研磨液及研磨方法
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100372073C

    公开(公告)日:2008-02-27

    申请号:CN03812783.0

    申请日:2003-05-29

    CPC classification number: C09G1/02 H01L21/3212

    Abstract: 一种研磨液,含有金属的氧化剂,金属防蚀剂、氧化金属溶解剂,以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸,这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3~4间,且该金属氧化剂的浓度为0.01~3重量%。在半导体元件的配线形成工序中,使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液,因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。

    研磨液及研磨方法
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1659688A

    公开(公告)日:2005-08-24

    申请号:CN03812783.0

    申请日:2003-05-29

    CPC classification number: C09G1/02 H01L21/3212

    Abstract: 一种研磨液,含有金属的氧化剂,金属防蚀剂、氧化金属溶解剂,以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸,这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3~4间,且该金属氧化剂的浓度为0.01~3重量%。在半导体元件的配线形成工序中,使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液,因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。

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