控，并能实现3比特即八个状态的编码，与之前的编码结构相比大大提升了编码能力、信息传输能力。能同时控制三个频率点的谐振响应，作用的频段更宽、编码的频率范围更广。本发明具有工艺简单、结构简单且编码速率快的特点。
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公开(公告)号：CN114325898A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210034731.2
申请日：2022-01-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于复合超表面的动态可调太赫兹波分束器，包括衬底层、复合材料层、定位标志和透射相位控制结构。复合材料层和定位标志位于衬底层的上表面；透射相位控制结构位于复合材料层的上表面。透射相位控制结构为相位梯度超表面。入射太赫兹波经过本动态可调太赫兹波分束器被分为两束出射太赫兹波；在此过程中，通过外加激励让复合材料层的复合材料条从绝缘态转为高电导状态，以控制出射太赫兹波的波束强度；其中激发为高电导状态的复合材料条的条数与出射太赫兹波的波束强度呈反比。本发明能将一束太赫兹光分为两束太赫兹波，并能动态调节两束波束的强度和分束比。此外，本发明还具有工艺简单，调控方式可靠，功能丰富等特点。
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公开(公告)号：CN212305342U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021084608.4
申请日：2020-06-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/50 , H04B10/516 , H04B10/90
Abstract: 本实用新型公开一种光控的太赫兹波3比特编码器，包括衬底层、金属层、定位标志和编码结构。金属层和定位标志均覆于衬底层的上表面；编码结构蚀刻在金属层上。编码结构由若干个双圆结构和若干个方形结构组成；所有双圆结构呈周期性排列，所有方形结构呈周期性排列，且所有双圆结构所形成的双圆阵列与所有方形结构所形成的方形阵列相互交错设置。本实用新型能对太赫兹波进行操控，并能实现3比特即八个状态的编码，与之前的编码结构相比大大提升了编码能力、信息传输能力。能同时控制三个频率点的谐振响应，作用的频段更宽、编码的频率范围更广。本实用新型具有工艺简单、结构简单且编码速率快的特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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