公开(公告)号：CN100346421C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN03149408.0

申请日：2003-06-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久 ,  浅尾吉昭 ,  中島健太郎

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种磁随机存取存储器及其写入方法，能够通过对具有理想的星状曲线的TMR元件，同时使困难轴方向的磁场H1和容易轴方向的磁场H2作用，使TMR元件的存储层的磁化方向反转。在实际的星状曲线向困难轴方向仅偏差Ho的情况下，通过在写入动作时，使所修正的合成磁场H1+H2+Ho产生，来可靠地进行磁场反转。通过基于所编程的设定数据，对写入字/位线电流个别进行控制，就能够容易地生成所修正的合成磁场。

公开(公告)号：CN100342451C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN03102768.7

申请日：2003-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斉藤好昭 ,  西山勝哉 ,  高桥茂树 ,  天野実 ,  上田知正 ,  与田博明 ,  浅尾吉昭 ,  岩田佳久 ,  岸逹也

IPC: G11C11/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。

公开(公告)号：CN1308960C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03154513.0

申请日：2003-05-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久 ,  中島健太郎 ,  徐向京 ,  史达洋

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供了一种磁随机存取存储器及其写入方法。本发明的磁随机存取存储器的写入方法包括：对具有易轴和难轴的磁致电阻效应元件施加平行于所述难轴的第一磁场，之后，对所述磁致电阻效应元件同时施加平行于所述难轴的第二磁场和平行于所述易轴的第三磁场，所述第二磁场比所述第一磁场弱；其中，通过在平行于所述易轴的方向通入第一写入电流来产生所述第一和第二磁场，通过在平行于所述难轴的方向通入第二写入电流来产生所述第三磁场。

公开(公告)号：CN1282197C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN02160615.3

申请日：2002-11-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C2207/2263

Abstract: 提供一种磁随机存取存储器及其读出方法。在第1次读出时，在1列内或1个块内的并联连接的多个TMR元件流过读出电流，检测初始数据。接着，对所选的存储单元写入尝试数据。写入尝试数据的同时或与此并行进行第2次读出。在第2次读出时，在1列内或1个块内的并联连接的多个TMR元件流过读出电流，读出比较数据。接着，对初始数据和比较数据进行比较，判断所选的存储单元的数据值。最后，对所选的存储单元重新写入数据。

公开(公告)号：CN1269134C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN02157547.9

申请日：2002-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久 ,  浅尾吉昭 ,  细谷启司 ,  宮本顺一

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/5607

Abstract: 在读出位线(BLj)上连接了多个读出块(BKjn)。读出块(BKjn)具有串联在读出位线(BLj)和接地端子(VSS)之间的多个MTJ元件(12)。这些MTJ元件(12)层叠在半导体衬底上。读出位线(BLj)配置在层叠的多个MTJ元件(12)上。在读出块(BKjn)内的多个MTJ元件(12)的附近，存在沿着X方向延伸的写入字线(WWL3n、WWL3n+1、WWL3n+2)和沿着Y方向延伸的写入位线(BLj0、BLj1)。

公开(公告)号：CN1811984A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610002435.5

申请日：2006-01-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤好昭 ,  杉山英行 ,  井口智明 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/16 ,  G11C7/00 ,  H01L43/00

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08

Abstract: 根据本发明的一种自旋注入磁随机存取存储器，包括磁电阻元件，该磁电阻元件具有其磁化方向固定的磁性固定层、其磁化方向可以通过注入自旋极化电子改变的磁性记录层、和提供在磁性固定层和磁性记录层之间的隧道势垒层；位线，该位线使自旋注入电流通过磁电阻元件，自旋注入电流用于产生自旋极化的电子；写入字线，辅助电流通过该写入字线，辅助电流用于沿着磁电阻元件的易磁化轴方向产生辅助磁场；以及驱动器/吸收器，该驱动器/吸收器确定自旋注入电流的方向和辅助电流的方向。

公开(公告)号：CN1707689A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510069671.4

申请日：2005-05-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/14 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/5004

Abstract: 根据本发明若干实例的磁性随机存取存储器包括磁阻元件MTJ和电流源电路I1、I2和I3，在读取所述磁阻元件MTJ中的数据时，所述电流源电路把偏置电流/电压给予所述磁阻元件MTJ，其中，所述偏置电流/电压值的变化取决于温度而不取决于电源电位。

公开(公告)号：CN1482617A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03154513.0

申请日：2003-05-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久 ,  中島健太郎 ,  徐向京 ,  史达洋

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁随机存取存储器。在设定电路登录用于确定写入字/位线电流的供给/切断定时，大小及其时间的变化(电流波形)的设定数据。写入电流波形控制电路，根据该设定数据，生成写入字线驱动信号、写入字线吸收信号、写入位线驱动信号和写入位线吸收信号。对每个芯片或者每个存储单元阵列控制写入字/位线电流的电流波形。

公开(公告)号：CN1423281A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN02160615.3

申请日：2002-11-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C2207/2263

Abstract: 提供一种磁随机存取存储器及其读出方法。在第1次读出时,在1列内或1个块内的并联连接的多个TMR元件流过读出电流,检测初始数据。接着,对所选的存储单元写入尝试数据。写入尝试数据的同时或与此并行进行第2次读出。在第2次读出时,在1列内或1个块内的并联连接的多个TMR元件流过读出电流,读出比较数据。接着,对初始数据和比较数据进行比较,判断所选的存储单元的数据值。最后,对所选的存储单元重新写入数据。