公开(公告)号：CN102304699A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110297036.7

申请日：2011-09-30

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  娄阳 ,  姜楠楠 ,  任银拴 ,  简基康 ,  李强 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C23C16/34

Abstract: 本发明公开了一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法。本方法采用无催化剂辅助下化学气相沉积法，以无水AlCl3、无水MnCl2和NH3气分别作为Al源、Mn源和N源，在硅衬底上得到了掺杂Mn的AlN纳米棒阵列。所制备的AlN：Mn纳米棒阵列具有室温铁磁性，可以应用于纳米级电子和光电子器件上，也可以应用于以自旋为基础的多功能器件上，因而它具有重要的研究价值和广阔的应用前景。本方法不使用任何催化剂，制备工艺简单，对设备的要求低，易于推广。

公开(公告)号：CN102205951A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110091772.7

申请日：2011-04-13

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  杨建强 ,  吴荣 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C01B21/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结阵列的方法，是通过以下工艺过程实现的：用两步化学气相沉积(CVD)方法来制备，第一步，在CVD管式炉中，用无水三氯化铝(AlCl3)作为铝(Al)源，通入氨气(NH3)作为氮(N)源，反应后得到白色片状独立自支撑的AlN纳米棒阵列；第二步，在白色片状AlN纳米棒阵列上镀金(Au)作为催化剂，在CVD管式炉中，用金属镓(Ga)和NH3作为反应源在AlN纳米棒阵列上生长GaN的异质结。本发明所制备材料为氮化铝和氮化镓纳米棒阵列，其特点是：在微观上为纳米棒异质结阵列，在宏观上为独立、自支撑的白色薄片。

公开(公告)号：CN102162126A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110055251.6

申请日：2011-03-09

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  宋春燕 ,  吴荣 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C30B29/10 ,  C30B7/10

Abstract: 本发明提供一种用溶剂热法制备氯氧化铋单晶纳米片的方法。制备在不锈钢高压反应釜中进行，反应釜由聚四氟乙烯内衬(容积45ml)和不锈钢外套组成，通过以下工艺过程实现：①将原材料BiCl3(纯度为质量百分比≥99.1％)、KBH4(纯度为质量百分比≥98.0％)，按摩尔比3/5放入去离子水和无水乙醇混合溶液(20～30ml)中，进行搅拌反应，去离子水和无水乙醇混合体积比为1/4～1/3；②然后，混合溶液倒入聚四氟乙烯内衬中，填充量为4/9～2/3，套上钢套后置于温度160～200℃保温16～24小时；③最后，高压反应釜冷却到室温，收集反应产物、清洗、分离、最后收集并干燥得到氯氧化铋单晶纳米片。此法合成出的BiOCl单晶纳米片分散性好、厚度薄、尺寸分布均匀、色泽好，可广泛应用于涂料、无机颜料、高品质化妆品和珠光饰品等领域。原料价格低廉，且工艺简单、易于大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN101397149B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200810072976.4

申请日：2008-10-23

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  邹华 ,  吴荣 ,  孙言飞 ,  郑毓峰

IPC: C01G11/02

Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdS纳米棒的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdS粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1：0.01-1：0.35的比例均匀混合作为原料，置于钼片制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米-3厘米处放置各种衬底。当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-2×10-3Pa的真空环境后，密闭蒸发炉，电阻加热舟通电流为100-180A保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的硫化镉纳米棒为晶态的六方相结构的CdS。本发明所得的硫化镉纳米棒具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN102060331A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010545873.2

申请日：2010-11-16

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  陶乐天 ,  简基康 ,  李锦 ,  孙言飞 ,  封丽 ,  边延龙 ,  刘前霞

IPC: C01G45/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种溶剂热法生长MnS纳米结构的方法，其通过以下工艺过程实现：本发明所用的所有试剂均为分析纯级，且未经进一步提纯而直接使用。用乙二胺、乙二醇1∶1的混合溶液作溶剂，其量为40ml。以四水氯化锰MnCl2·4H2O作为锰源，以硫脲(NH2)2CS作为硫源，按摩尔比1∶1依次加入混合溶剂中。然后将反应釜置于烘箱中，反应时间为6h-24h，反应温度为140℃-180℃；反应结束后在60℃的真空干燥箱中干燥6h以收集产物。其中在180℃温度下反应6h得到了MnS层片状结构。在其它温度和时间条件下得到了岩盐结构的MnS。

公开(公告)号：CN101967681A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010532027.7

申请日：2010-11-04

Applicant: 新疆大学

Inventor： 李锦 ,  马燕 ,  简基康 ,  孙言飞 ,  吴荣 ,  杨林钰

IPC: C30B29/48 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnTe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.05-1∶0.09的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方0.5厘米-1.5厘米处放置ITO玻璃衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉真空度达到3×10-2～6×10-3Pa，加热舟电流为120A-130A保持5-15分钟沉积，可得到ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构。本发明制备出的碲化锌纳米线为立方相结构的ZnTe。本发明的特点是：所得的碲化锌六次对称多分枝分级纳米结构形貌新颖，且制备方法简单，易于推广。

公开(公告)号：CN101549889A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910113270.2

申请日：2009-03-26

Applicant: 新疆大学

Inventor： 彭登峰 ,  拜山·沙德克 ,  李强 ,  孙言飞 ,  郑毓峰 ,  侯军伟 ,  杨世才 ,  邹华 ,  王军

IPC: C01G49/08

Abstract: 本发明提供一种利用赤铁矿湿法合成超微磁性四氧化三铁黑色粉体的方法，该方法是通过以下工艺过程实现的：①将赤铁矿石原矿简单机械球磨后，得到赤铁矿粉末(含铁64％)②将以上赤铁矿粉和氢氧化钠按质量为1∶0.5～1∶2.5分散到乙二醇溶液中，然后倒入聚四氟乙烯内衬套上钢套，置于温度160～200℃的热源保温16～24小时.④自然或用冷水冷却到室温，收集母液后，反复清洗沉淀物，用永磁体收集到黑色四氧化三铁磁性粉体。母液可重复利用。本发明直接利用赤铁矿原矿湿法制备出高纯超微四氧化三铁磁性黑色粉体，产物具有颗粒均匀、分散性好、结晶度好高、黑度好等优点，可以广泛应用于涂料、建筑、塑料着色、油墨、印刷材料，密封、锂电池材料等相关行业；原料价格低廉，且工艺简单、易于大规模工业化生产。