公开(公告)号：CN101332580B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200810128588.3

申请日：2008-06-27

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  関正也 ,  草宏明 ,  伊藤贤也

IPC: B24B21/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B21/002 ,  B24B9/065 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68792

Abstract: 根据本发明的抛光装置适用于对诸如半导体晶片的衬底的周边进行抛光。该抛光装置包括保持工件的保持部分、使抛光带与工件接触的抛光头、向所述抛光头供给抛光带的供给卷轴、使已经接触过工件的抛光带重绕的重绕卷轴、以及使所述抛光头进行摇摆运动的摆动机构，其中所述摇摆运动的枢转点位于预定点上。

公开(公告)号：CN101877305B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010168158.1

申请日：2006-04-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  白樫充彦 ,  伊藤贤也 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  関正也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728

Abstract: 一种基底抛光方法，包括：在抛光单元中抛光基底边缘部分；以及在所述抛光前和/或所述抛光后，在测量单元中测量基底边缘部分，其中，测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动，以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(XO)到基底外圆周表面的距离(Xn)，从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。

公开(公告)号：CN101733696A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910225171.3

申请日：2006-04-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  白樫充彦 ,  伊藤贤也 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  関正也

IPC: B24B29/00 ,  B24B55/06

CPC classification number: B24B21/16 ,  B24B9/065 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明公开了基板抛光方法及处理方法。在一种基板抛光方法中包括：通过移动机构将基板移动到用于抛光基板外围部分的斜边抛光装置和用于抛光基板凹口的凹口抛光装置中的一个上；利用斜边抛光装置和凹口抛光装置中的一个，第一次抛光基板的外围部分或基板的凹口；在第一次抛光之后仅将纯水供应到基板上，以形成覆盖基板表面的水膜；在水膜形成于基板表面上的情况下，通过移动机构将基板移动到斜边抛光装置和凹口抛光装置中的另一个上；和利用斜边抛光装置和凹口抛光装置中的另一个，第二次抛光基板的外围部分或基板凹口。

公开(公告)号：CN101687304A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023918.0

申请日：2008-07-08

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  伊藤贤也 ,  草宏明 ,  关正也

IPC: B24B21/08 ,  B24B9/00 ,  B24B21/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B21/002 ,  B24B9/065 ,  H01L21/02021

Abstract: 本发明的研磨装置具备：研磨带(41)，具有研磨面；基板保持部(32)，保持基板(W)并使其旋转；加压垫(50)，将研磨带按压到基板保持部所保持的基板的坡口部上；以及研磨带进给机构(45)，使研磨带在其长度方向上行进。加压垫(50)具有：垫主体部(53)；板状的按压部(51)，具有隔着研磨带按压基板的坡口部的按压面(51a)和位于该按压面的相反侧的背面；以及多个连结部(52)，对按压部和垫主体部进行连结。按压部由硬质的塑料形成，在按压部的背面与垫主体部之间形成有空间(S)。

公开(公告)号：CN100550314C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200680013140.6

申请日：2006-04-18

Applicant: 日本微涂料株式会社 ,  株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  伊藤贤也 ,  白樫充彦 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  关正也 ,  佐藤觉 ,  渡边淳 ,  加藤健二 ,  田村淳 ,  浅川荘一

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: B24B9/065 ,  B24B21/16

Abstract: 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置，其包括：晶片载置台，用于保持晶片；晶片载置台单元，包括用于使晶片载置台转动的装置，使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动，并平行于该表面移动晶片载置台；凹口研磨部分，用于研磨晶片上的凹口；以及斜面研磨部分，用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。

公开(公告)号：CN101522368A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037179.6

申请日：2007-10-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  伊藤贤也 ,  关正也 ,  草宏明

IPC: B24B21/20 ,  B24B21/18 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B21/20 ,  B24B21/004 ,  B24B21/04

