公开(公告)号：CN102487079A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110342603.6

申请日：2011-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中村哲一 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/10 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法，该方法在包括电极沟槽的内壁表面的化合物半导体层的表面上，去除由于为了形成电极沟槽所进行的干蚀刻而产生的蚀刻残留物和变质物，并且用氟来终止化合物半导体。经由栅绝缘膜将栅极金属埋置在电极沟槽中，或者将栅极金属直接地埋置在电极沟槽中，从而形成栅极。本发明的化合物半导体器件能够提供高的晶体管特性：其化合物半导体层的表面上的悬空键被大大减少，由此阈值电压经历较小的变化并较稳定。

公开(公告)号：CN102456730A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110326799.X

申请日：2011-10-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  金村雅仁 ,  中村哲一 ,  宫岛丰生 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  吉川俊英 ,  今西健治 ,  多木俊裕 ,  今田忠纮

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；源电极和漏电极，形成在所述第二半导体层上；绝缘膜，形成在所述第二半导体层上；栅电极，形成在所述绝缘膜上；以及保护膜，覆盖所述绝缘膜，所述保护膜是通过热CVD、热ALD或真空气相沉积形成的。利用本发明，在于栅电极与半导体层之间插入了绝缘膜、并且覆盖有绝缘保护膜的半导体器件中，能够维持足够程度的绝缘强度。

公开(公告)号：CN1322490C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200510052626.8

申请日：2005-03-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 千叶洋 ,  渡部庆二 ,  笠松祥治 ,  武藏贵之 ,  押久保由纪子 ,  山川荣进 ,  东海林武 ,  渡边淳 ,  中村哲一

IPC: G11B5/187 ,  G11B5/255 ,  G11B5/60 ,  G11B21/21

Abstract: 提供一种几乎没有污染物粘着的磁头滑动器和一种配备有该磁头滑动器的磁记录装置，该磁头滑动器能够形成均匀平坦的磁头润滑层表面，并具有优异的超低浮动性。该磁头滑动器配备有磁头滑动器润滑层，该磁头滑动器润滑层具有小于等于2.5nm的平均膜厚度，并且由防水树脂构成，该润滑层形成于面向该磁记录介质的磁头滑动器表面和磁头滑动器保护层表面上，使用Fowkes公式所确定的磁头滑动器润滑层的表面张力小于等于该磁头滑动器表面和磁头滑动器保护层表面的表面张力。