公开(公告)号：CN101009257A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710006750.X

申请日：1999-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 清水浩也 ,  西村朝雄 ,  宫本俊夫 ,  田中英树 ,  三浦英生

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L23/552 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线1003a、接地布线1003b和电信号布线1003c，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

公开(公告)号：CN1306613C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02823476.6

申请日：2002-11-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石典男 ,  熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  太田裕之

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7846 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/7842

Abstract: 本发明的目的在于提供半导体器件及制造方法，半导体器件具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，漏极电流特性优良、可靠性高。用于实现该目的的本发明的核心在于，在形成了n沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上设置氮化硅膜，而且在p沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上仅在与沟道方向垂直的方向上设置氮化硅膜。根据本发明，可以提供电流特性优良的具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管的半导体器件。

公开(公告)号：CN1299344C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200410042010.8

申请日：1999-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/28

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

Abstract: 一种半导体器件的测试设备，包括：设在第一平片部分上且形成在所述第一平片部分一主表面上的凸出部，用于与被测半导体器件的电极相连；在与所述主表面相反的表面上设置的焊接点；和电连接所述凸出部和所述焊接点的导电部件，其中，所述第一平片部分上形成有凸出部的区域比其它区域易于变形，并且，其中，形成有所述凸出部的区域的第一平片部分厚度比其它区域的第一平片部分厚度薄。

公开(公告)号：CN1139976C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN99104394.4

申请日：1999-03-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石冢典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  吉田安子

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 在具有SGI构造的半导体元件中，在假定元件形成区域的宽度(有源区宽度)为D(微米)，SGI的沟氧化量为T(微米)和沟的下端部分的曲率半径为R时，对D、T、R进行选择使得它们满足D＜0.4(-100R+7)-1(-230T+14.5)，其中，T大于0.01(微米)的关系而构成的半导体元件，具有减轻在沟下端部分的硅衬底上发生的应力，不产生异常的漏泄电流的优良的特性。

公开(公告)号：CN1139129C

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN96123443.1

申请日：1996-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 轰原广见 ,  三浦英生 ,  铃树正恭 ,  西原晋治 ,  池田修二 ,  佐原政司 ,  石田进一 ,  阿部宏美 ,  荻岛淳史 ,  内山博之 ,  阿部园子

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有硅基片、电布线用金属、开在形成于硅基片上的绝缘膜上并用于硅基片和电布线用金属连接的多个接触孔、形成于该接触孔内部的硅化钛膜，其特征是，硅化钛膜的膜厚为10nm-120nm，最好是20nm-84nm，通过该硅化钛膜连接半导体区域和电布线用金属。

公开(公告)号：CN1421932A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02152632.X

申请日：2002-11-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  三岛通宏 ,  中西克之

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/772 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明的目的在于在具有使用特性相同的多个场效应晶体管的电路的半导体器件中，提供晶体管特性优良的可靠性高的半导体器件。采用在该晶体管中，把与已形成了理想的是特性相同的晶体管的有源区相邻的浅沟元件隔离的沟宽作成为相同的办法，使得归因于相邻的浅沟元件隔离而在有源区内产生的应力，在该晶体管彼此间变成为相同，因而具有可以得到相同特性晶体管的效果。

公开(公告)号：CN1290034A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN00129032.0

申请日：2000-09-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 ,  清水浩也 ,  金丸昌敏 ,  细金敦 ,  宫武俊雄 ,  三浦英生 ,  永田达也 ,  远藤喜重 ,  难波正昭 ,  和田雄二

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68

CPC classification number: G01R1/0483 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 封装装置,其上固定多个要在检测装置上检测的半导体器件,检测装置包括要与每个半导体器件的电极电连接的探针,封装装置包括多个孔,用于在其中分别可拆卸地容纳半导体器件,而半导体器件之间的相互位置关系和封装装置与每个半导体器件之间的相互位置关系是使半导体器件之间按垂直于半导体厚度方向的方向保持恒定的间距,和多个导电件,用于分别与半导体器件的电极电连接,并伸到封装装置外面,使探针与每个导电件连接。

公开(公告)号：CN1128898A

公开(公告)日：1996-08-14

申请号：CN95117312.X

申请日：1995-09-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 三浦英生 ,  守部俊二 ,  加藤久幸 ,  小池淳义 ,  池田修二 ,  西村朝雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/22 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66757 ,  H01L31/182 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包含多晶硅薄膜的半导体器件，在这种多晶硅薄膜中硅薄膜的晶粒主要具有圆柱形结构且各个晶粒的晶向几乎为均一的方向。这种膜可以这样制作：在基底薄膜的界面上先淀积一层无掺杂硅薄膜或者先淀积一层杂质层，然后淀积掺杂的硅薄膜，如果需要，接下来进行热处理使之多晶化。

公开(公告)号：CN100361314C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN03803048.9

申请日：2003-02-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 岩崎富生 ,  石塚典男 ,  三浦英生

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明的目的在于提供可靠性高、成品率高的半导体装置。本发明的半导体装置具备硅衬底、在上述硅衬底主表面侧形成的栅绝缘膜、层叠在上述栅绝缘膜上形成的栅电极，以及含有砷和磷的扩散层，其中，砷的最高浓度部分的浓度和磷的最高浓度部分的浓度都在大于等于1026原子/m3、小于等于1027原子/m3的范围内，且使得磷的最高浓度部分从上述硅衬底表面向下的深度小于等于砷的最高浓度部分的深度。

公开(公告)号：CN1625810A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN03803048.9

申请日：2003-02-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 岩崎富生 ,  石塚典男 ,  三浦英生

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明的目的在于提供可靠性高、成品率高的半导体装置。本发明的半导体装置具备硅衬底、在上述硅衬底主表面侧形成的栅绝缘膜、层叠在上述栅绝缘膜上形成的栅电极，以及含有砷和磷的扩散层，其中，砷的最高浓度部分的浓度和磷的最高浓度部分的浓度都在大于等于1026原子/m3、小于等于1027原子/m3的范围内，且使得磷的最高浓度部分从上述硅衬底表面向下的深度小于等于砷的最高浓度部分的深度。