-
公开(公告)号:CN100550314C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200680013140.6
申请日:2006-04-18
IPC: H01L21/304 , B24B9/00
Abstract: 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置,其包括:晶片载置台,用于保持晶片;晶片载置台单元,包括用于使晶片载置台转动的装置,使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动,并平行于该表面移动晶片载置台;凹口研磨部分,用于研磨晶片上的凹口;以及斜面研磨部分,用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。
-
公开(公告)号:CN101164148A
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200680013140.6
申请日:2006-04-18
IPC: H01L21/304 , B24B9/00
Abstract: 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置,其包括:晶片载置台,用于保持晶片;晶片载置台单元,包括用于使晶片载置台转动的装置,使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动,并平行于该表面移动晶片载置台;凹口研磨部分,用于研磨晶片上的凹口;以及斜面研磨部分,用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。
-
公开(公告)号:CN103084957B
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201210041032.7
申请日:2012-02-21
Applicant: 日本微涂料株式会社
Abstract: 本发明提供一种端缘部被高精度地倒角加工且被具有高强度的玻璃板及其制造方法、研磨方法以及研磨装置。本发明的玻璃板是具有上表面、下表面以及位于这两个面之间的端面的矩形玻璃板,其中,位于所述上表面或所述下表面与所述端面的边界处的棱部中的至少一条边的棱部或者至少一个端面通过研磨带研磨而被形成为精加工面,该精加工面的平均表面粗糙度(Ra)为20nm以下,且最大谷深(Rv)为200nm以下。
-
公开(公告)号:CN103831705A
公开(公告)日:2014-06-04
申请号:CN201310245364.1
申请日:2013-06-17
Applicant: 日本微涂料株式会社
CPC classification number: B24B21/002 , B24B21/18
Abstract: 本发明提供一种对玻璃板等工件的周缘部高精度地进行研磨的研磨装置、研磨方法。研磨装置包括:第1研磨部,其对工件的周缘部的直线被研磨部分进行研磨,且具有水平的第1研磨轴线;和第2研磨部,其对工件的周缘部的非直线被研磨部分进行研磨,且具有水平的第2研磨轴线,第1、第2研磨部分别包括:用于保持工件的工件单元;和隔着研磨轴线与工件单元相对并用于配置研磨带的至少一部分表面的研磨带单元,所配置的研磨带的表面划分出各个研磨面,直线被研磨部分和研磨面接触地在研磨轴线上相对移动,非直线被研磨部分和研磨面接触地在研磨轴线上相对移动,由此进行研磨。
-
公开(公告)号:CN103084957A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201210041032.7
申请日:2012-02-21
Applicant: 日本微涂料株式会社
Abstract: 本发明提供一种端缘部被高精度地倒角加工且被具有高强度的玻璃板及其制造方法、研磨方法以及研磨装置。本发明的玻璃板是具有上表面、下表面以及位于这两个面之间的端面的矩形玻璃板,其中,位于所述上表面或所述下表面与所述端面的边界处的棱部中的至少一条边的棱部或者至少一个端面通过研磨带研磨而被形成为精加工面,该精加工面的平均表面粗糙度(Ra)为20nm以下,且最大谷深(Rv)为200nm以下。
-
公开(公告)号:CN103831705B
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201310245364.1
申请日:2013-06-17
Applicant: 日本微涂料株式会社
Abstract: 本发明提供一种对玻璃板等工件的周缘部高精度地进行研磨的研磨装置、研磨方法。研磨装置包括:第1研磨部,其对工件的周缘部的直线被研磨部分进行研磨,且具有水平的第1研磨轴线;和第2研磨部,其对工件的周缘部的非直线被研磨部分进行研磨,且具有水平的第2研磨轴线,第1、第2研磨部分别包括:用于保持工件的工件单元;和隔着研磨轴线与工件单元相对并用于配置研磨带的至少一部分表面的研磨带单元,所配置的研磨带的表面划分出各个研磨面,直线被研磨部分和研磨面接触地在研磨轴线上相对移动,非直线被研磨部分和研磨面接触地在研磨轴线上相对移动,由此进行研磨。
-
-
-
-
-