Abstract: 本发明提供一种能够在研磨前通过简单的操作算出研磨带供给卷轴和研磨带回收卷轴的研磨带卷绕体的外径，能够根据该外径算出研磨带的剩余量、使用量等的研磨装置及研磨方法。研磨装置具有研磨带供给卷轴(46)、研磨头(44)和研磨带拉出机构(G1)，并且具有经过研磨头(44)从研磨带供给卷轴(46)回收研磨带(43)的研磨带供给/回收机构(45)。研磨带供给/回收机构(45)具有给研磨带供给卷轴(46)施加旋转转矩、给经过研磨头(44)的研磨带(43)施加预定张力的马达(Mb)，以及检测该研磨带供给卷轴(46)的旋转角度的旋转角度检测器(REa)。

公开(公告)号：CN101383271A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810166711.0

申请日：2004-07-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山田薰 ,  齐藤孝行 ,  矢部纯夫 ,  伊藤贤也 ,  龟泽正之 ,  关正也 ,  片伯部一郎 ,  井上雄贵

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  B08B3/02 ,  C23C18/16 ,  C25D7/12

Abstract: 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法，用于执行化学液体处理、清洗处理、干燥处理或类似处理，同时旋转基片，例如半导体晶片或液晶基片。本发明还涉及用于固定和旋转基片的基片固定装置。该基片处理装置(1)用于处理基片(W)并同时向基片(W)提供流体，包括：基片固定器(11)，用于固定和旋转基片(W)；和固定器抽吸单元(24)，用于从基片固定器(11)抽吸流体。该基片固定装置包括：多个压辊(20)，与基片(W)的边缘部分接触，从而固定和旋转基片(W)；和至少一个移动机构(303a)，用于移动压辊(20)。

公开(公告)号：CN100343946C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN02816766.X

申请日：2002-09-03

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 斉藤孝行 ,  铃木作 ,  槙田裕司 ,  山田薰 ,  白樫充彦 ,  伊藤贤也

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明涉及一种基片处理装置，包括一个用于支撑基片并使之转动的卡盘组件，一个其中放置有卡盘组件的可关闭的腔体，以及一个向腔体引入一种气体的气体引入装置。该基片处理装置还包括一个蚀刻部件，该蚀刻部件在卡盘组件使基片转动的同时蚀刻并清洁基片的周边部分，以及一个向蚀刻部件提供第一种液体的第一供给管道。

公开(公告)号：CN101006562A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200680000414.8

申请日：2006-04-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  白樫充彦 ,  伊藤贤也 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  関正也

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: B24B21/16 ,  B24B9/065 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68792

Abstract: 一种基板处理设备(1)具有第一抛光单元(400A)和第二抛光单元(400B)，用于抛光基板的外围部分。两个抛光单元(400A，400B)中的每一个都包括用于抛光基板外围部分的斜边抛光装置(450A，450B)和用于抛光基板凹口的凹口抛光装置(480A，480B)。基板处理设备(1)具有在两个抛光单元(400A，400B)之间形成的维护空间(7)。两个抛光单元(400A，400B)中的斜边抛光装置(450A，450B)面对维护空间(7)，以从维护空间(7)触及。

公开(公告)号：CN1960836A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580017342.3

申请日：2005-05-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 多田光男 ,  须藤康成 ,  市原博文 ,  伊藤贤也 ,  高桥圭瑞

IPC: B24B49/12 ,  B24B9/00 ,  H01L21/304 ,  G01B11/30 ,  G01N21/956

CPC classification number: H01L21/67242 ,  B24B9/065 ,  B24B49/12 ,  G01N21/9501 ,  G01N29/44 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67075

Abstract: 投射/接收单元(52)将激光投射到周边部分(30)上并接收反射光，同时液体被馈送给衬底(14)并在周边部分(30)上流动。信号处理控制器(54)处理反射光的电信号，以决定周边部分(30)的状态。监控正被抛光的周边部分的状态。而且，检测抛光结束点。还可以使用激光以外的其他传输波。周边部分(30)还可以用通道形成部件包围，从而适当地形成通道。甚至在液体在衬底周边部分上流动的情况下也能适当地测量周边部分。