公开(公告)号：CN100522484C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200580017342.3

申请日：2005-05-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 多田光男 ,  须藤康成 ,  市原博文 ,  伊藤贤也 ,  高桥圭瑞

IPC: B24B49/12 ,  B24B9/00 ,  H01L21/304 ,  G01B11/30 ,  G01N21/956

CPC classification number: H01L21/67242 ,  B24B9/065 ,  B24B49/12 ,  G01N21/9501 ,  G01N29/44 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67075

Abstract: 投射/接收单元(52)将激光投射到周边部分(30)上并接收反射光，同时液体被馈送给衬底(14)并在周边部分(30)上流动。信号处理控制器(54)处理反射光的电信号，以决定周边部分(30)的状态。监控正被抛光的周边部分的状态。而且，检测抛光结束点。还可以使用激光以外的其他传输波。周边部分(30)还可以用通道形成部件包围，从而适当地形成通道。甚至在液体在衬底周边部分上流动的情况下也能适当地测量周边部分。

公开(公告)号：CN1809444A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200480017029.5

申请日：2004-06-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  深谷孝一 ,  多田光男 ,  高桥太郎 ,  须藤康成

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明涉及用于抛光诸如半导体晶片的基片到平面光洁度的基片抛光设备和基片抛光方法。基片抛光设备包括：具有抛光表面(101)的抛光台(100)；用于保持和压靠基片(W)到抛光台(100)的抛光表面(101)的基片支架(1)；和用于测量基片(W)上的薄膜厚度的薄膜厚度测量装置(200)；基片支架(1)具有多个压力可调节室(22到25)，且在相应压力可调节室(22到25)的压力基于薄膜厚度测量装置(200)所测量的薄膜厚度而被调节。

公开(公告)号：CN101329157B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200810134025.5

申请日：2004-10-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 多田光男 ,  须藤康成

IPC: G01B7/06 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: G01B7/105

Abstract: 一种涡流传感器，包括：空心的传感器线圈，设置在具有多个区的基板附近，并被容纳在高导磁率材料的外壳中；信号源，被配置用于为该传感器线圈提供AC信号，以在该基板中产生涡流；检测电路，被配置用于获得关于在该基板的所述多个区中产生的涡流的信号数据；以及控制器，被配置用于基于该信号数据来检测工艺的结束点。

公开(公告)号：CN1806158A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016575.7

申请日：2004-06-10

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 多田光男 ,  须藤康成

IPC: G01B15/02 ,  G01N22/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N22/00 ,  G01B15/02

Abstract: 本发明涉及一种用于测量形成在诸如半导体晶片等的基片表面上的薄膜厚度等的测量设备。测量设备包括用于发射微波到物体的微波发射装置(40)、用于供给微波到微波发射装置(40)的微波发生器(45)、用于检测已从物体反射或穿过物体的微波的振幅或相位的检波器(47)、和用于基于所述检波器(47)已检测的微波的振幅或相位来分析物体结构的分析器(48)。

公开(公告)号：CN1809444B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200480017029.5

申请日：2004-06-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  深谷孝一 ,  多田光男 ,  高桥太郎 ,  须藤康成

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明涉及用于抛光诸如半导体晶片的基片到平面光洁度的基片抛光设备和基片抛光方法。基片抛光设备包括：具有抛光表面(101)的抛光台(100)；用于保持和压靠基片(W)到抛光台(100)的抛光表面(101)的基片支架(1)；和用于测量基片(W)上的薄膜厚度的薄膜厚度测量装置(200)；基片支架(1)具有多个压力可调节室(22到25)，且在相应压力可调节室(22到25)的压力基于薄膜厚度测量装置(200)所测量的薄膜厚度而被调节。

公开(公告)号：CN100455984C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200480030744.2

申请日：2004-10-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 多田光男 ,  须藤康成

IPC: G01B7/06 ,  H01L21/304

CPC classification number: G01B7/105

Abstract: 一种涡流传感器(10)具有传感器线圈(100)，其设置在形成在半导体晶片(W)上的导电膜(6)附近；以及信号源(124)，其用于为传感器线圈(100)提供AC信号，以在导电膜(6)中产生涡流。该涡流传感器(10)包括可用于检测在导电膜(6)中产生的涡流的检测电路。该检测电路连接到传感器线圈(100)。该涡流传感器(10)还包括由具有高导磁率的材料制成的外壳(200)。在外壳(200)中容纳传感器线圈(100)。将外壳(200)构造成使得传感器线圈(100)形成磁通(MF)的通路，以便有效地在导电膜(6)中产生涡流。

公开(公告)号：CN101329157A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810134025.5

申请日：2004-10-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 多田光男 ,  须藤康成

IPC: G01B7/06 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: G01B7/105

Abstract: 一种涡流传感器，包括：空心的传感器线圈，设置在具有多个区的基板附近，并被容纳在高导磁率材料的外壳中；信号源，被配置用于为该传感器线圈提供AC信号，以在该基板中产生涡流；检测电路，被配置用于获得关于在该基板的所述多个区中产生的涡流的信号数据；以及控制器，被配置用于基于该信号数据来检测工艺的结束点。

公开(公告)号：CN1960836A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580017342.3

申请日：2005-05-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 多田光男 ,  须藤康成 ,  市原博文 ,  伊藤贤也 ,  高桥圭瑞

IPC: B24B49/12 ,  B24B9/00 ,  H01L21/304 ,  G01B11/30 ,  G01N21/956

CPC classification number: H01L21/67242 ,  B24B9/065 ,  B24B49/12 ,  G01N21/9501 ,  G01N29/44 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67075

Abstract: 投射/接收单元(52)将激光投射到周边部分(30)上并接收反射光，同时液体被馈送给衬底(14)并在周边部分(30)上流动。信号处理控制器(54)处理反射光的电信号，以决定周边部分(30)的状态。监控正被抛光的周边部分的状态。而且，检测抛光结束点。还可以使用激光以外的其他传输波。周边部分(30)还可以用通道形成部件包围，从而适当地形成通道。甚至在液体在衬底周边部分上流动的情况下也能适当地测量周边部分。

公开(公告)号：CN1871494A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480030744.2

申请日：2004-10-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 多田光男 ,  须藤康成

IPC: G01B7/06 ,  H01L21/304

CPC classification number: G01B7/105

Abstract: 一种涡流传感器(10)具有传感器线圈(100)，其设置在形成在半导体晶片(W)上的导电膜(6)附近；以及信号源(124)，其用于为传感器线圈(100)提供AC信号，以在导电膜(6)中产生涡流。该涡流传感器(10)包括可用于检测在导电膜(6)中产生的涡流的检测电路。该检测电路连接到传感器线圈(100)。该涡流传感器(10)还包括由具有高导磁率的材料制成的外壳(200)。在外壳(200)中容纳传感器线圈(100)。将外壳(200)构造成使得传感器线圈(100)形成磁通(MF)的通路，以便有效地在导电膜(6)中产生涡流。