公开(公告)号：CN1308960C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03154513.0

申请日：2003-05-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久 ,  中島健太郎 ,  徐向京 ,  史达洋

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供了一种磁随机存取存储器及其写入方法。本发明的磁随机存取存储器的写入方法包括：对具有易轴和难轴的磁致电阻效应元件施加平行于所述难轴的第一磁场，之后，对所述磁致电阻效应元件同时施加平行于所述难轴的第二磁场和平行于所述易轴的第三磁场，所述第二磁场比所述第一磁场弱；其中，通过在平行于所述易轴的方向通入第一写入电流来产生所述第一和第二磁场，通过在平行于所述难轴的方向通入第二写入电流来产生所述第三磁场。

公开(公告)号：CN1482617A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03154513.0

申请日：2003-05-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩田佳久 ,  中島健太郎 ,  徐向京 ,  史达洋

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁随机存取存储器。在设定电路登录用于确定写入字/位线电流的供给/切断定时，大小及其时间的变化(电流波形)的设定数据。写入电流波形控制电路，根据该设定数据，生成写入字线驱动信号、写入字线吸收信号、写入位线驱动信号和写入位线吸收信号。对每个芯片或者每个存储单元阵列控制写入字/位线电流的电流波形。