-
公开(公告)号：CN103358222B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310110317.6
申请日：2013-03-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013
CPC classification number: G01N27/90 , B24B37/013 , B24B49/105 , G01N27/82 , H01L22/14 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种无需提升涡电流传感器的振荡频率、内部电路的放大率及励磁电压，并且即使不在研磨台内的不同位置设置灵敏度不同的多个传感器，也可以正确检测半导体晶片等基板上的金属薄膜（或导电性薄膜）的涡电流传感器。该涡电流传感器为配置于形成有金属膜或导电性膜的基板W的附近、检测金属膜或导电性膜上形成的涡电流的涡电流传感器（50），其构成为，将卷绕了导线或导电体的尺寸不同的多个线圈（63A、63B）互相分离配置为外侧的线圈（63B）包围内侧的线圈（63A），多个线圈（63A、63B）各自分别检测金属膜或导电性膜上形成的涡电流。
-
公开(公告)号：CN1809444B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200480017029.5
申请日：2004-06-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/105 , B24B49/12 , B24B49/16
Abstract: 本发明涉及用于抛光诸如半导体晶片的基片到平面光洁度的基片抛光设备和基片抛光方法。基片抛光设备包括：具有抛光表面(101)的抛光台(100)；用于保持和压靠基片(W)到抛光台(100)的抛光表面(101)的基片支架(1)；和用于测量基片(W)上的薄膜厚度的薄膜厚度测量装置(200)；基片支架(1)具有多个压力可调节室(22到25)，且在相应压力可调节室(22到25)的压力基于薄膜厚度测量装置(200)所测量的薄膜厚度而被调节。
-
公开(公告)号：CN100455984C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480030744.2
申请日：2004-10-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G01B7/06 , H01L21/304
CPC classification number: G01B7/105
Abstract: 一种涡流传感器(10)具有传感器线圈(100)，其设置在形成在半导体晶片(W)上的导电膜(6)附近；以及信号源(124)，其用于为传感器线圈(100)提供AC信号，以在导电膜(6)中产生涡流。该涡流传感器(10)包括可用于检测在导电膜(6)中产生的涡流的检测电路。该检测电路连接到传感器线圈(100)。该涡流传感器(10)还包括由具有高导磁率的材料制成的外壳(200)。在外壳(200)中容纳传感器线圈(100)。将外壳(200)构造成使得传感器线圈(100)形成磁通(MF)的通路，以便有效地在导电膜(6)中产生涡流。
-
公开(公告)号：CN107710024A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680038444.1
申请日：2016-06-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G01V3/10
Abstract: 本发明提供一种金属检测用传感器，该金属检测用传感器是能够通过电磁感应检测法检测出微小金属异物的小型化的金属检测用传感器。用于对在通路(18)中移动的检查对象物所包含的金属(14)进行检测的金属检测用传感器(20)具有：产生静磁场的磁铁(24、26)；及对金属(14)生成的磁场(28)进行检测的线圈(30)。磁铁(24、26)位于线圈(30)的轴向上的线圈(30)的外部，线圈(30)位于连结磁铁(24、26)的N极与S极的轴向上的磁铁(24、26)的外部，磁铁(24、26)与线圈(30)面对。
-
公开(公告)号：CN100522484C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200580017342.3
申请日：2005-05-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/12 , B24B9/00 , H01L21/304 , G01B11/30 , G01N21/956
CPC classification number: H01L21/67242 , B24B9/065 , B24B49/12 , G01N21/9501 , G01N29/44 , H01L21/67023 , H01L21/67075
Abstract: 投射/接收单元(52)将激光投射到周边部分(30)上并接收反射光，同时液体被馈送给衬底(14)并在周边部分(30)上流动。信号处理控制器(54)处理反射光的电信号，以决定周边部分(30)的状态。监控正被抛光的周边部分的状态。而且，检测抛光结束点。还可以使用激光以外的其他传输波。周边部分(30)还可以用通道形成部件包围，从而适当地形成通道。甚至在液体在衬底周边部分上流动的情况下也能适当地测量周边部分。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1809444A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200480017029.5
申请日：2004-06-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/105 , B24B49/12 , B24B49/16
Abstract: 本发明涉及用于抛光诸如半导体晶片的基片到平面光洁度的基片抛光设备和基片抛光方法。基片抛光设备包括：具有抛光表面(101)的抛光台(100)；用于保持和压靠基片(W)到抛光台(100)的抛光表面(101)的基片支架(1)；和用于测量基片(W)上的薄膜厚度的薄膜厚度测量装置(200)；基片支架(1)具有多个压力可调节室(22到25)，且在相应压力可调节室(22到25)的压力基于薄膜厚度测量装置(200)所测量的薄膜厚度而被调节。
-
公开(公告)号：CN104907920B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510109221.7
申请日：2015-03-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/015 , G01B7/06 , G01D5/16
CPC classification number: H01L22/26 , B24B37/013 , B24B49/105 , G01B7/105 , H01L22/14
Abstract: 种膜厚测定值的补正方法、膜厚补正器、及涡流传感器,以简易的构成精确补正测定研磨对象物的膜厚的传感器的温度偏差。膜厚测定值的补正方法在进行研磨工序中补正涡流传感器的输出信号。研磨工序包含:涡流传感器与研磨对象物不相对的第状态;及涡流传感器与研磨对象物相对的第二状态。膜厚测定值的补正方法是取得在第状态下从涡流传感器输出的第测定信号(Xout,Yout)(步骤S108),基于取得的第测定信号与对第测定信号预先设定的基准信号(Xsd,Ysd)算出补正值(ΔX、ΔY)(步骤S109);取得在第二状态下从涡流传感器输出的第二测定信号(X、Y)(步骤S104),在进行研磨工序中,基于算出的补正值补正所取得的第二测定信号(步骤S105)。
-
-
公开(公告)号：CN1806158A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016575.7
申请日：2004-06-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及一种用于测量形成在诸如半导体晶片等的基片表面上的薄膜厚度等的测量设备。测量设备包括用于发射微波到物体的微波发射装置(40)、用于供给微波到微波发射装置(40)的微波发生器(45)、用于检测已从物体反射或穿过物体的微波的振幅或相位的检波器(47)、和用于基于所述检波器(47)已检测的微波的振幅或相位来分析物体结构的分析器(48)。
-
公开(公告)号：CN107710024B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201680038444.1
申请日：2016-06-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G01V3/10
Abstract: 本发明提供一种金属检测用传感器，该金属检测用传感器是能够通过电磁感应检测法检测出微小金属异物的小型化的金属检测用传感器。用于对在通路(18)中移动的检查对象物所包含的金属(14)进行检测的金属检测用传感器(20)具有：产生静磁场的磁铁(24、26)；及对金属(14)生成的磁场(28)进行检测的线圈(30)。磁铁(24、26)位于线圈(30)的轴向上的线圈(30)的外部，线圈(30)位于连结磁铁(24、26)的N极与S极的轴向上的磁铁(24、26)的外部，磁铁(24、26)与线圈(30)面对。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.025 seconds)
